Компоненты группы Защитные Диоды (TVS)
| Название | Описание | Производитель | Группа компонент | Кол-во диодов | Тип | PPK Вт |
Напряжение пробоя | VRWM В |
IR (макс.) мкА |
IPP А |
VCL (макс.) В |
IFSM (макс.) А |
TJ (макс.) °C |
Корпус | ||
| VBR(мин.) В |
VBR (макс.) В |
|||||||||||||||
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
||
| SMAJ9.0A | Защитный диод (TVS), класс мощности 400 Вт, корпус для поверхностного монтажа |
|
Taiwan Semiconductor |
Защитные Диоды (TVS) |
1 | Однонаправленный | 400 | 10 | 11.1 | 9 | 5 | 26 | 15.4 | 40 | 150 |
|
| P4SMA75C | Защитный диод (TVS), класс мощности 400 Вт, корпус для поверхностного монтажа |
|
Taiwan Semiconductor |
Защитные Диоды (TVS) |
1 | Двунаправленный | 400 | 67.5 | 82.5 | 60.7 | 1 | 3.8 | 108 | 40 | 150 |
|
| P4KE10C | Защитный диод (TVS), класс мощности 400 Вт |
|
Taiwan Semiconductor |
Защитные Диоды (TVS) |
1 | Двунаправленный | 400 | 9 | 11 | 8.1 | 10 | 28 | 15 | 40 | 175 |
|
| SMAJ58A | Защитный диод (TVS), класс мощности 400 Вт, корпус для поверхностного монтажа |
|
Taiwan Semiconductor |
Защитные Диоды (TVS) |
1 | Однонаправленный | 400 | 64.4 | 71.2 | 58 | 1 | 4.3 | 93.6 | 40 | 150 |
|
| P4KE100C | Защитный диод (TVS), класс мощности 400 Вт |
|
Taiwan Semiconductor |
Защитные Диоды (TVS) |
1 | Двунаправленный | 400 | 90 | 110 | 81 | 1 | 2.9 | 144 | 40 | 175 |
|
| P4SMA16C | Защитный диод (TVS), класс мощности 400 Вт, корпус для поверхностного монтажа |
|
Taiwan Semiconductor |
Защитные Диоды (TVS) |
1 | Двунаправленный | 400 | 14.4 | 17.6 | 12.9 | 1 | 17.8 | 23.5 | 40 | 150 |
|
| SMAJ17A | Защитный диод (TVS), класс мощности 400 Вт, корпус для поверхностного монтажа |
|
Taiwan Semiconductor |
Защитные Диоды (TVS) |
1 | Однонаправленный | 400 | 18.9 | 20.9 | 17 | 1 | 14.5 | 27.6 | 40 | 150 |
|
| P4SMA160C | Защитный диод (TVS), класс мощности 400 Вт, корпус для поверхностного монтажа |
|
Taiwan Semiconductor |
Защитные Диоды (TVS) |
1 | Двунаправленный | 400 | 144 | 176 | 130 | 1 | 1.8 | 230 | 40 | 150 |
|
| P4KE22C | Защитный диод (TVS), класс мощности 400 Вт |
|
Taiwan Semiconductor |
Защитные Диоды (TVS) |
1 | Двунаправленный | 400 | 19.8 | 24.2 | 17.8 | 1 | 13 | 31.9 | 40 | 175 |
|
| VCAN26A2-03G | Двухрядные двунаправленные симметричные (BiSy) диоды с низкой ёмкостью перехода для защиты от статических разрядов |
|
Vishay |
Защитные Диоды (TVS) |
4 | Двунаправленные | 150 | 28 | 32 | 26.5 | 0.05 | 3 | 40 | - | 150 |
SOT-323 |
| VLIN26A1-03G | Однорядные двунаправленные симметричные (BiSy) диоды с низкой ёмкостью перехода для защиты от статических разрядов |
|
Vishay |
Защитные Диоды (TVS) |
2 | Двунаправленные | 150 | 28 | 32 | 26.5 | 0.05 | 3 | 40 | - | 150 |
SOT-323 |
| ESD102-U4-05L | Однонаправленные диоды со сверхмалой паразитной емкостью для защиты от статических разрядов и переходных процессов |
|
Infineon Technologies |
Защитные Диоды (TVS) |
4 | Однонаправленный | - | 6.2 | - | 3.3 | 0.05 | 3.5 | 5.6 | - | 125 |
|
| ESD102-U2-099EL | 2-канальные однонаправленные диоды со сверхмалой паразитной емкостью для защиты от статических разрядов и переходных процессов |
|
Infineon Technologies |
Защитные Диоды (TVS) |
2 | Однонаправленный | - | 6.5 | - | 3.3 | 0.05 | 3 | 8 | - | 125 |
|
| ESD102-U1-02ELS | Однонаправленные диоды со сверхмалой паразитной емкостью для защиты от статических разрядов и переходных процессов |
|
Infineon Technologies |
Защитные Диоды (TVS) |
1 | Однонаправленный | - | 6.5 | - | 3.3 | 0.05 | 3 | 8 | - | 125 |
|
