Компоненты группы Диоды
Важно!Имейте в виду, что при выборе Группы компонентов вам будет доступно больше параметров для поиска |
Название | Описание | Производитель | Группа компонент | Кол-во диодов | VRRM В |
IF(AV) А |
VF (макс.) В |
IR (макс.) мкА |
IFSM (макс.) А |
trr нс |
TJ (макс.) °C |
Корпус | |
BZX85C20 | Стабилитрон мощностью 1.3 Вт, допуск 5% | Taiwan Semiconductor |
Стабилитроны |
1 | 15 | - | - | 0.5 | - | - | 200 |
|
|
MTZJ15B | Стабилитрон мощностью 0.5 Вт в капсулированном стеклом корпусе, допуск 2.6% | Taiwan Semiconductor |
Стабилитроны |
1 | 11 | - | - | 0.2 | - | - | 200 |
|
|
BZX55C3V0 | Стабилитрон мощностью 0.5 Вт в корпусе, герметично капсулированном стеклом | Taiwan Semiconductor |
Стабилитроны |
1 | 1 | - | - | 4 | - | - | 200 |
|
|
VFT3045BP-M3 | Выпрямительные диоды с барьером Шоттки, изготовленные по вертикальной технологии TMBS® (Trench MOS Barrier Schottky) | Vishay |
Выпрямительные диоды |
1 | 45 | 30 | 0.6 | - | 200 | - | 200 |
|
|
LLZ62 | Стабилитрон мощностью 0.5 Вт в капсулированном стеклом корпусе | Taiwan Semiconductor |
Стабилитроны |
1 | 47 | - | - | 0.2 | - | - | 200 |
|
|
BZV79C8V2 | Стабилитрон мощностью 0.5 Вт, корпус SMD | Taiwan Semiconductor |
Стабилитроны |
1 | 5 | - | - | 0.7 | - | - | 200 |
|
|
MTZJ33D | Стабилитрон мощностью 0.5 Вт в капсулированном стеклом корпусе, допуск 2.5% | Taiwan Semiconductor |
Стабилитроны |
1 | 25 | - | - | 0.2 | - | - | 200 |
|
|
BZX55C56 | Стабилитрон мощностью 0.5 Вт в корпусе, герметично капсулированном стеклом | Taiwan Semiconductor |
Стабилитроны |
1 | 42 | - | - | 0.1 | - | - | 200 |
|
|
1N4753G | Стабилитрон мощностью 1 Вт | Taiwan Semiconductor |
Стабилитроны |
1 | 27.4 | - | - | 5 | - | - | 200 |
|
|
LLZ5249B | Стабилитрон мощностью 0.5 Вт в капсулированном стеклом корпусе | Taiwan Semiconductor |
Стабилитроны |
1 | 14 | - | - | 0.1 | - | - | 200 |
|
|
MTZJ5V1C | Стабилитрон мощностью 0.5 Вт в капсулированном стеклом корпусе, допуск 2.7% | Taiwan Semiconductor |
Стабилитроны |
1 | 1.5 | - | - | 5 | - | - | 200 |
|
|
BZX55B5V1 | Стабилитрон мощностью 0.5 Вт, допуск 2%, корпус SMD | Taiwan Semiconductor |
Стабилитроны |
1 | 1 | - | - | 0.1 | - | - | 200 |
|
|
BZX79B36 | Стабилитрон мощностью 0.5 Вт в корпусе, герметично капсулированном стеклом | Taiwan Semiconductor |
Стабилитроны |
1 | 25.2 | - | - | 0.05 | - | - | 200 |
|
|
LLZ2V7 | Стабилитрон мощностью 0.5 Вт в капсулированном стеклом корпусе | Taiwan Semiconductor |
Стабилитроны |
1 | 1 | - | - | 100 | - | - | 200 |
|
|
1N5247B | Стабилитрон мощностью 0.5 Вт в капсулированном стеклом корпусе | Taiwan Semiconductor |
Стабилитроны |
1 | 13 | - | - | 0.1 | - | - | 200 |
|
|
BZX85C18 | Стабилитрон мощностью 1.3 Вт, допуск 5% | Taiwan Semiconductor |
Стабилитроны |
1 | 13 | - | - | 0.5 | - | - | 200 |
|
|
MTZJ15A | Стабилитрон мощностью 0.5 Вт в капсулированном стеклом корпусе, допуск 2.5% | Taiwan Semiconductor |
Стабилитроны |
1 | 11 | - | - | 0.2 | - | - | 200 |
|
|
BZX55C2V7 | Стабилитрон мощностью 0.5 Вт в корпусе, герметично капсулированном стеклом | Taiwan Semiconductor |
Стабилитроны |
1 | 1 | - | - | 10 | - | - | 200 |
|
|
VBT3045BP-E3 | Выпрямительные диоды с барьером Шоттки, изготовленные по вертикальной технологии TMBS® (Trench MOS Barrier Schottky) | Vishay |
Выпрямительные диоды |
1 | 45 | 30 | 0.6 | - | 200 | - | 200 |
|
|
LLZ56 | Стабилитрон мощностью 0.5 Вт в капсулированном стеклом корпусе | Taiwan Semiconductor |
Стабилитроны |
1 | 43 | - | - | 0.2 | - | - | 200 |
|