Компоненты группы Диоды
Важно!Имейте в виду, что при выборе Группы компонентов вам будет доступно больше параметров для поиска |
Название | Описание | Производитель | Группа компонент | Кол-во диодов | VRRM В |
IF(AV) А |
VF (макс.) В |
IR (макс.) мкА |
IFSM (макс.) А |
trr нс |
TJ (макс.) °C |
Корпус | |
NSR15TW1 | Тройной ограничительный диод Шоттки 15В, 30мА | ON Semiconductor |
Диоды Шоттки |
3 | 15 | 0.03 | 0.68 | 0.05 | - | - | 150 |
|
|
BAT54VV | Тройной ограничительный диод Шоттки в ультра малом корпусе SOT-666 | NXP |
Диоды Шоттки |
3 | 30 | 0.2 | 0.8 | 2 | 0.6 | - | 125 |
|
|
ESH1C | Ультрабыстрые диоды в корпусе для поверхностного монтажа, 1 А | Taiwan Semiconductor |
Сверхбыстрые Диоды |
1 | 150 | 1 | 0.95 | 1 | 30 | 15 | 175 |
|
|
ESH1D | Ультрабыстрые диоды в корпусе для поверхностного монтажа, 1 А | Taiwan Semiconductor |
Сверхбыстрые Диоды |
1 | 200 | 1 | 0.95 | 1 | 30 | 15 | 175 |
|
|
ESH2BA | Ультрабыстрые диоды в корпусе для поверхностного монтажа, 1 А | Taiwan Semiconductor |
Сверхбыстрые Диоды |
1 | 100 | 1 | 0.9 | 1 | 50 | 25 | 175 |
|
|
ESH2CA | Ультрабыстрые диоды в корпусе для поверхностного монтажа, 1 А | Taiwan Semiconductor |
Сверхбыстрые Диоды |
1 | 150 | 1 | 0.9 | 1 | 50 | 25 | 175 |
|
|
ESH2DA | Ультрабыстрые диоды в корпусе для поверхностного монтажа, 1 А | Taiwan Semiconductor |
Сверхбыстрые Диоды |
1 | 200 | 1 | 0.9 | 1 | 50 | 25 | 175 |
|
|
ESH1B | Ультрабыстрые диоды в корпусе для поверхностного монтажа, 1 А | Taiwan Semiconductor |
Сверхбыстрые Диоды |
1 | 100 | 1 | 0.95 | 1 | 30 | 15 | 175 |
|
|
ESH2B | Ультрабыстрые диоды в корпусе для поверхностного монтажа, 2 А | Taiwan Semiconductor |
Сверхбыстрые Диоды |
1 | 100 | 2 | 0.93 | 2 | 60 | 25 | 175 |
|
|
ESH2C | Ультрабыстрые диоды в корпусе для поверхностного монтажа, 2 А | Taiwan Semiconductor |
Сверхбыстрые Диоды |
1 | 150 | 2 | 0.93 | 2 | 60 | 25 | 175 |
|
|
ESH2D | Ультрабыстрые диоды в корпусе для поверхностного монтажа, 2 А | Taiwan Semiconductor |
Сверхбыстрые Диоды |
1 | 200 | 2 | 0.93 | 2 | 60 | 25 | 175 |
|
|
ESH3B | Ультрабыстрые диоды в корпусе для поверхностного монтажа, 3 А | Taiwan Semiconductor |
Сверхбыстрые Диоды |
1 | 100 | 3 | 0.9 | 5 | 125 | 25 | 175 |
|
|
ESH3C | Ультрабыстрые диоды в корпусе для поверхностного монтажа, 3 А | Taiwan Semiconductor |
Сверхбыстрые Диоды |
1 | 150 | 3 | 0.9 | 5 | 125 | 25 | 175 |
|
|
ESH3D | Ультрабыстрые диоды в корпусе для поверхностного монтажа, 3 А | Taiwan Semiconductor |
Сверхбыстрые Диоды |
1 | 200 | 3 | 0.9 | 5 | 125 | 25 | 175 |
|
|
UGS5J | Ультрабыстрые диоды в корпусе для поверхностного монтажа, 5 А | Taiwan Semiconductor |
Сверхбыстрые Диоды |
1 | 600 | 5 | 2 | 20 | 65 | 20 | 150 |
D2-PAK |
|
UG06A | Ультрабыстрые диоды, 0.6 А | Taiwan Semiconductor |
Сверхбыстрые Диоды |
1 | 50 | 0.6 | 0.95 | 5 | 40 | 15 | 150 |
|
|
UG06B | Ультрабыстрые диоды, 0.6 А | Taiwan Semiconductor |
Сверхбыстрые Диоды |
1 | 100 | 0.6 | 0.95 | 5 | 40 | 15 | 150 |
|
|
UG06C | Ультрабыстрые диоды, 0.6 А | Taiwan Semiconductor |
Сверхбыстрые Диоды |
1 | 150 | 0.6 | 0.95 | 5 | 40 | 15 | 150 |
|
|
UG06D | Ультрабыстрые диоды, 0.6 А | Taiwan Semiconductor |
Сверхбыстрые Диоды |
1 | 200 | 0.6 | 0.95 | 5 | 40 | 15 | 150 |
|
|
UG12J | Ультрабыстрые диоды, 12 А | Taiwan Semiconductor |
Сверхбыстрые Диоды |
1 | 600 | 12 | 2 | 5 | 135 | 20 | 150 |
|