Компоненты группы Диоды
Важно!Имейте в виду, что при выборе Группы компонентов вам будет доступно больше параметров для поиска |
Название | Описание | Производитель | Группа компонент | Кол-во диодов | VRRM В |
IF(AV) А |
VF (макс.) В |
IR (макс.) мкА |
IFSM (макс.) А |
trr нс |
TJ (макс.) °C |
Корпус | |
IDH02SG120 | SiC диод Шоттки семейства 3G thinQ! | Infineon Technologies |
Диоды Шоттки |
1 | 1200 | 2 | 2.55 | 400 | 12 | - | 175 |
TO-220 |
|
IDD03SG60C | SiC диод Шоттки семейства 3G thinQ! | Infineon Technologies |
Диоды Шоттки |
1 | 600 | 3 | 2.8 | 150 | 11.5 | - | 175 |
TO-252 |
|
ESD102-U4-05L | Однонаправленные диоды со сверхмалой паразитной емкостью для защиты от статических разрядов и переходных процессов | Infineon Technologies |
Защитные Диоды (TVS) |
4 | - | - | - | 0.05 | - | - | 125 |
|
|
IDH03SG60C | SiC диод Шоттки семейства 3G thinQ! | Infineon Technologies |
Диоды Шоттки |
1 | 600 | 3 | 2.3 | 150 | 11.5 | - | 175 |
TO-220 |
|
IDV08E65D2 | Силовые кремниевые диоды со сверхмалым временем обратного восстановления семейства Rapid2 | Infineon Technologies |
Сверхбыстрые Диоды |
1 | 650 | 8 | 2.3 | 40 | 60 | 23 | 175 |
|
|
ESD3V3U4ULC | Решение для защиты интерфейса USB 3.0 от электростатических зарядов | Infineon Technologies |
Ограничительные Диоды |
- | - | - | - | - | - | - | - |
|
|
IDH05S120 | SiC диод Шоттки семейства 3G thinQ! | Infineon Technologies |
Диоды Шоттки |
1 | 1200 | 5 | 1.8 | 1000 | 29 | - | 175 |
TO-220 |
|
IDD04SG60C | SiC диод Шоттки семейства 3G thinQ! | Infineon Technologies |
Диоды Шоттки |
1 | 600 | 4 | 2.8 | 270 | 18 | - | 175 |
TO-252 |
|
IDP08E65D1 | Силовые кремниевые диоды со сверхмалым временем обратного восстановления семейства Rapid1 | Infineon Technologies |
Сверхбыстрые Диоды |
1 | 650 | 8 | 1.7 | 40 | 64 | 51 | 175 |
TO-220 |
|
IDH04SG60C | SiC диод Шоттки семейства 3G thinQ! | Infineon Technologies |
Диоды Шоттки |
1 | 600 | 4 | 2.3 | 270 | 18 | - | 175 |
TO-220 |
|
IDV15E65D2 | Силовые кремниевые диоды со сверхмалым временем обратного восстановления семейства Rapid2 | Infineon Technologies |
Сверхбыстрые Диоды |
1 | 650 | 15 | 2.3 | 40 | 100 | 30 | 175 |
|
|
IDW15E65D2 | Силовые кремниевые диоды со сверхмалым временем обратного восстановления семейства Rapid2 | Infineon Technologies |
Сверхбыстрые Диоды |
1 | 650 | 15 | 2.3 | 40 | 100 | 30 | 175 |
|
|
IDH08S120 | SiC диод Шоттки семейства 3G thinQ! | Infineon Technologies |
Диоды Шоттки |
1 | 1200 | 7.5 | 1.8 | 1000 | 39 | - | 175 |
TO-220 |
|
IDD05SG60C | SiC диод Шоттки семейства 3G thinQ! | Infineon Technologies |
Диоды Шоттки |
1 | 600 | 5 | 2.8 | 350 | 26 | - | 175 |
TO-252 |
|
IDP15E65D1 | Силовые кремниевые диоды со сверхмалым временем обратного восстановления семейства Rapid1 | Infineon Technologies |
Сверхбыстрые Диоды |
1 | 650 | 15 | 1.7 | 40 | 120 | 71 | 175 |
TO-220 |
|
IDH05SG60C | SiC диод Шоттки семейства 3G thinQ! | Infineon Technologies |
Диоды Шоттки |
1 | 600 | 5 | 2.3 | 350 | 26 | - | 175 |
TO-220 |
|
IDW40E65D2 | Силовые кремниевые диоды со сверхмалым временем обратного восстановления семейства Rapid2 | Infineon Technologies |
Сверхбыстрые Диоды |
1 | 650 | 40 | 2.3 | 40 | 250 | 36 | 175 |
|
|
IDH10S120 | SiC диод Шоттки семейства 3G thinQ! | Infineon Technologies |
Диоды Шоттки |
1 | 1200 | 10 | 1.8 | 1000 | 58 | - | 175 |
TO-220 |
|
IDD06SG60C | SiC диод Шоттки семейства 3G thinQ! | Infineon Technologies |
Диоды Шоттки |
1 | 600 | 6 | 2.8 | 500 | 32 | - | 175 |
TO-252 |
|
IDW30E65D1 | Силовые кремниевые диоды со сверхмалым временем обратного восстановления семейства Rapid1 | Infineon Technologies |
Сверхбыстрые Диоды |
1 | 650 | 30 | 1.7 | 40 | 240 | 66 | 175 |
|