Поиск

 l l
 
Расширенный поиск
 

Компоненты группы IGBT-транзисторы
 
Название:
Описание
Производитель:
Группа компонентов
VCES (В)
Рабочий ток: IC (А)
Рабочий ток: При TC (°C)
VCE(sat) (В)
td(on) (тип.) (нс)
tr (тип.) (нс)
td(off) (тип.) (нс)
tf (тип.) (нс)
EON (тип.) (мДж)
EOFF (тип.) (мДж)
PD (Вт)
FWD
TA (°C) От до
Корпус
Страницы: 1 2 3 4 5 ... 38 следующая

Название Описание PDF Производитель Группа компонент VCES
В		 Рабочий ток VCE(sat)
В		 td(on) (тип.)
нс		 tr (тип.)
нс		 td(off) (тип.)
нс		 tf (тип.)
нс		 EON (тип.)
мДж		 EOFF (тип.)
мДж		 PD
Вт		 FWD TA
°C		 Корпус
IC
А		 При TC
°C
                                     
IXA12IF1200HB IGBT-транзистор, 1200 В, 20 А, технология XPT (Extreme Light Punch Through) IXYS IGBT
 1200 13 100 1.8 70 40 250 100 1.1 1.1 85 Да -55 ... 150 TO-247
IXA12IF1200PB IGBT-транзистор, 1200 В, 20 А, технология XPT (Extreme Light Punch Through) IXYS IGBT
 1200 13 100 1.8 70 40 250 100 1.1 1.1 85 Да -55 ... 150 TO-220
IXA12IF1200PC IGBT-транзистор, 1200 В, 20 А, технология XPT (Extreme Light Punch Through) IXYS IGBT
 1200 13 100 1.8 70 40 250 100 1.1 1.1 85 Да -55 ... 150 TO-263
IXA12IF1200TC IGBT-транзистор, 1200 В, 20 А, технология XPT (Extreme Light Punch Through) IXYS IGBT
 1200 13 100 1.8 70 40 250 100 1.1 1.1 85 Да -55 ... 150 TO-268
IXA17IF1200HJ IGBT-транзистор, 1200 В, 28 А, технология XPT (Extreme Light Punch Through) IXYS IGBT
 1200 18 90 1.8 70 40 250 100 1.55 1.7 100 Да -55 ... 150 ISOPLUS247
IXA20I1200PB IGBT-транзистор, 1200 В, 33 А, технология XPT (Extreme Light Punch Through) IXYS IGBT
 1200 22 90 1.8 70 40 250 100 1.55 1.7 130 Нет -55 ... 150 TO-220
IXA20IF1200HB IGBT-транзистор, 1200 В, 38 А, технология XPT (Extreme Light Punch Through) IXYS IGBT
 1200 22 100 1.8 70 40 250 100 1.55 1.7 165 Да -55 ... 150 TO-247
IXA20PG1200DHGLB IGBT-транзистор, 1200 В, 32 А, технология XPT (Extreme Light Punch Through) IXYS IGBT
 1200 23 80 1.8 70 40 250 100 1.55 1.7 130 Да -55 ... 150 SMD
IXA27IF1200HJ IGBT-транзистор, 1200 В, 43 А, технология XPT (Extreme Light Punch Through) IXYS IGBT
 1200 27 90 1.8 70 40 250 100 2.5 3 150 Да -55 ... 150 ISOPLUS247
IXA30PG1200DHGLB IGBT-транзистор, 1200 В, 43 А, технология XPT (Extreme Light Punch Through) IXYS IGBT
 1200 30 80 1.9 70 40 250 100 2.5 3 150 Да -55 ... 150 SMPD-X
IXA33IF1200HB IGBT-транзистор, 1200 В, 58 А, технология XPT (Extreme Light Punch Through) IXYS IGBT
 1200 34 100 1.8 70 40 250 100 2.5 3 250 Да -55 ... 150 TO-247
IXA37IF1200HJ IGBT-транзистор, 1200 В, 58 А, технология XPT (Extreme Light Punch Through) IXYS IGBT
 1200 37 90 1.8 70 40 250 100 3.8 4.1 195 Да -55 ... 150 ISOPLUS247
IXA40PG1200DHGLB IGBT-транзистор, 1200 В, 63 А, технология XPT (Extreme Light Punch Through) IXYS IGBT
 1200 45 80 1.85 70 40 250 100 3.8 4.1 230 Да -55 ... 150 SMPD-X
IXA45IF1200HB IGBT-транзистор, 1200 В, 78 А, технология XPT (Extreme Light Punch Through) IXYS IGBT
 1200 45 100 1.8 70 40 250 100 3.8 4.1 325 Да -55 ... 150 TO-247AD
IXA4IF1200UC IGBT-транзистор, 1200 В, 5 А, технология XPT (Extreme Light Punch Through) IXYS IGBT
 1200 5 100 1.8 70 40 250 100 0.4 0.3 45 Да -55 ... 150 TO-252
IXA55I1200HJ IGBT-транзистор, 1200 В, 84 А, технология XPT (Extreme Light Punch Through) IXYS IGBT
 1200 54 90 1.8 70 40 250 100 4.5 5.5 290 Нет -55 ... 150 ISOPLUS247
IXA60IF1200NA IGBT-транзистор, 1200 В, 88 А, технология XPT (Extreme Light Punch Through) IXYS IGBT
 1200 56 90 1.8 70 40 250 100 4.5 5.5 290 Да -55 ... 150 SOT-227 B
IXA70I1200NA IGBT-транзистор, 1200 В, 100 А, технология XPT (Extreme Light Punch Through) IXYS IGBT
 1200 65 90 1.8 70 40 250 100 4.5 5.5 350 Нет -55 ... 150 SOT-227 B
IXBF12N300 Высоковольтный IGBT транзистор 3000В, 12А с биполярной МОП-структурой (BIMOSFET) IXYS IGBT
 3000 12 90 2.8 65 395 175 530 - - 100 Да -55 ... 150 ISOPLUS_i4
IXBF20N300 Высоковольтный IGBT транзистор 3000В, 15А с биполярной МОП-структурой (BIMOSFET) IXYS IGBT
 3000 15 90 2.7 68 540 300 395 - - 110 Да -55 ... 150 ISOPLUS_i4
Страницы: 1 2 3 4 5 ... 38 следующая



подписка на новости

Подпишись на новости!
Продажа силового и бронированного кабеля и провода в Москве



Мероприятия:

17-я международная выставка ChipEXPO - 2019



SKYPE: tutor1970 | тел. редакции: (995) 900 6254 | email: admin@eust.ru

© 1998-2023 Рынок Микроэлектроники