Компоненты группы Стабилитроны
Название | Описание | Производитель | Группа компонент | Кол-во диодов | PD Вт |
VZ (ном.) В |
IZT мА |
ZZT (макс.) Ом |
IZK мА |
ZZK (макс.) Ом |
VRRM В |
IR (макс.) мкА |
TJ (макс.) °C |
Корпус | |
1N4728G | Стабилитрон мощностью 1 Вт | Taiwan Semiconductor |
Стабилитроны |
1 | 1 | 3.3 | 76 | 10 | 1 | 400 | 1 | 100 | 200 |
|
|
UDZS3V6B | Стабилитрон мощностью 0.2 Вт, корпус SMD | Taiwan Semiconductor |
Стабилитроны |
1 | 0.2 | 3.6 | 5 | 90 | 1 | 600 | 1 | 4.5 | 150 |
|
|
BZT52B3V3 | Стабилитрон мощностью 0.5 Вт, допуск 2% | Taiwan Semiconductor |
Стабилитроны |
1 | 0.5 | 3.3 | 5 | 95 | 1 | 564 | 1 | 4.5 | 150 |
|
|
LLZ5224B | Стабилитрон мощностью 0.5 Вт в капсулированном стеклом корпусе | Taiwan Semiconductor |
Стабилитроны |
1 | 0.5 | 2.8 | 20 | 30 | 0.25 | 1400 | 1 | 75 | 200 |
|
|
MTZJ4V7C | Стабилитрон мощностью 0.5 Вт в капсулированном стеклом корпусе, допуск 2.7% | Taiwan Semiconductor |
Стабилитроны |
1 | 0.5 | 4.81 | 5 | 80 | 1 | 900 | 1 | 5 | 200 |
|
|
BZX79B3V3 | Стабилитрон мощностью 0.5 Вт в корпусе, герметично капсулированном стеклом | Taiwan Semiconductor |
Стабилитроны |
1 | 0.5 | 3.3 | 5 | 95 | 1 | 600 | 1 | 25 | 200 |
|
|
BZT55B5V1 | Стабилитрон мощностью 0.5 Вт, допуск 2% | Taiwan Semiconductor |
Стабилитроны |
1 | 0.5 | 5.1 | 5 | 35 | 1 | 550 | 1 | 0.1 | 175 |
|
|
1N5222B | Стабилитрон мощностью 0.5 Вт в капсулированном стеклом корпусе | Taiwan Semiconductor |
Стабилитроны |
1 | 0.5 | 2.5 | 20 | 30 | 0.25 | 1250 | 1 | 100 | 200 |
|
|
MMSZ5221B | Стабилитрон мощностью 0.5 Вт, допуск 5%, корпус SMD | Taiwan Semiconductor |
Стабилитроны |
1 | 0.5 | 2.4 | 20 | 30 | 0.25 | 1200 | 1 | 100 | 150 |
|
|
BZT55C3V0 | Стабилитрон мощностью 0.5 Вт, допуск 5% | Taiwan Semiconductor |
Стабилитроны |
1 | 0.5 | 3 | 5 | 85 | 1 | 600 | 1 | 4 | 175 |
|
|
LLZ4V7 | Стабилитрон мощностью 0.5 Вт в капсулированном стеклом корпусе | Taiwan Semiconductor |
Стабилитроны |
1 | 0.5 | 4.7 | 5 | 80 | - | - | 1 | 5 | 200 |
|
|
BZX55C4V7 | Стабилитрон мощностью 0.5 Вт в корпусе, герметично капсулированном стеклом | Taiwan Semiconductor |
Стабилитроны |
1 | 0.5 | 4.7 | 5 | 60 | 1 | 600 | 1 | 0.5 | 200 |
|
|
BZT52B3V0 | Стабилитрон мощностью 0.5 Вт, допуск 2% | Taiwan Semiconductor |
Стабилитроны |
1 | 0.5 | 3 | 5 | 100 | 1 | 564 | 1 | 9 | 150 |
|
|
LLZ5223B | Стабилитрон мощностью 0.5 Вт в капсулированном стеклом корпусе | Taiwan Semiconductor |
Стабилитроны |
1 | 0.5 | 2.7 | 20 | 30 | 0.25 | 1300 | 1 | 75 | 200 |
|
|
MTZJ4V7B | Стабилитрон мощностью 0.5 Вт в капсулированном стеклом корпусе, допуск 2.8% | Taiwan Semiconductor |
Стабилитроны |
1 | 0.5 | 4.68 | 5 | 80 | 1 | 900 | 1 | 5 | 200 |
|
|
BZX79B3V0 | Стабилитрон мощностью 0.5 Вт в корпусе, герметично капсулированном стеклом | Taiwan Semiconductor |
Стабилитроны |
1 | 0.5 | 3 | 5 | 95 | 1 | 600 | 1 | 50 | 200 |
|
|
BZT55B4V7 | Стабилитрон мощностью 0.5 Вт, допуск 2% | Taiwan Semiconductor |
Стабилитроны |
1 | 0.5 | 4.7 | 5 | 60 | 1 | 600 | 1 | 0.5 | 175 |
|
|
1N5221B | Стабилитрон мощностью 0.5 Вт в капсулированном стеклом корпусе | Taiwan Semiconductor |
Стабилитроны |
1 | 0.5 | 2.4 | 20 | 30 | 0.25 | 1200 | 1 | 100 | 200 |
|
|
LLZ4V3 | Стабилитрон мощностью 0.5 Вт в капсулированном стеклом корпусе | Taiwan Semiconductor |
Стабилитроны |
1 | 0.5 | 4.3 | 5 | 100 | - | - | 1 | 5 | 200 |
|
|
BZX55C4V3 | Стабилитрон мощностью 0.5 Вт в корпусе, герметично капсулированном стеклом | Taiwan Semiconductor |
Стабилитроны |
1 | 0.5 | 4.3 | 5 | 75 | 1 | 600 | 1 | 1 | 200 |
|