Компоненты группы Выпрямительные диоды
Название | Описание | Производитель | Группа компонент | Кол-во диодов | VRRM В |
VRMS В |
IF(RMS) (макс.) А |
IF(AV) А |
При TC °C |
I2t А2с |
VF (макс.) В |
IR (макс.) мкА |
IFSM (макс.) А |
TJ (макс.) °C |
Корпус | |
6A60 | Кремниевый выпрямительный диод 600 В, 6 А | Taiwan Semiconductor |
Выпрямительные диоды |
1 | 600 | 420 | - | 6 | 60 | - | 0.95 | 10 | 250 | 150 |
|
|
6A40 | Кремниевый выпрямительный диод 400 В, 6 А | Taiwan Semiconductor |
Выпрямительные диоды |
1 | 400 | 280 | - | 6 | 60 | - | 0.95 | 10 | 250 | 150 |
|
|
6A20 | Кремниевый выпрямительный диод 200 В, 6 А | Taiwan Semiconductor |
Выпрямительные диоды |
1 | 200 | 140 | - | 6 | 60 | - | 0.95 | 10 | 250 | 150 |
|
|
6A10 | Кремниевый выпрямительный диод 100 В, 6 А | Taiwan Semiconductor |
Выпрямительные диоды |
1 | 100 | 70 | - | 6 | 60 | - | 0.95 | 10 | 250 | 150 |
|
|
6A05 | Кремниевый выпрямительный диод 50 В, 6 А | Taiwan Semiconductor |
Выпрямительные диоды |
1 | 50 | 35 | - | 6 | 60 | - | 0.95 | 10 | 250 | 150 |
|
|
GPA1607 | Выпрямительный диод 1000 В, 16 А | Taiwan Semiconductor |
Выпрямительные диоды |
1 | 1000 | 700 | - | 16 | 25 | - | 1.1 | 10 | 250 | 150 |
|
|
GPA1606 | Выпрямительный диод 800 В, 16 А | Taiwan Semiconductor |
Выпрямительные диоды |
1 | 800 | 560 | - | 16 | 25 | - | 1.1 | 10 | 250 | 150 |
|
|
VFT4045BP-M3 | Выпрямительные диоды с барьером Шоттки, изготовленные по вертикальной технологии TMBS® (Trench MOS Barrier Schottky) | Vishay |
Выпрямительные диоды |
1 | 45 | - | - | 40 | - | - | 0.63 | - | 240 | 200 |
|
|
VBT4045BP-E3 | Выпрямительные диоды с барьером Шоттки, изготовленные по вертикальной технологии TMBS® (Trench MOS Barrier Schottky) | Vishay |
Выпрямительные диоды |
1 | 45 | - | - | 40 | - | - | 0.63 | - | 240 | 200 |
|
|
VT4045BP-M3 | Выпрямительные диоды с барьером Шоттки, изготовленные по вертикальной технологии TMBS® (Trench MOS Barrier Schottky) | Vishay |
Выпрямительные диоды |
1 | 45 | - | - | 40 | - | - | 0.63 | - | 240 | 200 |
|
|
DSI30-12AC | Выпрямительный диод, 1200 В, 30 А | IXYS |
Выпрямительные диоды |
1 | 1200 | 1300 | 60 | 30 | 95 | 200 | 1.45 | 1500 | 200 | 150 |
|
|
DSI30-08AC | Выпрямительный диод, 800 В, 30 А | IXYS |
Выпрямительные диоды |
1 | 800 | 900 | 60 | 30 | 95 | 200 | 1.45 | 1500 | 200 | 150 |
|
|
VFT3045BP-M3 | Выпрямительные диоды с барьером Шоттки, изготовленные по вертикальной технологии TMBS® (Trench MOS Barrier Schottky) | Vishay |
Выпрямительные диоды |
1 | 45 | - | - | 30 | - | - | 0.6 | - | 200 | 200 |
|
|
VBT3045BP-E3 | Выпрямительные диоды с барьером Шоттки, изготовленные по вертикальной технологии TMBS® (Trench MOS Barrier Schottky) | Vishay |
Выпрямительные диоды |
1 | 45 | - | - | 30 | - | - | 0.6 | - | 200 | 200 |
|
|
VT3045BP-M3 | Выпрямительные диоды с барьером Шоттки, изготовленные по вертикальной технологии TMBS® (Trench MOS Barrier Schottky) | Vishay |
Выпрямительные диоды |
1 | 45 | - | - | 30 | - | - | 0.6 | - | 200 | 200 |
|
|
1N5408 | Кремниевый выпрямительный диод 1000 В, 3 А | Taiwan Semiconductor |
Выпрямительные диоды |
1 | 1000 | 700 | - | 3 | 25 | 166 | 1 | 5 | 200 | 150 |
|
|
1N5407 | Кремниевый выпрямительный диод 800 В, 3 А | Taiwan Semiconductor |
Выпрямительные диоды |
1 | 800 | 560 | - | 3 | 25 | 166 | 1 | 5 | 200 | 150 |
|
|
1N5406 | Кремниевый выпрямительный диод 600 В, 3 А | Taiwan Semiconductor |
Выпрямительные диоды |
1 | 600 | 420 | - | 3 | 25 | 166 | 1 | 5 | 200 | 150 |
|
|
1N5404 | Кремниевый выпрямительный диод 400 В, 3 А | Taiwan Semiconductor |
Выпрямительные диоды |
1 | 400 | 280 | - | 3 | 25 | 166 | 1 | 5 | 200 | 150 |
|
|
1N5402 | Кремниевый выпрямительный диод 200 В, 3 А | Taiwan Semiconductor |
Выпрямительные диоды |
1 | 200 | 140 | - | 3 | 25 | 166 | 1 | 5 | 200 | 150 |
|