Компоненты группы Диоды
Важно!Имейте в виду, что при выборе Группы компонентов вам будет доступно больше параметров для поиска |
Название | Описание | Производитель | Группа компонент | Кол-во диодов | VRRM В |
IF(AV) А |
VF (макс.) В |
IR (макс.) мкА |
IFSM (макс.) А |
trr нс |
TJ (макс.) °C |
Корпус | |
BZX79B62 | Стабилитрон мощностью 0.5 Вт в корпусе, герметично капсулированном стеклом | Taiwan Semiconductor |
Стабилитроны |
1 | 43.4 | - | - | 0.05 | - | - | 200 |
|
|
1N5253B | Стабилитрон мощностью 0.5 Вт в капсулированном стеклом корпусе | Taiwan Semiconductor |
Стабилитроны |
1 | 19 | - | - | 0.1 | - | - | 200 |
|
|
LLZ4V7 | Стабилитрон мощностью 0.5 Вт в капсулированном стеклом корпусе | Taiwan Semiconductor |
Стабилитроны |
1 | 1 | - | - | 5 | - | - | 200 |
|
|
BZX85C33 | Стабилитрон мощностью 1.3 Вт, допуск 5% | Taiwan Semiconductor |
Стабилитроны |
1 | 24 | - | - | 0.5 | - | - | 200 |
|
|
MTZJ18A | Стабилитрон мощностью 0.5 Вт в капсулированном стеклом корпусе, допуск 2.5% | Taiwan Semiconductor |
Стабилитроны |
1 | 13 | - | - | 0.2 | - | - | 200 |
|
|
LLZ5222B | Стабилитрон мощностью 0.5 Вт в капсулированном стеклом корпусе | Taiwan Semiconductor |
Стабилитроны |
1 | 1 | - | - | 100 | - | - | 200 |
|
|
BZV79C13 | Стабилитрон мощностью 0.5 Вт, корпус SMD | Taiwan Semiconductor |
Стабилитроны |
1 | 8 | - | - | 0.1 | - | - | 200 |
|
|
MTZJ39A | Стабилитрон мощностью 0.5 Вт в капсулированном стеклом корпусе, допуск 2.5% | Taiwan Semiconductor |
Стабилитроны |
1 | 30 | - | - | 0.2 | - | - | 200 |
|
|
BZX79B2V7 | Стабилитрон мощностью 0.5 Вт в корпусе, герметично капсулированном стеклом | Taiwan Semiconductor |
Стабилитроны |
1 | 1 | - | - | 75 | - | - | 200 |
|
|
1N4758G | Стабилитрон мощностью 1 Вт | Taiwan Semiconductor |
Стабилитроны |
1 | 42.6 | - | - | 5 | - | - | 200 |
|
|
LLZ5254B | Стабилитрон мощностью 0.5 Вт в капсулированном стеклом корпусе | Taiwan Semiconductor |
Стабилитроны |
1 | 21 | - | - | 0.1 | - | - | 200 |
|
|
MTZJ6V2B | Стабилитрон мощностью 0.5 Вт в капсулированном стеклом корпусе, допуск 2.6% | Taiwan Semiconductor |
Стабилитроны |
1 | 3 | - | - | 5 | - | - | 200 |
|
|
BZX55B8V2 | Стабилитрон мощностью 0.5 Вт, допуск 2%, корпус SMD | Taiwan Semiconductor |
Стабилитроны |
1 | 6.2 | - | - | 0.1 | - | - | 200 |
|
|
BZX79B56 | Стабилитрон мощностью 0.5 Вт в корпусе, герметично капсулированном стеклом | Taiwan Semiconductor |
Стабилитроны |
1 | 39.2 | - | - | 0.05 | - | - | 200 |
|
|
1N5252B | Стабилитрон мощностью 0.5 Вт в капсулированном стеклом корпусе | Taiwan Semiconductor |
Стабилитроны |
1 | 18 | - | - | 0.1 | - | - | 200 |
|
|
LLZ4V3 | Стабилитрон мощностью 0.5 Вт в капсулированном стеклом корпусе | Taiwan Semiconductor |
Стабилитроны |
1 | 1 | - | - | 5 | - | - | 200 |
|
|
BZX85C30 | Стабилитрон мощностью 1.3 Вт, допуск 5% | Taiwan Semiconductor |
Стабилитроны |
1 | 22 | - | - | 0.5 | - | - | 200 |
|
|
MTZJ16C | Стабилитрон мощностью 0.5 Вт в капсулированном стеклом корпусе, допуск 2.5% | Taiwan Semiconductor |
Стабилитроны |
1 | 12 | - | - | 0.2 | - | - | 200 |
|
|
BZX55C4V3 | Стабилитрон мощностью 0.5 Вт в корпусе, герметично капсулированном стеклом | Taiwan Semiconductor |
Стабилитроны |
1 | 1 | - | - | 1 | - | - | 200 |
|
|
VFT4045BP-M3 | Выпрямительные диоды с барьером Шоттки, изготовленные по вертикальной технологии TMBS® (Trench MOS Barrier Schottky) | Vishay |
Выпрямительные диоды |
1 | 45 | 40 | 0.63 | - | 240 | - | 200 |
|