Компоненты группы Выпрямительные диоды
| Название | Описание | Производитель | Группа компонент | Кол-во диодов | VRRM В |
VRMS В |
IF(RMS) (макс.) А |
IF(AV) А |
При TC °C |
I2t А2с |
VF (макс.) В |
IR (макс.) мкА |
IFSM (макс.) А |
TJ (макс.) °C |
Корпус | |
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
||
| S2A | Выпрямительный диод в корпусе для поверхностного монтажа 50 В, 2 А |
|
Taiwan Semiconductor |
Выпрямительные диоды |
1 | 50 | 35 | - | 2 | 25 | - | 1.15 | 1 | 50 | 150 |
|
| GP1006 | Выпрямительный диод 800 В, 10 А |
|
Taiwan Semiconductor |
Выпрямительные диоды |
1 | 800 | 560 | - | 10 | 25 | - | 1.1 | 5 | 125 | 150 |
TO-220AB |
| S5G | Выпрямительный диод в корпусе для поверхностного монтажа 400 В, 5 А |
|
Taiwan Semiconductor |
Выпрямительные диоды |
1 | 400 | 280 | - | 5 | 25 | - | 1.15 | 10 | 100 | 150 |
|
| 1N4002 | Выпрямительный диод 100 В, 1 А |
|
Taiwan Semiconductor |
Выпрямительные диоды |
1 | 100 | 70 | - | 1 | 25 | 3 | 1 | 5 | 30 | 150 |
|
| LL4003G | Выпрямительный диод 200 В, 1 А |
|
Taiwan Semiconductor |
Выпрямительные диоды |
1 | 200 | 140 | - | 1 | 75 | - | 1.1 | 5 | 30 | 150 |
|
| VBT1045BP-E3 | Выпрямительные диоды с барьером Шоттки, изготовленные по вертикальной технологии TMBS® (Trench MOS Barrier Schottky) |
|
Vishay |
Выпрямительные диоды |
1 | 45 | - | - | - | - | - | 0.64 | - | 100 | 150 |
|
| 1N5407 | Кремниевый выпрямительный диод 800 В, 3 А |
|
Taiwan Semiconductor |
Выпрямительные диоды |
1 | 800 | 560 | - | 3 | 25 | 166 | 1 | 5 | 200 | 150 |
|
| S2MA | Выпрямительный диод в корпусе для поверхностного монтажа 1000 В, 1.5 А |
|
Taiwan Semiconductor |
Выпрямительные диоды |
1 | 1000 | 700 | - | 1.5 | 25 | - | 1.1 | 5 | 50 | 150 |
|
| S5D | Выпрямительный диод в корпусе для поверхностного монтажа 200 В, 5 А |
|
Taiwan Semiconductor |
Выпрямительные диоды |
1 | 200 | 140 | - | 5 | 25 | - | 1.15 | 10 | 100 | 150 |
|
| 1N4001 | Выпрямительный диод 50 В, 1 А |
|
Taiwan Semiconductor |
Выпрямительные диоды |
1 | 50 | 35 | - | 1 | 25 | 3 | 1 | 5 | 30 | 150 |
|
| LL4002G | Выпрямительный диод 100 В, 1 А |
|
Taiwan Semiconductor |
Выпрямительные диоды |
1 | 100 | 70 | - | 1 | 75 | - | 1.1 | 5 | 30 | 150 |
|
| VT1045BP-M3 | Выпрямительные диоды с барьером Шоттки, изготовленные по вертикальной технологии TMBS® (Trench MOS Barrier Schottky) |
|
Vishay |
Выпрямительные диоды |
1 | 45 | - | - | - | - | - | 0.68 | - | 100 | 150 |
|
| 1N5406 | Кремниевый выпрямительный диод 600 В, 3 А |
|
Taiwan Semiconductor |
Выпрямительные диоды |
1 | 600 | 420 | - | 3 | 25 | 166 | 1 | 5 | 200 | 150 |
|
| S2KA | Выпрямительный диод в корпусе для поверхностного монтажа 800 В, 1.5 А |
|
Taiwan Semiconductor |
Выпрямительные диоды |
1 | 800 | 560 | - | 1.5 | 25 | - | 1.1 | 5 | 50 | 150 |
|
| GP1005 | Выпрямительный диод 600 В, 10 А |
|
Taiwan Semiconductor |
Выпрямительные диоды |
1 | 600 | 420 | - | 10 | 25 | - | 1.1 | 5 | 125 | 150 |
TO-220AB |
| S5B | Выпрямительный диод в корпусе для поверхностного монтажа 100 В, 5 А |
|
Taiwan Semiconductor |
Выпрямительные диоды |
1 | 100 | 70 | - | 5 | 25 | - | 1.15 | 10 | 100 | 150 |
|
| STTH200W06TV1 | Сверхбыстрые, сдвоенные, высоковольтные диоды |
|
STMicroelectronics |
Выпрямительные диоды |
2 | 600 | - | 145 | 100 | 105 | - | 1.5 | 30 | 800 | 150 |
|
| LL4001G | Выпрямительный диод 50 В, 1 А |
|
Taiwan Semiconductor |
Выпрямительные диоды |
1 | 50 | 35 | - | 1 | 75 | - | 1.1 | 5 | 30 | 150 |
|
| 1N5404 | Кремниевый выпрямительный диод 400 В, 3 А |
|
Taiwan Semiconductor |
Выпрямительные диоды |
1 | 400 | 280 | - | 3 | 25 | 166 | 1 | 5 | 200 | 150 |
|
| S2JA | Выпрямительный диод в корпусе для поверхностного монтажа 600 В, 1.5 А |
|
Taiwan Semiconductor |
Выпрямительные диоды |
1 | 600 | 420 | - | 1.5 | 25 | - | 1.1 | 5 | 50 | 150 |
|
