Компоненты группы Стабилитроны
Название | Описание | Производитель | Группа компонент | Кол-во диодов | PD Вт |
VZ (ном.) В |
IZT мА |
ZZT (макс.) Ом |
IZK мА |
ZZK (макс.) Ом |
VRRM В |
IR (макс.) мкА |
TJ (макс.) °C |
Корпус | |
BZT52B27S | Стабилитрон мощностью 0.2 Вт, допуск 2% | Taiwan Semiconductor |
Стабилитроны |
1 | 0.2 | 27 | 2 | 80 | 0.5 | 282 | 18.9 | 0.045 | 150 |
|
|
BZT52B30S | Стабилитрон мощностью 0.2 Вт, допуск 2% | Taiwan Semiconductor |
Стабилитроны |
1 | 0.2 | 30 | 2 | 80 | 0.5 | 282 | 21 | 0.045 | 150 |
|
|
BZT52B6V2S | Стабилитрон мощностью 0.2 Вт, допуск 2% | Taiwan Semiconductor |
Стабилитроны |
1 | 0.2 | 6.2 | 5 | 10 | 1 | 141 | 4 | 2.7 | 150 |
|
|
BZT52B62S | Стабилитрон мощностью 0.2 Вт, допуск 2% | Taiwan Semiconductor |
Стабилитроны |
1 | 0.2 | 62 | 2 | 215 | 0.5 | 423 | 43.4 | 0.045 | 150 |
|
|
BZT52B13S | Стабилитрон мощностью 0.2 Вт, допуск 2% | Taiwan Semiconductor |
Стабилитроны |
1 | 0.2 | 13 | 5 | 30 | 1 | 160 | 8 | 0.09 | 150 |
|
|
BZT52B3V0S | Стабилитрон мощностью 0.2 Вт, допуск 2% | Taiwan Semiconductor |
Стабилитроны |
1 | 0.2 | 3 | 5 | 100 | 1 | 564 | 1 | 9 | 150 |
|
|
BZT52B33S | Стабилитрон мощностью 0.2 Вт, допуск 2% | Taiwan Semiconductor |
Стабилитроны |
1 | 0.2 | 33 | 2 | 80 | 0.5 | 306 | 23 | 0.045 | 150 |
|
|
BZT52B6V8S | Стабилитрон мощностью 0.2 Вт, допуск 2% | Taiwan Semiconductor |
Стабилитроны |
1 | 0.2 | 6.8 | 5 | 15 | 1 | 75 | 4 | 1.8 | 150 |
|
|
BZT52B68S | Стабилитрон мощностью 0.2 Вт, допуск 2% | Taiwan Semiconductor |
Стабилитроны |
1 | 0.2 | 68 | 2 | 240 | 0.5 | 447 | 47.6 | 0.045 | 150 |
|
|
BZT52B15S | Стабилитрон мощностью 0.2 Вт, допуск 2% | Taiwan Semiconductor |
Стабилитроны |
1 | 0.2 | 15 | 5 | 30 | 1 | 188 | 10.5 | 0.045 | 150 |
|
|
BZT52B3V3S | Стабилитрон мощностью 0.2 Вт, допуск 2% | Taiwan Semiconductor |
Стабилитроны |
1 | 0.2 | 3.3 | 5 | 95 | 1 | 564 | 1 | 4.5 | 150 |
|
|
BZT52B36S | Стабилитрон мощностью 0.2 Вт, допуск 2% | Taiwan Semiconductor |
Стабилитроны |
1 | 0.2 | 36 | 2 | 90 | 0.5 | 329 | 25.2 | 0.045 | 150 |
|
|
BZT52B7V5S | Стабилитрон мощностью 0.2 Вт, допуск 2% | Taiwan Semiconductor |
Стабилитроны |
1 | 0.2 | 7.5 | 5 | 15 | 1 | 75 | 5 | 0.9 | 150 |
|
|
BZT52B75S | Стабилитрон мощностью 0.2 Вт, допуск 2% | Taiwan Semiconductor |
Стабилитроны |
1 | 0.2 | 75 | 2 | 255 | 0.5 | 470 | 52.5 | 0.045 | 150 |
|
|
BZT52B16S | Стабилитрон мощностью 0.2 Вт, допуск 2% | Taiwan Semiconductor |
Стабилитроны |
1 | 0.2 | 16 | 5 | 40 | 1 | 188 | 11.2 | 0.045 | 150 |
|
|
BZT52B3V6S | Стабилитрон мощностью 0.2 Вт, допуск 2% | Taiwan Semiconductor |
Стабилитроны |
1 | 0.2 | 3.6 | 5 | 90 | 1 | 564 | 1 | 4.5 | 150 |
|
|
BZT52B3V9S | Стабилитрон мощностью 0.2 Вт, допуск 2% | Taiwan Semiconductor |
Стабилитроны |
1 | 0.2 | 3.9 | 5 | 90 | 1 | 564 | 1 | 2.7 | 150 |
|
|
BZT52B39S | Стабилитрон мощностью 0.2 Вт, допуск 2% | Taiwan Semiconductor |
Стабилитроны |
1 | 0.2 | 39 | 2 | 130 | 0.5 | 329 | 27.3 | 0.045 | 150 |
|
|
BZT52B8V2S | Стабилитрон мощностью 0.2 Вт, допуск 2% | Taiwan Semiconductor |
Стабилитроны |
1 | 0.2 | 8.2 | 5 | 15 | 1 | 75 | 5 | 0.63 | 150 |
|
|
BZT52B18S | Стабилитрон мощностью 0.2 Вт, допуск 2% | Taiwan Semiconductor |
Стабилитроны |
1 | 0.2 | 18 | 5 | 45 | 1 | 212 | 12.6 | 0.045 | 150 |
|