Компоненты группы Диоды
Важно!Имейте в виду, что при выборе Группы компонентов вам будет доступно больше параметров для поиска |
Название | Описание | Производитель | Группа компонент | Кол-во диодов | VRRM В |
IF(AV) А |
VF (макс.) В |
IR (макс.) мкА |
IFSM (макс.) А |
trr нс |
TJ (макс.) °C |
Корпус | |
LLZ5245B | Стабилитрон мощностью 0.5 Вт в капсулированном стеклом корпусе | Taiwan Semiconductor |
Стабилитроны |
1 | 11 | - | - | 0.1 | - | - | 200 |
|
|
MTZJ4V7B | Стабилитрон мощностью 0.5 Вт в капсулированном стеклом корпусе, допуск 2.8% | Taiwan Semiconductor |
Стабилитроны |
1 | 1 | - | - | 5 | - | - | 200 |
|
|
BZX55B3V6 | Стабилитрон мощностью 0.5 Вт, допуск 2%, корпус SMD | Taiwan Semiconductor |
Стабилитроны |
1 | 1 | - | - | 2 | - | - | 200 |
|
|
BZT52C4V7K | Стабилитрон мощностью 0.2 Вт | Taiwan Semiconductor |
Стабилитроны |
1 | 1 | - | - | 2 | - | - | 150 |
|
|
AZ23C3V6 | 2-канальный стабилитрон мощностью 300 мВт в SMD корпусе | Taiwan Semiconductor |
Стабилитроны |
2 | - | - | - | 0.1 | - | - | 150 |
SOT-23-3 |
|
TSZL52C15 | Стабилитрон мощностью 0.2 Вт, корпус SMD | Taiwan Semiconductor |
Стабилитроны |
1 | 11 | - | - | 0.1 | - | - | 125 |
|
|
BZX79B24 | Стабилитрон мощностью 0.5 Вт в корпусе, герметично капсулированном стеклом | Taiwan Semiconductor |
Стабилитроны |
1 | 16.8 | - | - | 0.05 | - | - | 200 |
|
|
BZT55B39 | Стабилитрон мощностью 0.5 Вт, допуск 2% | Taiwan Semiconductor |
Стабилитроны |
1 | 28 | - | - | 0.1 | - | - | 175 |
|
|
BZS55B13 | Стабилитрон мощностью 0.5 Вт, допуск 2% | Taiwan Semiconductor |
Стабилитроны |
1 | 10 | - | - | 0.1 | - | - | 150 |
|
|
1N5243B | Стабилитрон мощностью 0.5 Вт в капсулированном стеклом корпусе | Taiwan Semiconductor |
Стабилитроны |
1 | 10 | - | - | 0.1 | - | - | 200 |
|
|
ZM4756A | Стабилитрон мощностью 1 Вт в капсулированном стеклом корпусе | Taiwan Semiconductor |
Стабилитроны |
1 | 35.8 | - | - | 5 | - | - | 175 |
|
|
BZX85C12 | Стабилитрон мощностью 1.3 Вт, допуск 5% | Taiwan Semiconductor |
Стабилитроны |
1 | 9.1 | - | - | 0.5 | - | - | 200 |
|
|
BZY55C36 | Стабилитрон мощностью 1.3 Вт, допуск 5% | Taiwan Semiconductor |
Стабилитроны |
1 | 27 | - | - | 0.1 | - | - | 150 |
|
|
BZV55C9V1 | Стабилитрон мощностью 0.5 Вт, допуск 5% | Taiwan Semiconductor |
Стабилитроны |
1 | 6.8 | - | - | 0.1 | - | - | 175 |
|
|
BZT52B15S | Стабилитрон мощностью 0.2 Вт, допуск 2% | Taiwan Semiconductor |
Стабилитроны |
1 | 10.5 | - | - | 0.045 | - | - | 150 |
|
|
1SMB5935 | Стабилитрон мощностью 3 Вт в корпусе для поверхностного монтажа | Taiwan Semiconductor |
Стабилитроны |
1 | 20.6 | - | - | 1 | - | - | 150 |
|
|
TESDH5V0A | Схема защиты от электростатических разрядов, сверхнизкая емкость перехода | Taiwan Semiconductor |
Защитные ESD/TVS диодные сборки |
- | - | - | - | - | - | - | 150 |
|
|
MTZJ12C | Стабилитрон мощностью 0.5 Вт в капсулированном стеклом корпусе, допуск 2.6% | Taiwan Semiconductor |
Стабилитроны |
1 | 9 | - | - | 0.2 | - | - | 200 |
|
|
BZX55B75 | Стабилитрон мощностью 0.5 Вт, допуск 2%, корпус SMD | Taiwan Semiconductor |
Стабилитроны |
1 | 56 | - | - | 0.1 | - | - | 200 |
|
|
BZT52C3V0S | Стабилитрон мощностью 0.2 Вт, допуск 5% | Taiwan Semiconductor |
Стабилитроны |
1 | 1 | - | - | 9 | - | - | 150 |
|