Компоненты группы Диоды
Важно!Имейте в виду, что при выборе Группы компонентов вам будет доступно больше параметров для поиска |
Название | Описание | Производитель | Группа компонент | Кол-во диодов | VRRM В |
IF(AV) А |
VF (макс.) В |
IR (макс.) мкА |
IFSM (макс.) А |
trr нс |
TJ (макс.) °C |
Корпус | |
LLZ75 | Стабилитрон мощностью 0.5 Вт в капсулированном стеклом корпусе | Taiwan Semiconductor |
Стабилитроны |
1 | 56 | - | - | 0.2 | - | - | 200 |
|
|
BZV79C11 | Стабилитрон мощностью 0.5 Вт, корпус SMD | Taiwan Semiconductor |
Стабилитроны |
1 | 8 | - | - | 0.1 | - | - | 200 |
|
|
MTZJ36C | Стабилитрон мощностью 0.5 Вт в капсулированном стеклом корпусе, допуск 2.5% | Taiwan Semiconductor |
Стабилитроны |
1 | 27 | - | - | 0.2 | - | - | 200 |
|
|
BZX55C75 | Стабилитрон мощностью 0.5 Вт в корпусе, герметично капсулированном стеклом | Taiwan Semiconductor |
Стабилитроны |
1 | 56 | - | - | 0.1 | - | - | 200 |
|
|
1N4756G | Стабилитрон мощностью 1 Вт | Taiwan Semiconductor |
Стабилитроны |
1 | 35.8 | - | - | 5 | - | - | 200 |
|
|
LLZ5252B | Стабилитрон мощностью 0.5 Вт в капсулированном стеклом корпусе | Taiwan Semiconductor |
Стабилитроны |
1 | 18 | - | - | 0.1 | - | - | 200 |
|
|
MTZJ5V6C | Стабилитрон мощностью 0.5 Вт в капсулированном стеклом корпусе, допуск 2.6% | Taiwan Semiconductor |
Стабилитроны |
1 | 2.5 | - | - | 5 | - | - | 200 |
|
|
BZX55B6V8 | Стабилитрон мощностью 0.5 Вт, допуск 2%, корпус SMD | Taiwan Semiconductor |
Стабилитроны |
1 | 3 | - | - | 0.1 | - | - | 200 |
|
|
BZX79B47 | Стабилитрон мощностью 0.5 Вт в корпусе, герметично капсулированном стеклом | Taiwan Semiconductor |
Стабилитроны |
1 | 32.9 | - | - | 0.05 | - | - | 200 |
|
|
1N5250B | Стабилитрон мощностью 0.5 Вт в капсулированном стеклом корпусе | Taiwan Semiconductor |
Стабилитроны |
1 | 15 | - | - | 0.1 | - | - | 200 |
|
|
LLZ3V6 | Стабилитрон мощностью 0.5 Вт в капсулированном стеклом корпусе | Taiwan Semiconductor |
Стабилитроны |
1 | 1 | - | - | 10 | - | - | 200 |
|
|
BZX85C24 | Стабилитрон мощностью 1.3 Вт, допуск 5% | Taiwan Semiconductor |
Стабилитроны |
1 | 18 | - | - | 0.5 | - | - | 200 |
|
|
MTZJ16A | Стабилитрон мощностью 0.5 Вт в капсулированном стеклом корпусе, допуск 2.6% | Taiwan Semiconductor |
Стабилитроны |
1 | 12 | - | - | 0.2 | - | - | 200 |
|
|
BZX55C3V6 | Стабилитрон мощностью 0.5 Вт в корпусе, герметично капсулированном стеклом | Taiwan Semiconductor |
Стабилитроны |
1 | 1 | - | - | 2 | - | - | 200 |
|
|
VBT4045BP-E3 | Выпрямительные диоды с барьером Шоттки, изготовленные по вертикальной технологии TMBS® (Trench MOS Barrier Schottky) | Vishay |
Выпрямительные диоды |
1 | 45 | 40 | 0.63 | - | 240 | - | 200 |
|
|
LLZ68 | Стабилитрон мощностью 0.5 Вт в капсулированном стеклом корпусе | Taiwan Semiconductor |
Стабилитроны |
1 | 51 | - | - | 0.2 | - | - | 200 |
|
|
BZV79C10 | Стабилитрон мощностью 0.5 Вт, корпус SMD | Taiwan Semiconductor |
Стабилитроны |
1 | 7 | - | - | 0.2 | - | - | 200 |
|
|
MTZJ36B | Стабилитрон мощностью 0.5 Вт в капсулированном стеклом корпусе, допуск 2.5% | Taiwan Semiconductor |
Стабилитроны |
1 | 27 | - | - | 0.2 | - | - | 200 |
|
|
BZX55C68 | Стабилитрон мощностью 0.5 Вт в корпусе, герметично капсулированном стеклом | Taiwan Semiconductor |
Стабилитроны |
1 | 51 | - | - | 0.1 | - | - | 200 |
|
|
1N4755G | Стабилитрон мощностью 1 Вт | Taiwan Semiconductor |
Стабилитроны |
1 | 32.7 | - | - | 5 | - | - | 200 |
|