Компоненты группы Память
Важно!Имейте в виду, что при выборе Группы компонентов вам будет доступно больше параметров для поиска |
Название | Описание | Производитель | Группа компонент | Организация | VCC В |
TA °C |
Корпус | ||
Слов K |
Разрядов бит |
||||||||
R1LV0816ASD-7SI | 8 Мб SRAM (512К х 16бит/ 1М х 8бит) семейства Advanced LPSRAM | Renesas |
Low Power SRAM |
512 | 16 | 2.4 ... 3.6 | -40 ... 85 |
|
|
R1LV3216R-5S | 32 Mb SRAM из семейства Advanced LPSRAM (2M x 16 бит / 4M x 8 бит) | Renesas |
Low Power SRAM |
2048 | 16 | 2.7 ... 3.6 | -40 ... 85 |
TSOPI-48 |
|
1645РУ2 | Микросхема оперативно запоминающего устройства статического типа емкостью 64 Кбит (8К x 8 бит) с повышенной стойкостью к воздействию специальных факторов | Миландр |
High Speed SRAM |
8 | 8 | 4.5 ... 5.5 | -60 ... 125 |
4119.28-6 |
|
1645РГ1Т | Двухпортовое СОЗУ типа FIFO 144 Кбит (16Кх9) | Миландр |
Асинхронная FIFO |
- | 9 | 4.5 ... 5.5 | -60 ... 125 |
4119.28-6 |
|
1645РК2Т | Микросхема двухпортового статического ОЗУ емкостью 16К (2Кх8) бит | Миландр |
Синхронная FIFO |
- | 8 | 4.5 ... 5.5 | -60 ... 125 |
|
|
1645РТ3У | Однократно программируемое ПЗУ Flash-типа емкостью 2M с перестраиваемой организацией 128Кх16 или 256Кх8 | Миландр |
NOR Flash |
256 | 8 | 3 ... 5.5 | -60 ... 125 |
5134.64-6 |
|
1645РТ2У | Однократно электрически программируемое постоянное запоминающее устройство емкостью 256К (32Кх8) бит | Миландр |
NOR Flash |
32 | 8 | 3 ... 3.6 | -60 ... 125 |
5134.64-6 |
|
1645РУ4 | Микросхема оперативно запоминающего устройства статического типа емкостью 16 Мбит (1М x 16 бит) | Миландр |
High Speed SRAM |
1024 | 16 | 3 ... 3.6 | -60 ... 125 |
5134.64-6 |
|
5576РТ1У | Микросхема радиационностойкого однократно программируемого ПЗУ емкостью 1 Мб для конфигурирования ПЛИС | Миландр |
SBRAM |
128 | 8 | 3 ... 3.6 | -60 ... 100 |
5134.64-6 |
|
1645РУ5У | Микросхема асинхронного статического ОЗУ объемом 4Мбит (512К х 8 бит) с повышенной стойкостью к воздействию специальных факторов | Миландр |
Асинхронная FIFO |
- | 8 | 3 ... 5.5 | -60 ... 125 |
5134.64-6 |
|
GS73024A | Асинхронная статическая память объемом 3Мб (128Kx24) | GSI Technology |
High Speed SRAM |
128 | 24 | 2.7 ... 3.6 | -40 ... 85 |
|
|
GS76024A | Асинхронная статическая память объемом 6Мб (256Kx24) | GSI Technology |
High Speed SRAM |
256 | 24 | 2.7 ... 3.6 | -40 ... 85 |
|
|
GS78108A | Асинхронная статическая память объемом 8Мб (1M x 8) | GSI Technology |
High Speed SRAM |
1024 | 8 | 2.7 ... 3.6 | -40 ... 85 |
|
|
GS78116A | Асинхронная статическая память объемом 8Мб (512K x 16) | GSI Technology |
High Speed SRAM |
512 | 16 | 2.7 ... 3.6 | -40 ... 85 |
|
|
GS78132A | Асинхронная статическая память объемом 8Мб (256K x 32) | GSI Technology |
High Speed SRAM |
256 | 32 | 2.7 ... 3.6 | -40 ... 85 |
|
|
DS1254Y | Энергонезависимая SRAM 2Мх8 со скрытыми часами реального времени | Maxim Integrated |
NVSRAM |
2048 | 8 | 4.5 ... 5.5 | 0 ... 70 |
|
|
DS1254W | Энергонезависимая SRAM 2Мх8 со скрытыми часами реального времени | Maxim Integrated |
NVSRAM |
2048 | 8 | 3 ... 3.7 | 0 ... 70 |
|
|
IS61NVVP25672 | Быстродействующее синхронное статическое ОЗУ объемом 18Мб 256Кх72 | ISSI |
High Speed SRAM |
256 | 72 | 1.71 ... 1.89 | -40 ... 85 |
|
|
IS61NLP102418 | Быстродействующее синхронное статическое ОЗУ объемом 18Мб 1Мх18 | ISSI |
High Speed SRAM |
1024 | 18 | 2.7 ... 3.6 | -40 ... 85 |
TQFP-100 |
|
IS61NVP102418 | Быстродействующее синхронное статическое ОЗУ объемом 18Мб 1Мх18 | ISSI |
High Speed SRAM |
1024 | 18 | 2.375 ... 2.75 | -40 ... 85 |
TQFP-100 |