Компоненты группы Память

 
Название:
Описание
Производитель:
Группа компонентов
Организация: Слов (K)
Организация: Разрядов (бит)
VCC (В) От до
TA (°C) От до
Корпус

    Важно!

Имейте в виду, что при выборе Группы компонентов вам будет доступно больше параметров для поиска

Страницы: предыдущая 1 2 3 4 5 6 7 8 ... 60 следующая

Название Описание PDF Производитель Группа компонент Организация VCC
В
TA
°C
Корпус
Слов
K
Разрядов
бит
                   
TC58DVG02A3TA00 128М х 8 бит NAND FLASH Toshiba NAND Flash
- - 2.7 ... 3.6 0 ... 70 TSOPI-48
CY7C4275V–15ASXC Синхронная FIFO организацией 32K x 18, 15 нс, 0°C...+70°C Cypress Синхронная FIFO
- 18 3 ... 3.6 0 ... 70 TQFP-64
NAND01GW3A2B 1Гбит 3-вольтовая 8-битная NAND Flash Numonyx NAND Flash
- - 2.7 ... 3.6 -40 ... 85 Wafer
S30MS02GR 2Гбит (128М х 16 бит) ORNAND™ Flash серии S30MS-R Spansion NAND Flash
- - 1.7 ... 1.95 -25 ... 85 TSOPI-48
MTFDDAK064MBD Твердотельный накопитель данных объемом 64 ГБ Micron Твердотельные диски
NAND Flash+PSRAM
- - 4.5 ... 5.5 -40 ... 85 -
HY27US16561A 256 Мбит (16М х 16 бит) NAND Flash Hynix NAND Flash
- - 2.7 ... 3.6 0 ... 70 FBGA-63
TSOPI-48
USOPI-48
IDT72V05L25J 3.3-вольтовая асинхронная FIFO организацией 8K x 9, 25 нс, 0°C...+70°C IDT Асинхронная FIFO
- 9 3 ... 3.6 0 ... 70 PLCC-32
KFM2G16Q2M 2Гб (128М х 16 бит) OneNAND Flash память Samsung Electronics NAND Flash
- - 1.7 ... 1.95 -30 ... 85 FBGA-63
AT25BCM512B 512 кбит последовательная Flash-память с интерфейсом SPI, минимальное напряжение питания 2.7 В, поблочное стирание (4 кБайт или 32 кБайт), побайтная или постраничная (256 байт) запись Adesto Technologies Serial Flash
- 8 2.7 ... 3.6 -40 ... 85 UDFN-8
M25PE20 2Мб, 75МГц постраничностираемая, побайтноизменяемая последовательная Flash память с интерфейсом SPI Numonyx Serial Flash
- 8 2.7 ... 3.6 -40 ... 85 SOIC-8
VFQFPN-8
AT26DF161A Последовательная Flash память семейства DataFlash размером 16 Мбит для хранения кода прошивки Atmel Corporation Serial Flash
- 8 2.7 ... 3.6 -40 ... 85 SOIC-8
VDFN-8
K9F5608R0D 256 Мбит (64М х 8 бит) NAND Flash Samsung Electronics NAND Flash
- - 1.65 ... 1.95 -40 ... 85 FBGA-63
IDT7200L25TPI Асинхронная FIFO организацией 256 x 9, 25 нс, -40°C...+85°C IDT Асинхронная FIFO
- 9 4.5 ... 5.5 -40 ... 85 SDIP-28
KFG1216U2A 512Мб (32М х 16 бит) OneNAND Flash память Samsung Electronics NAND Flash
- - 2.7 ... 3.6 -40 ... 85 FBGA-63
TC58DVM92A3TA00 64М х 8 бит NAND FLASH Toshiba NAND Flash
- - 2.7 ... 3.6 0 ... 70 TSOPI-48
CY7C4265V–15ASC Синхронная FIFO организацией 16K x 18, 15 нс, 0°C...+70°C Cypress Синхронная FIFO
- 18 3 ... 3.6 0 ... 70 TQFP-64
NAND512W4A2C 512Мбит 3-вольтовая 16-битная NAND Flash Numonyx NAND Flash
- - 2.7 ... 3.6 -40 ... 85 FBGA-63
TSOPI-48
VFBGA-55
S30MS02GR 2Гбит (256М х 8 бит) ORNAND™ Flash серии S30MS-R Spansion NAND Flash
- - 1.7 ... 1.95 -25 ... 85 TSOPI-48
MTFDDAK240MBD Твердотельный накопитель данных объемом 240 ГБ Micron Твердотельные диски
NAND Flash+PSRAM
- - 4.5 ... 5.5 -40 ... 85 -
HY27US08561A 256 Мбит (32М х 8 бит) NAND Flash Hynix NAND Flash
- - 2.7 ... 3.6 0 ... 70 FBGA-63
TSOPI-48
USOPI-48
Страницы: предыдущая 1 2 3 4 5 6 7 8 ... 60 следующая




подписка на новости

Подпишись на новости!

Продажа силового и бронированного кабеля и провода в Москве



Мероприятия:

17-я международная выставка ChipEXPO - 2019