Компоненты группы Память

 
Название:
Описание
Производитель:
Группа компонентов
Организация: Слов (K)
Организация: Разрядов (бит)
VCC (В) От до
TA (°C) От до
Корпус

    Важно!

Имейте в виду, что при выборе Группы компонентов вам будет доступно больше параметров для поиска

Страницы: предыдущая 1 2 3 4 5 6 ... 60 следующая

Название Описание PDF Производитель Группа компонент Организация VCC
В
TA
°C
Корпус
Слов
K
Разрядов
бит
                   
R1LV0816ASD-7SI 8 Мб SRAM (512К х 16бит/ 1М х 8бит) семейства Advanced LPSRAM Renesas Low Power SRAM
512 16 2.4 ... 3.6 -40 ... 85 ?TSOP-52
R1LV3216R-5S 32 Mb SRAM из семейства Advanced LPSRAM (2M x 16 бит / 4M x 8 бит) Renesas Low Power SRAM
2048 16 2.7 ... 3.6 -40 ... 85 TSOPI-48
?TSOP-52
1645РУ2 Микросхема оперативно запоминающего устройства статического типа емкостью 64 Кбит (8К x 8 бит) с повышенной стойкостью к воздействию специальных факторов Миландр High Speed SRAM
8 8 4.5 ... 5.5 -60 ... 125 4119.28-6
1645РГ1Т Двухпортовое СОЗУ типа FIFO 144 Кбит (16Кх9) Миландр Асинхронная FIFO
- 9 4.5 ... 5.5 -60 ... 125 4119.28-6
1645РК2Т Микросхема двухпортового статического ОЗУ емкостью 16К (2Кх8) бит Миландр Синхронная FIFO
- 8 4.5 ... 5.5 -60 ... 125 4134.48-2
1645РТ3У Однократно программируемое ПЗУ Flash-типа емкостью 2M с перестраиваемой организацией 128Кх16 или 256Кх8 Миландр NOR Flash
256 8 3 ... 5.5 -60 ... 125 5134.64-6
1645РТ2У Однократно электрически программируемое постоянное запоминающее устройство емкостью 256К (32Кх8) бит Миландр NOR Flash
32 8 3 ... 3.6 -60 ... 125 5134.64-6
1645РУ4 Микросхема оперативно запоминающего устройства статического типа емкостью 16 Мбит (1М x 16 бит) Миландр High Speed SRAM
1024 16 3 ... 3.6 -60 ... 125 5134.64-6
5576РТ1У Микросхема радиационностойкого однократно программируемого ПЗУ емкостью 1 Мб для конфигурирования ПЛИС Миландр SBRAM
128 8 3 ... 3.6 -60 ... 100 5134.64-6
1645РУ5У Микросхема асинхронного статического ОЗУ объемом 4Мбит (512К х 8 бит) с повышенной стойкостью к воздействию специальных факторов Миландр Асинхронная FIFO
- 8 3 ... 5.5 -60 ... 125 5134.64-6
GS73024A Асинхронная статическая память объемом 3Мб (128Kx24) GSI Technology High Speed SRAM
128 24 2.7 ... 3.6 -40 ... 85 BGA-119
GS76024A Асинхронная статическая память объемом 6Мб (256Kx24) GSI Technology High Speed SRAM
256 24 2.7 ... 3.6 -40 ... 85 BGA-119
GS78108A Асинхронная статическая память объемом 8Мб (1M x 8) GSI Technology High Speed SRAM
1024 8 2.7 ... 3.6 -40 ... 85 BGA-119
GS78116A Асинхронная статическая память объемом 8Мб (512K x 16) GSI Technology High Speed SRAM
512 16 2.7 ... 3.6 -40 ... 85 BGA-119
GS78132A Асинхронная статическая память объемом 8Мб (256K x 32) GSI Technology High Speed SRAM
256 32 2.7 ... 3.6 -40 ... 85 BGA-119
DS1254Y Энергонезависимая SRAM 2Мх8 со скрытыми часами реального времени Maxim Integrated NVSRAM
2048 8 4.5 ... 5.5 0 ... 70 BGA-168
DS1254W Энергонезависимая SRAM 2Мх8 со скрытыми часами реального времени Maxim Integrated NVSRAM
2048 8 3 ... 3.7 0 ... 70 BGA-168
IS61NVVP25672 Быстродействующее синхронное статическое ОЗУ объемом 18Мб 256Кх72 ISSI High Speed SRAM
256 72 1.71 ... 1.89 -40 ... 85 BGA-209
PBGA-119
IS61NLP102418 Быстродействующее синхронное статическое ОЗУ объемом 18Мб 1Мх18 ISSI High Speed SRAM
1024 18 2.7 ... 3.6 -40 ... 85 TQFP-100
BGA-209
PBGA-165
IS61NVP102418 Быстродействующее синхронное статическое ОЗУ объемом 18Мб 1Мх18 ISSI High Speed SRAM
1024 18 2.375 ... 2.75 -40 ... 85 TQFP-100
BGA-209
PBGA-165
Страницы: предыдущая 1 2 3 4 5 6 ... 60 следующая




подписка на новости

Подпишись на новости!

Продажа силового и бронированного кабеля и провода в Москве



Мероприятия:

17-я международная выставка ChipEXPO - 2019