Компоненты группы Память
Важно!Имейте в виду, что при выборе Группы компонентов вам будет доступно больше параметров для поиска |
Название | Описание | Производитель | Группа компонент | Организация | VCC В |
TA °C |
Корпус | ||
Слов K |
Разрядов бит |
||||||||
TC58CYG1S3H | NAND FLASH память с последовательным интерфейсом SPI, одноуровневой структурой ячеек и доступным объёмом 2 Гбит | Toshiba |
NAND Flash |
- | - | 1.675 ... 1.8 | -40 ... 85 |
|
|
TC58CYG0S3H | NAND FLASH память с последовательным интерфейсом SPI, одноуровневой структурой ячеек и доступным объёмом 1 Гбит | Toshiba |
NAND Flash |
- | - | 1.675 ... 1.8 | -40 ... 85 |
|
|
IS66WV51216ALL | Малопотребляющее статическое псевдо-ОЗУ 512Кх16 | ISSI |
High Speed SRAM |
512 | 16 | 1.7 ... 1.95 | -40 ... 85 |
|
|
KFH1G16Q2M | 1Гб (64М х 16 бит) OneNAND Flash память | Samsung Electronics |
NAND Flash |
- | - | 1.7 ... 1.95 | -30 ... 85 |
FBGA-63 |
|
NAND02GR3B2C | 2Гбит 1.8-вольтовая 8-битная NAND Flash | Numonyx |
NAND Flash |
- | - | 1.7 ... 1.95 | -40 ... 85 |
FBGA-63 |
|
CAT24AA08 | Последовательная память с интерфейсом I2C объемом 8Кб | ON Semiconductor |
SEEPROM |
1024 | 8 | 1.7 ... 5.5 | -40 ... 85 |
SOIC-8 |
|
KFH4G16Q2M | 4Гб (256М х 16 бит) OneNAND Flash память | Samsung Electronics |
NAND Flash |
- | - | 1.7 ... 1.95 | -30 ... 85 |
FBGA-63 |
|
CAT24AA04 | Последовательная память с интерфейсом I2C объемом 4Кб | ON Semiconductor |
SEEPROM |
512 | 8 | 1.7 ... 5.5 | -40 ... 85 |
SOIC-8 |
|
KFG2G16Q2M | 2Гб (128М х 16 бит) OneNAND Flash память | Samsung Electronics |
NAND Flash |
- | - | 1.7 ... 1.95 | -30 ... 85 |
FBGA-63 |
|
NAND01GR3B2B | 1Гбит 1.8-вольтовая 8-битная NAND Flash | Numonyx |
NAND Flash |
- | - | 1.7 ... 1.95 | -40 ... 85 |
FBGA-63 |
|
S30MS04GR | 4Гбит (256М х 16 бит) ORNAND™ Flash серии S30MS-R | Spansion |
NAND Flash |
- | - | 1.7 ... 1.95 | -25 ... 85 |
TSOPI-48 |
|
KFK8G16Q2M | 8Гб (512М х 16 бит) OneNAND Flash память | Samsung Electronics |
NAND Flash |
- | - | 1.7 ... 1.95 | -30 ... 85 |
FBGA-63 |
|
IS66WV25616ALL | Малопотребляющее статическое псевдо-ОЗУ 256Кх16 | ISSI |
High Speed SRAM |
256 | 16 | 1.7 ... 1.95 | -40 ... 85 |
|
|
S30MS04GR | 4Гбит (512М х 8 бит) ORNAND™ Flash серии S30MS-R | Spansion |
NAND Flash |
- | - | 1.7 ... 1.95 | -25 ... 85 |
TSOPI-48 |
|
KFN4G16Q2M | 4Гб (256М х 16 бит) OneNAND Flash память | Samsung Electronics |
NAND Flash |
- | - | 1.7 ... 1.95 | -30 ... 85 |
FBGA-63 |
|
KFG1216Q2M | 512Мб (32М х 16 бит) OneNAND Flash память | Samsung Electronics |
NAND Flash |
- | - | 1.7 ... 1.95 | -30 ... 85 |
FBGA-63 |
|
S30MS02GR | 2Гбит (128М х 16 бит) ORNAND™ Flash серии S30MS-R | Spansion |
NAND Flash |
- | - | 1.7 ... 1.95 | -25 ... 85 |
TSOPI-48 |
|
KFM2G16Q2M | 2Гб (128М х 16 бит) OneNAND Flash память | Samsung Electronics |
NAND Flash |
- | - | 1.7 ... 1.95 | -30 ... 85 |
FBGA-63 |
|
S30MS02GR | 2Гбит (256М х 8 бит) ORNAND™ Flash серии S30MS-R | Spansion |
NAND Flash |
- | - | 1.7 ... 1.95 | -25 ... 85 |
TSOPI-48 |
|
KFG1216Q2A | 512Мб (32М х 16 бит) OneNAND Flash память | Samsung Electronics |
NAND Flash |
- | - | 1.7 ... 1.95 | -30 ... 85 |
FBGA-63 |