Компоненты группы Выпрямительные диоды
Название | Описание | Производитель | Группа компонент | Кол-во диодов | VRRM В |
VRMS В |
IF(RMS) (макс.) А |
IF(AV) А |
При TC °C |
I2t А2с |
VF (макс.) В |
IR (макс.) мкА |
IFSM (макс.) А |
TJ (макс.) °C |
Корпус | |
DLA60I1200HA | Выпрямительный диод, 1200 В, 60 А | IXYS |
Выпрямительные диоды |
1 | 1200 | 1300 | 70 | 60 | 150 | 3620 | 1.1 | 20 | 850 | 175 |
|
|
DMA30E1800HA | Выпрямительный диод, 1800 В, 30 А | IXYS |
Выпрямительные диоды |
1 | 1800 | 1900 | 70 | 30 | 140 | 685 | 1.27 | 40 | 370 | 175 |
|
|
STTH100W04CW | Сверхбыстрые, высоковольтные диоды | STMicroelectronics |
Выпрямительные диоды |
2 | 400 | - | 75 | 50 | 120 | - | 1.45 | 25 | 350 | 175 |
|
|
DSP45-12A | Сдвоенный выпрямительный диод, конфигурация Phase-leg, 1200 В, 2х45 А | IXYS |
Выпрямительные диоды |
2 | 1200 | 1300 | 70 | 45 | 130 | 1152 | 1.28 | 20 | 480 | 175 |
|
|
STTH50W06SW | Сверхбыстрые, высоковольтные диоды | STMicroelectronics |
Выпрямительные диоды |
1 | 600 | - | 75 | 50 | 100 | - | 2.4 | 50 | 390 | 175 |
|
|
DSI45-12A | Выпрямительный диод, 1200 В, 45 А | IXYS |
Выпрямительные диоды |
1 | 1200 | 1300 | 70 | 45 | 130 | 1152 | 1.28 | 20 | 480 | 175 |
|
|
VT3045BP-M3 | Выпрямительные диоды с барьером Шоттки, изготовленные по вертикальной технологии TMBS® (Trench MOS Barrier Schottky) | Vishay |
Выпрямительные диоды |
1 | 45 | - | - | 30 | - | - | 0.6 | - | 200 | 200 |
|
|
GPA1605 | Выпрямительный диод 600 В, 16 А | Taiwan Semiconductor |
Выпрямительные диоды |
1 | 600 | 420 | - | 16 | 25 | - | 1.1 | 10 | 250 | 150 |
|
|
GPA806 | Выпрямительный диод 800 В, 8 А | Taiwan Semiconductor |
Выпрямительные диоды |
1 | 800 | 560 | - | 8 | 25 | - | 1.1 | 5 | 150 | 150 |
|
|
GPA807 | Выпрямительный диод 1000 В, 8 А | Taiwan Semiconductor |
Выпрямительные диоды |
1 | 1000 | 700 | - | 8 | 25 | - | 1.1 | 5 | 150 | 150 |
|
|
DSI30-12A | Выпрямительный диод, 1200 В, 30 А | IXYS |
Выпрямительные диоды |
1 | 1200 | 1300 | - | 30 | 95 | 450 | 1.45 | 1000 | 300 | 150 |
|
|
GPA1606 | Выпрямительный диод 800 В, 16 А | Taiwan Semiconductor |
Выпрямительные диоды |
1 | 800 | 560 | - | 16 | 25 | - | 1.1 | 10 | 250 | 150 |
|
|
GPA1607 | Выпрямительный диод 1000 В, 16 А | Taiwan Semiconductor |
Выпрямительные диоды |
1 | 1000 | 700 | - | 16 | 25 | - | 1.1 | 10 | 250 | 150 |
|
|
VT1045BP-M3 | Выпрямительные диоды с барьером Шоттки, изготовленные по вертикальной технологии TMBS® (Trench MOS Barrier Schottky) | Vishay |
Выпрямительные диоды |
1 | 45 | - | - | - | - | - | 0.68 | - | 100 | 150 |
|
|
DSI30-14A | Выпрямительный диод, 1400 В, 30 А | IXYS |
Выпрямительные диоды |
1 | 1400 | 1500 | - | 30 | 95 | 450 | 1.45 | 1000 | 300 | 150 |
|
|
VT4045BP-M3 | Выпрямительные диоды с барьером Шоттки, изготовленные по вертикальной технологии TMBS® (Trench MOS Barrier Schottky) | Vishay |
Выпрямительные диоды |
1 | 45 | - | - | 40 | - | - | 0.63 | - | 240 | 200 |
|
|
GPA801 | Выпрямительный диод 50 В, 8 А | Taiwan Semiconductor |
Выпрямительные диоды |
1 | 50 | 35 | - | 8 | 25 | - | 1.1 | 5 | 150 | 150 |
|
|
VBT1045BP-E3 | Выпрямительные диоды с барьером Шоттки, изготовленные по вертикальной технологии TMBS® (Trench MOS Barrier Schottky) | Vishay |
Выпрямительные диоды |
1 | 45 | - | - | - | - | - | 0.64 | - | 100 | 150 |
|
|
GPA1601 | Выпрямительный диод 50 В, 16 А | Taiwan Semiconductor |
Выпрямительные диоды |
1 | 50 | 35 | - | 16 | 25 | - | 1.1 | 10 | 250 | 150 |
|
|
GPA802 | Выпрямительный диод 100 В, 8 А | Taiwan Semiconductor |
Выпрямительные диоды |
1 | 100 | 70 | - | 8 | 25 | - | 1.1 | 5 | 150 | 150 |
|