Компоненты группы Быстровосстанавливающиеся Диоды
| Название | Описание | Производитель | Группа компонент | Кол-во диодов | TA °C |
TS °C |
VRRM В |
IF(AV) А |
VF (макс.) В |
IR (макс.) мкА |
IFSM (макс.) А |
trr нс |
TJ (макс.) °C |
Корпус | |
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
||
| LL4448 | Быстровосстанавливающийся диод в корпусе SMD, 500 мВт |
|
Taiwan Semiconductor |
Сверхбыстрые Диоды |
1 | -65 ... 200 | -65 ... 200 | 100 | 0.15 | 0.72 | 5 | 2 | 4 | 200 |
|
| P2500M | Силовой диод на 25 А |
|
Taiwan Semiconductor |
Сверхбыстрые Диоды |
1 | -50 ... 175 | -50 ... 175 | 1000 | 25 | 0.87 | 5 | 650 | - | 175 |
|
| MUR420 | Ультрабыстрый диод с высокоэффективным восстановлением, 4 А |
|
Taiwan Semiconductor |
Сверхбыстрые Диоды |
1 | -55 ... 150 | -55 ... 150 | 200 | 4 | 0.89 | 5 | 125 | 25 | 150 |
|
| ESH3D | Ультрабыстрые диоды в корпусе для поверхностного монтажа, 3 А |
|
Taiwan Semiconductor |
Сверхбыстрые Диоды |
1 | -55 ... 175 | -55 ... 175 | 200 | 3 | 0.9 | 5 | 125 | 25 | 175 |
|
| ESH3C | Ультрабыстрые диоды в корпусе для поверхностного монтажа, 3 А |
|
Taiwan Semiconductor |
Сверхбыстрые Диоды |
1 | -55 ... 175 | -55 ... 175 | 150 | 3 | 0.9 | 5 | 125 | 25 | 175 |
|
| ESH3B | Ультрабыстрые диоды в корпусе для поверхностного монтажа, 3 А |
|
Taiwan Semiconductor |
Сверхбыстрые Диоды |
1 | -55 ... 175 | -55 ... 175 | 100 | 3 | 0.9 | 5 | 125 | 25 | 175 |
|
| ESH2DA | Ультрабыстрые диоды в корпусе для поверхностного монтажа, 1 А |
|
Taiwan Semiconductor |
Сверхбыстрые Диоды |
1 | -55 ... 175 | -55 ... 175 | 200 | 1 | 0.9 | 1 | 50 | 25 | 175 |
|
| ESH2CA | Ультрабыстрые диоды в корпусе для поверхностного монтажа, 1 А |
|
Taiwan Semiconductor |
Сверхбыстрые Диоды |
1 | -55 ... 175 | -55 ... 175 | 150 | 1 | 0.9 | 1 | 50 | 25 | 175 |
|
| ESH2BA | Ультрабыстрые диоды в корпусе для поверхностного монтажа, 1 А |
|
Taiwan Semiconductor |
Сверхбыстрые Диоды |
1 | -55 ... 175 | -55 ... 175 | 100 | 1 | 0.9 | 1 | 50 | 25 | 175 |
|
| UG2004PT | Ультрабыстрые диоды, 20 А |
|
Taiwan Semiconductor |
Сверхбыстрые Диоды |
2 | -55 ... 175 | -55 ... 175 | 200 | 20 | 0.93 | 200 | 200 | 25 | 175 |
|
| ESH2D | Ультрабыстрые диоды в корпусе для поверхностного монтажа, 2 А |
|
Taiwan Semiconductor |
Сверхбыстрые Диоды |
1 | -55 ... 175 | -55 ... 175 | 200 | 2 | 0.93 | 2 | 60 | 25 | 175 |
|
| ESH2C | Ультрабыстрые диоды в корпусе для поверхностного монтажа, 2 А |
|
Taiwan Semiconductor |
Сверхбыстрые Диоды |
1 | -55 ... 175 | -55 ... 175 | 150 | 2 | 0.93 | 2 | 60 | 25 | 175 |
|
| ESH2B | Ультрабыстрые диоды в корпусе для поверхностного монтажа, 2 А |
|
Taiwan Semiconductor |
Сверхбыстрые Диоды |
1 | -55 ... 175 | -55 ... 175 | 100 | 2 | 0.93 | 2 | 60 | 25 | 175 |
|
| ESH1D | Ультрабыстрые диоды в корпусе для поверхностного монтажа, 1 А |
|
Taiwan Semiconductor |
Сверхбыстрые Диоды |
1 | -55 ... 175 | -55 ... 175 | 200 | 1 | 0.95 | 1 | 30 | 15 | 175 |
|
| ESH1C | Ультрабыстрые диоды в корпусе для поверхностного монтажа, 1 А |
|
Taiwan Semiconductor |
Сверхбыстрые Диоды |
1 | -55 ... 175 | -55 ... 175 | 150 | 1 | 0.95 | 1 | 30 | 15 | 175 |
|
| ESH1B | Ультрабыстрые диоды в корпусе для поверхностного монтажа, 1 А |
|
Taiwan Semiconductor |
Сверхбыстрые Диоды |
1 | -55 ... 175 | -55 ... 175 | 100 | 1 | 0.95 | 1 | 30 | 15 | 175 |
|
| UGF1004G | Ультрабыстрые изолированные диоды, 10 А |
|
Taiwan Semiconductor |
Сверхбыстрые Диоды |
2 | -55 ... 175 | -55 ... 175 | 200 | 10 | 0.95 | 10 | 70 | 25 | 175 |
|
| UG2D | Ультрабыстрые диоды, 2 А |
|
Taiwan Semiconductor |
Сверхбыстрые Диоды |
1 | -55 ... 150 | -55 ... 150 | 200 | 2 | 0.95 | 5 | 80 | 15 | 150 |
|
| UG06D | Ультрабыстрые диоды, 0.6 А |
|
Taiwan Semiconductor |
Сверхбыстрые Диоды |
1 | -55 ... 150 | -55 ... 150 | 200 | 0.6 | 0.95 | 5 | 40 | 15 | 150 |
|
| UG06C | Ультрабыстрые диоды, 0.6 А |
|
Taiwan Semiconductor |
Сверхбыстрые Диоды |
1 | -55 ... 150 | -55 ... 150 | 150 | 0.6 | 0.95 | 5 | 40 | 15 | 150 |
|
