Компоненты группы Память
Важно!Имейте в виду, что при выборе Группы компонентов вам будет доступно больше параметров для поиска |
Название | Описание | Производитель | Группа компонент | Организация | VCC В |
TA °C |
Корпус | ||
Слов K |
Разрядов бит |
||||||||
IS61NLP25672 | Быстродействующее синхронное статическое ОЗУ объемом 18Мб 256Кх72 | ISSI |
High Speed SRAM |
256 | 72 | 2.7 ... 3.6 | -40 ... 85 |
TQFP-100 |
|
IS61NVP25672 | Быстродействующее синхронное статическое ОЗУ объемом 18Мб 256Кх72 | ISSI |
High Speed SRAM |
256 | 72 | 2.375 ... 2.75 | -40 ... 85 |
TQFP-100 |
|
IS61LF25672A | Быстродействующее синхронное статическое ОЗУ объемом 18Мб 256Кх72 | ISSI |
High Speed SRAM |
256 | 72 | 2.7 ... 3.6 | -40 ... 85 |
TQFP-100 |
|
IS61LPS25672A | Быстродействующее синхронное статическое ОЗУ 256Кх72 | ISSI |
High Speed SRAM |
256 | 72 | 2.7 ... 3.6 | -40 ... 85 |
|
|
IS61VPS25672A | Быстродействующее синхронное статическое ОЗУ 256Кх72 | ISSI |
High Speed SRAM |
256 | 72 | 2.375 ... 2.7 | -40 ... 85 |
|
|
IS61VF25672A | Быстродействующее синхронное статическое ОЗУ объемом 18Мб 256Кх72 | ISSI |
High Speed SRAM |
256 | 72 | 2.375 ... 2.75 | -40 ... 85 |
TQFP-100 |
|
IS61NLP51236 | Быстродействующее синхронное статическое ОЗУ объемом 18Мб 512Кх36 | ISSI |
High Speed SRAM |
512 | 36 | 2.7 ... 3.6 | -40 ... 85 |
TQFP-100 |
|
IS61NVP51236 | Быстродействующее синхронное статическое ОЗУ объемом 18Мб 512Кх36 | ISSI |
High Speed SRAM |
512 | 36 | 2.375 ... 2.75 | -40 ... 85 |
TQFP-100 |
|
AT45DB642D | 64 Мбит, последовательная Flash память серии DataFlash®, напряжение питания 2,7 В, двойной (последовательный/параллельный) интерфейс | Adesto Technologies |
Serial Flash |
- | 8 | 2.7 ... 3.6 | -40 ... 85 |
BGA-24 TSSOP-28 |
|
AT45DB161D | 2.5 В или 2.7 В, 16 Мбит, последовательная Flash память семейства DataFlash® | Adesto Technologies |
Serial Flash |
- | 8 | 2.5 ... 3.6 | -40 ... 85 |
BGA-24 SOIC-8 VDFN-8 |
|
AT45DB321D | 2.5 В или 2.7 В, 32 Мбит, последовательная Flash память семейства DataFlash® | Adesto Technologies |
Serial Flash |
- | 8 | 2.5 ... 3.6 | -40 ... 85 |
BGA-24 SOIC-8 VDFN-8 |
|
BS62LV4006 | Малопотребляющая асинхронная статическая память объемом 4Мб | Brilliance Semiconductor, Inc. (BSI) |
Low Power SRAM |
512 | 8 | 2.4 ... 5.5 | -40 ... 85 |
|
|
BS62LV2006 | Малопотребляющая асинхронная статическая память объемом 2Мб | Brilliance Semiconductor, Inc. (BSI) |
Low Power SRAM |
256 | 8 | 2.4 ... 5.5 | -40 ... 85 |
|
|
IS64WV5128BLL | Быстродействующее асинхронное статическое ОЗУ 512Кх8 | ISSI |
High Speed SRAM |
512 | 8 | 1.65 ... 2.2 | -40 ... 125 |
|
|
BS62LV1027 | Малопотребляющая асинхронная статическая память объемом 1Мб | Brilliance Semiconductor, Inc. (BSI) |
Low Power SRAM |
128 | 8 | 2.4 ... 5.5 | -40 ... 85 |
|
|
IS62WV1288BLL | Малопотребляющее статическое ОЗУ 128Кх8 | ISSI |
High Speed SRAM |
128 | 8 | 2.5 ... 3.6 | -40 ... 85 |
|
|
IS62WV2568ALL | Малопотребляющее статическое ОЗУ 256Кх8 | ISSI |
High Speed SRAM |
256 | 8 | 1.65 ... 2.2 | -40 ... 85 |
|
|
IS63LV1024 | Быстродействующее асинхронное статическое ОЗУ 128Кx8 | ISSI |
High Speed SRAM |
128 | 8 | 3 ... 3.6 | -40 ... 85 |
|
|
IS62WV5128BLL | Малопотребляющее статическое ОЗУ 512Кх8 | ISSI |
High Speed SRAM |
512 | 8 | 2.5 ... 3.6 | -40 ... 85 |
|
|
BH62UV4000 | Быстродействующая сверхмалопотребляющая асинхронная статическая память объемом 4Мб | Brilliance Semiconductor, Inc. (BSI) |
Low Power SRAM |
512 | 8 | 1.65 ... 3.6 | -40 ... 85 |
|