Компоненты группы Стабилитроны
| Название | Описание | Производитель | Группа компонент | Кол-во диодов | PD Вт |
VZ (ном.) В |
IZT мА |
ZZT (макс.) Ом |
IZK мА |
ZZK (макс.) Ом |
VRRM В |
IR (макс.) мкА |
TJ (макс.) °C |
Корпус | |
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
||
| MTZJ3V6B | Стабилитрон мощностью 0.5 Вт в капсулированном стеклом корпусе, допуск 3.3% |
|
Taiwan Semiconductor |
Стабилитроны |
1 | 0.5 | 3.723 | 5 | 100 | 1 | 1000 | 1 | 10 | 200 |
|
| BZT55B2V4 | Стабилитрон мощностью 0.5 Вт, допуск 2% |
|
Taiwan Semiconductor |
Стабилитроны |
1 | 0.5 | 2.4 | 5 | 85 | 1 | 600 | 1 | 50 | 175 |
|
| BZX55B4V7 | Стабилитрон мощностью 0.5 Вт, допуск 2%, корпус SMD |
|
Taiwan Semiconductor |
Стабилитроны |
1 | 0.5 | 4.7 | 5 | 60 | 1 | 600 | 1 | 0.5 | 200 |
|
| LLZ2V4 | Стабилитрон мощностью 0.5 Вт в капсулированном стеклом корпусе |
|
Taiwan Semiconductor |
Стабилитроны |
1 | 0.5 | 2.4 | 5 | 100 | - | - | 1 | 120 | 200 |
|
| BZX55C2V4 | Стабилитрон мощностью 0.5 Вт в корпусе, герметично капсулированном стеклом |
|
Taiwan Semiconductor |
Стабилитроны |
1 | 0.5 | 2.4 | 5 | 85 | 1 | 600 | 1 | 50 | 200 |
|
| BZT52C3V9S | Стабилитрон мощностью 0.2 Вт, допуск 5% |
|
Taiwan Semiconductor |
Стабилитроны |
1 | 0.2 | 3.9 | 5 | 90 | 1 | 564 | 1 | 2.7 | 150 |
|
| MTZJ3V6A | Стабилитрон мощностью 0.5 Вт в капсулированном стеклом корпусе, допуск 3.6% |
|
Taiwan Semiconductor |
Стабилитроны |
1 | 0.5 | 3.575 | 5 | 100 | 1 | 1000 | 1 | 10 | 200 |
|
| BZX55B4V3 | Стабилитрон мощностью 0.5 Вт, допуск 2%, корпус SMD |
|
Taiwan Semiconductor |
Стабилитроны |
1 | 0.5 | 4.3 | 5 | 75 | 1 | 600 | 1 | 1 | 200 |
|
| BZX55C2V2 | Стабилитрон мощностью 0.5 Вт в корпусе, герметично капсулированном стеклом |
|
Taiwan Semiconductor |
Стабилитроны |
1 | 0.5 | 2.2 | 5 | 100 | 1 | 600 | 1 | 100 | 200 |
|
| BZT52C3V6S | Стабилитрон мощностью 0.2 Вт, допуск 5% |
|
Taiwan Semiconductor |
Стабилитроны |
1 | 0.2 | 3.6 | 5 | 90 | 1 | 564 | 1 | 4.5 | 150 |
|
| MTZJ3V3B | Стабилитрон мощностью 0.5 Вт в капсулированном стеклом корпусе, допуск 3.1% |
|
Taiwan Semiconductor |
Стабилитроны |
1 | 0.5 | 3.425 | 5 | 120 | 0.5 | 1000 | 1 | 20 | 200 |
|
| BZX55B3V9 | Стабилитрон мощностью 0.5 Вт, допуск 2%, корпус SMD |
|
Taiwan Semiconductor |
Стабилитроны |
1 | 0.5 | 3.9 | 5 | 85 | 1 | 600 | 1 | 2 | 200 |
|
| BZX55C2V0 | Стабилитрон мощностью 0.5 Вт в корпусе, герметично капсулированном стеклом |
|
Taiwan Semiconductor |
Стабилитроны |
1 | 0.5 | 2 | 5 | 100 | 1 | 600 | 1 | 100 | 200 |
|
| BZT52C3V3S | Стабилитрон мощностью 0.2 Вт, допуск 5% |
|
Taiwan Semiconductor |
Стабилитроны |
1 | 0.2 | 3.3 | 5 | 95 | 1 | 564 | 1 | 4.5 | 150 |
|
| MTZJ3V3A | Стабилитрон мощностью 0.5 Вт в капсулированном стеклом корпусе, допуск 3.4% |
|
Taiwan Semiconductor |
Стабилитроны |
1 | 0.5 | 3.27 | 5 | 120 | 0.5 | 1000 | 1 | 20 | 200 |
|
| TSZL52C5V6 | Стабилитрон мощностью 0.2 Вт, корпус SMD |
|
Taiwan Semiconductor |
Стабилитроны |
1 | 0.2 | 5.6 | 5 | 40 | 1 | 400 | 1 | 0.1 | 125 |
|
| BZX55B3V6 | Стабилитрон мощностью 0.5 Вт, допуск 2%, корпус SMD |
|
Taiwan Semiconductor |
Стабилитроны |
1 | 0.5 | 3.6 | 5 | 85 | 1 | 600 | 1 | 2 | 200 |
|
| BZT52C4V7K | Стабилитрон мощностью 0.2 Вт |
|
Taiwan Semiconductor |
Стабилитроны |
1 | 0.2 | 4.7 | 5 | 80 | 1 | 800 | 1 | 2 | 150 |
|
| BZT52C3V0S | Стабилитрон мощностью 0.2 Вт, допуск 5% |
|
Taiwan Semiconductor |
Стабилитроны |
1 | 0.2 | 3 | 5 | 100 | 1 | 564 | 1 | 9 | 150 |
|
| MTZJ3V0B | Стабилитрон мощностью 0.5 Вт в капсулированном стеклом корпусе, допуск 3.4% |
|
Taiwan Semiconductor |
Стабилитроны |
1 | 0.5 | 3.115 | 5 | 120 | 0.5 | 1000 | 1 | 50 | 200 |
|
