Компоненты группы Стабилитроны
| Название | Описание | Производитель | Группа компонент | Кол-во диодов | PD Вт |
VZ (ном.) В |
IZT мА |
ZZT (макс.) Ом |
IZK мА |
ZZK (макс.) Ом |
VRRM В |
IR (макс.) мкА |
TJ (макс.) °C |
Корпус | |
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
||
| BZX79C2V7 | Стабилитрон мощностью 0.5 Вт, допуск 5% |
|
Taiwan Semiconductor |
Стабилитроны |
1 | 0.5 | 2.7 | 5 | 100 | 1 | 600 | 1 | 75 | 175 |
|
| BZY55C2V7 | Стабилитрон мощностью 1.3 Вт, допуск 5% |
|
Taiwan Semiconductor |
Стабилитроны |
1 | 0.5 | 2.7 | 5 | 85 | 1 | 600 | 1 | 10 | 150 |
|
| BZS55B2V7 | Стабилитрон мощностью 0.5 Вт, допуск 2% |
|
Taiwan Semiconductor |
Стабилитроны |
1 | 0.5 | 2.7 | 5 | 85 | 1 | 600 | 1 | 10 | 150 |
|
| TSZU52C2V7 | Стабилитрон мощностью 0.15 Вт, корпус SMD |
|
Taiwan Semiconductor |
Стабилитроны |
1 | 0.15 | 2.7 | 5 | 83 | 1 | 500 | 1 | 75 | 125 |
|
| BZV55B2V7 | Стабилитрон мощностью 0.5 Вт, допуск 2% |
|
Taiwan Semiconductor |
Стабилитроны |
1 | 0.5 | 2.7 | 5 | 85 | 1 | 600 | 1 | 10 | 175 |
|
| BZT52B2V7S | Стабилитрон мощностью 0.2 Вт, допуск 2% |
|
Taiwan Semiconductor |
Стабилитроны |
1 | 0.2 | 2.7 | 5 | 100 | 1 | 564 | 1 | 18 | 150 |
|
| MMSZ5223B | Стабилитрон мощностью 0.5 Вт, допуск 5%, корпус SMD |
|
Taiwan Semiconductor |
Стабилитроны |
1 | 0.5 | 2.7 | 20 | 30 | 0.25 | 1300 | 1 | 75 | 150 |
|
| BZS55C2V7 | Стабилитрон мощностью 0.5 Вт, допуск 5% |
|
Taiwan Semiconductor |
Стабилитроны |
1 | 0.5 | 2.7 | 5 | 85 | 1 | 600 | 1 | 10 | 150 |
|
| 1N5223B | Стабилитрон мощностью 0.5 Вт в капсулированном стеклом корпусе |
|
Taiwan Semiconductor |
Стабилитроны |
1 | 0.5 | 2.7 | 20 | 30 | 0.25 | 1300 | 1 | 75 | 200 |
|
| LLZ5224B | Стабилитрон мощностью 0.5 Вт в капсулированном стеклом корпусе |
|
Taiwan Semiconductor |
Стабилитроны |
1 | 0.5 | 2.8 | 20 | 30 | 0.25 | 1400 | 1 | 75 | 200 |
|
| MTZJ2V7B | Стабилитрон мощностью 0.5 Вт в капсулированном стеклом корпусе, допуск 3.9% |
|
Taiwan Semiconductor |
Стабилитроны |
1 | 0.5 | 2.8 | 5 | 110 | 0.5 | 1000 | 1 | 100 | 200 |
|
| MMSZ5224B | Стабилитрон мощностью 0.5 Вт, допуск 5%, корпус SMD |
|
Taiwan Semiconductor |
Стабилитроны |
1 | 0.5 | 2.8 | 20 | 30 | 0.25 | 1400 | 1 | 75 | 150 |
|
| 1N5224B | Стабилитрон мощностью 0.5 Вт в капсулированном стеклом корпусе |
|
Taiwan Semiconductor |
Стабилитроны |
1 | 0.5 | 2.8 | 20 | 30 | 0.25 | 1400 | 1 | 75 | 200 |
|
| MTZJ3V0A | Стабилитрон мощностью 0.5 Вт в капсулированном стеклом корпусе, допуск 3.7% |
|
Taiwan Semiconductor |
Стабилитроны |
1 | 0.5 | 2.96 | 5 | 120 | 0.5 | 1000 | 1 | 50 | 200 |
|
| BZT55C3V0 | Стабилитрон мощностью 0.5 Вт, допуск 5% |
|
Taiwan Semiconductor |
Стабилитроны |
1 | 0.5 | 3 | 5 | 85 | 1 | 600 | 1 | 4 | 175 |
|
| BZT52B3V0 | Стабилитрон мощностью 0.5 Вт, допуск 2% |
|
Taiwan Semiconductor |
Стабилитроны |
1 | 0.5 | 3 | 5 | 100 | 1 | 564 | 1 | 9 | 150 |
|
| BZX79B3V0 | Стабилитрон мощностью 0.5 Вт в корпусе, герметично капсулированном стеклом |
|
Taiwan Semiconductor |
Стабилитроны |
1 | 0.5 | 3 | 5 | 95 | 1 | 600 | 1 | 50 | 200 |
|
| BZX55C3V0 | Стабилитрон мощностью 0.5 Вт в корпусе, герметично капсулированном стеклом |
|
Taiwan Semiconductor |
Стабилитроны |
1 | 0.5 | 3 | 5 | 85 | 1 | 600 | 1 | 4 | 200 |
|
| BZT55B3V0 | Стабилитрон мощностью 0.5 Вт, допуск 2% |
|
Taiwan Semiconductor |
Стабилитроны |
1 | 0.5 | 3 | 5 | 85 | 1 | 600 | 1 | 4 | 175 |
|
| LLZ3V0 | Стабилитрон мощностью 0.5 Вт в капсулированном стеклом корпусе |
|
Taiwan Semiconductor |
Стабилитроны |
1 | 0.5 | 3 | 5 | 120 | - | - | 1 | 50 | 200 |
|
