Компоненты группы Диоды
Важно!Имейте в виду, что при выборе Группы компонентов вам будет доступно больше параметров для поиска |
Название | Описание | Производитель | Группа компонент | Кол-во диодов | VRRM В |
IF(AV) А |
VF (макс.) В |
IR (макс.) мкА |
IFSM (макс.) А |
trr нс |
TJ (макс.) °C |
Корпус | |
LLZ5251B | Стабилитрон мощностью 0.5 Вт в капсулированном стеклом корпусе | Taiwan Semiconductor |
Стабилитроны |
1 | 17 | - | - | 0.1 | - | - | 200 |
|
|
MTZJ5V6B | Стабилитрон мощностью 0.5 Вт в капсулированном стеклом корпусе, допуск 2.5% | Taiwan Semiconductor |
Стабилитроны |
1 | 2.5 | - | - | 5 | - | - | 200 |
|
|
BZX55B6V2 | Стабилитрон мощностью 0.5 Вт, допуск 2%, корпус SMD | Taiwan Semiconductor |
Стабилитроны |
1 | 2 | - | - | 0.1 | - | - | 200 |
|
|
BZX79B43 | Стабилитрон мощностью 0.5 Вт в корпусе, герметично капсулированном стеклом | Taiwan Semiconductor |
Стабилитроны |
1 | 30.1 | - | - | 0.05 | - | - | 200 |
|
|
LLZ3V3 | Стабилитрон мощностью 0.5 Вт в капсулированном стеклом корпусе | Taiwan Semiconductor |
Стабилитроны |
1 | 1 | - | - | 20 | - | - | 200 |
|
|
1N5249B | Стабилитрон мощностью 0.5 Вт в капсулированном стеклом корпусе | Taiwan Semiconductor |
Стабилитроны |
1 | 14 | - | - | 0.1 | - | - | 200 |
|
|
BZX85C22 | Стабилитрон мощностью 1.3 Вт, допуск 5% | Taiwan Semiconductor |
Стабилитроны |
1 | 16 | - | - | 0.5 | - | - | 200 |
|
|
MTZJ15C | Стабилитрон мощностью 0.5 Вт в капсулированном стеклом корпусе, допуск 2.5% | Taiwan Semiconductor |
Стабилитроны |
1 | 11 | - | - | 0.2 | - | - | 200 |
|
|
BZX55C3V3 | Стабилитрон мощностью 0.5 Вт в корпусе, герметично капсулированном стеклом | Taiwan Semiconductor |
Стабилитроны |
1 | 1 | - | - | 2 | - | - | 200 |
|
|
VT4045BP-M3 | Выпрямительные диоды с барьером Шоттки, изготовленные по вертикальной технологии TMBS® (Trench MOS Barrier Schottky) | Vishay |
Выпрямительные диоды |
1 | 45 | 40 | 0.63 | - | 240 | - | 200 |
|
|
BZV79C9V1 | Стабилитрон мощностью 0.5 Вт, корпус SMD | Taiwan Semiconductor |
Стабилитроны |
1 | 6 | - | - | 0.5 | - | - | 200 |
|
|
MTZJ36A | Стабилитрон мощностью 0.5 Вт в капсулированном стеклом корпусе, допуск 2.5% | Taiwan Semiconductor |
Стабилитроны |
1 | 27 | - | - | 0.2 | - | - | 200 |
|
|
BZX55C62 | Стабилитрон мощностью 0.5 Вт в корпусе, герметично капсулированном стеклом | Taiwan Semiconductor |
Стабилитроны |
1 | 47 | - | - | 0.1 | - | - | 200 |
|
|
1N4754G | Стабилитрон мощностью 1 Вт | Taiwan Semiconductor |
Стабилитроны |
1 | 29.7 | - | - | 5 | - | - | 200 |
|
|
LLZ5250B | Стабилитрон мощностью 0.5 Вт в капсулированном стеклом корпусе | Taiwan Semiconductor |
Стабилитроны |
1 | 15 | - | - | 0.1 | - | - | 200 |
|
|
MTZJ5V6A | Стабилитрон мощностью 0.5 Вт в капсулированном стеклом корпусе, допуск 2.4% | Taiwan Semiconductor |
Стабилитроны |
1 | 2.5 | - | - | 5 | - | - | 200 |
|
|
BZX55B5V6 | Стабилитрон мощностью 0.5 Вт, допуск 2%, корпус SMD | Taiwan Semiconductor |
Стабилитроны |
1 | 1 | - | - | 0.1 | - | - | 200 |
|
|
BZX79B39 | Стабилитрон мощностью 0.5 Вт в корпусе, герметично капсулированном стеклом | Taiwan Semiconductor |
Стабилитроны |
1 | 27.3 | - | - | 0.05 | - | - | 200 |
|
|
LLZ3V0 | Стабилитрон мощностью 0.5 Вт в капсулированном стеклом корпусе | Taiwan Semiconductor |
Стабилитроны |
1 | 1 | - | - | 50 | - | - | 200 |
|
|
1N5248B | Стабилитрон мощностью 0.5 Вт в капсулированном стеклом корпусе | Taiwan Semiconductor |
Стабилитроны |
1 | 14 | - | - | 0.1 | - | - | 200 |
|