Компоненты группы Диодные Мосты
| Название | Описание | Производитель | Группа компонент | Кол-во диодов | Фаз | VRRM В |
Рабочий ток | VF (макс.) В |
IFSM (макс.) А |
rT мОм |
RthJC К/Вт |
trr нс |
TJ (макс.) °C |
VISO В |
Корпус | ||
| ID (макс.) А |
При TC °C |
||||||||||||||||
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
||
| RMB6S | Миниатюрные диодные мосты с быстрым восстановлением в капсулированном стеклом корпусе |
|
Taiwan Semiconductor |
Диодные Мосты |
4 | 1 | 600 | 0.8 | 25 | 1 | 30 | - | 85 | 150 | 150 | - |
|
| RMB4S | Миниатюрные диодные мосты с быстрым восстановлением в капсулированном стеклом корпусе |
|
Taiwan Semiconductor |
Диодные Мосты |
4 | 1 | 400 | 0.8 | 25 | 1 | 30 | - | 85 | 150 | 150 | - |
|
| RMB2S | Миниатюрные диодные мосты с быстрым восстановлением в капсулированном стеклом корпусе |
|
Taiwan Semiconductor |
Диодные Мосты |
4 | 1 | 200 | 0.8 | 25 | 1 | 30 | - | 85 | 150 | 150 | - |
|
| HDBLS107G | Высокоэффективные диодные мосты, 1 А |
|
Taiwan Semiconductor |
Диодные Мосты |
4 | 1 | 1000 | 1 | 25 | 1.7 | 50 | - | 40 | 75 | 150 | - |
|
| HDBLS106G | Высокоэффективные диодные мосты, 1 А |
|
Taiwan Semiconductor |
Диодные Мосты |
4 | 1 | 800 | 1 | 25 | 1.7 | 50 | - | 40 | 75 | 150 | - |
|
| HDBLS105G | Высокоэффективные диодные мосты, 1 А |
|
Taiwan Semiconductor |
Диодные Мосты |
4 | 1 | 600 | 1 | 25 | 1.7 | 50 | - | 40 | 75 | 150 | - |
|
| HDBL107G | Высокоэффективные диодные мосты, 1 А |
|
Taiwan Semiconductor |
Диодные Мосты |
4 | 1 | 1000 | 1 | 25 | 1.7 | 50 | - | 40 | 75 | 150 | - |
|
| HDBL106G | Высокоэффективные диодные мосты, 1 А |
|
Taiwan Semiconductor |
Диодные Мосты |
4 | 1 | 800 | 1 | 25 | 1.7 | 50 | - | 40 | 75 | 150 | - |
|
| HDBL105G | Высокоэффективные диодные мосты, 1 А |
|
Taiwan Semiconductor |
Диодные Мосты |
4 | 1 | 600 | 1 | 25 | 1.7 | 50 | - | 40 | 75 | 150 | - |
|
| TSS4B03G | Высокоэффективные диодные мосты, 4 А |
|
Taiwan Semiconductor |
Диодные Мосты |
4 | 1 | 200 | 4 | 25 | 0.98 | 150 | - | 5.5 | 50 | 150 | - |
|
| TSS4B02G | Высокоэффективные диодные мосты, 4 А |
|
Taiwan Semiconductor |
Диодные Мосты |
4 | 1 | 100 | 4 | 25 | 0.98 | 150 | - | 5.5 | 50 | 150 | - |
|
| TSS4B01G | Высокоэффективные диодные мосты, 4 А |
|
Taiwan Semiconductor |
Диодные Мосты |
4 | 1 | 50 | 4 | 25 | 0.98 | 150 | - | 5.5 | 50 | 150 | - |
|
| TSS4B04G | Высокоэффективные диодные мосты, 4 А |
|
Taiwan Semiconductor |
Диодные Мосты |
4 | 1 | 400 | 4 | 25 | 1.3 | 150 | - | 5.5 | 50 | 150 | - |
|
| HDBLS104G | Высокоэффективные диодные мосты, 1 А |
|
Taiwan Semiconductor |
Диодные Мосты |
4 | 1 | 400 | 1 | 25 | 1.3 | 50 | - | 40 | 50 | 150 | - |
|
| HDBLS103G | Высокоэффективные диодные мосты, 1 А |
|
Taiwan Semiconductor |
Диодные Мосты |
4 | 1 | 200 | 1 | 25 | 1 | 50 | - | 40 | 50 | 150 | - |
|
| HDBLS102G | Высокоэффективные диодные мосты, 1 А |
|
Taiwan Semiconductor |
Диодные Мосты |
4 | 1 | 100 | 1 | 25 | 1 | 50 | - | 40 | 50 | 150 | - |
|
| HDBLS101G | Высокоэффективные диодные мосты, 1 А |
|
Taiwan Semiconductor |
Диодные Мосты |
4 | 1 | 50 | 1 | 25 | 1 | 50 | - | 40 | 50 | 150 | - |
|
| HDBL104G | Высокоэффективные диодные мосты, 1 А |
|
Taiwan Semiconductor |
Диодные Мосты |
4 | 1 | 400 | 1 | 25 | 1.3 | 50 | - | 40 | 50 | 150 | - |
|
| HDBL103G | Высокоэффективные диодные мосты, 1 А |
|
Taiwan Semiconductor |
Диодные Мосты |
4 | 1 | 200 | 1 | 25 | 1 | 50 | - | 40 | 50 | 150 | - |
|
| HDBL102G | Высокоэффективные диодные мосты, 1 А |
|
Taiwan Semiconductor |
Диодные Мосты |
4 | 1 | 100 | 1 | 25 | 1 | 50 | - | 40 | 50 | 150 | - |
|
