Компоненты группы IGBT-транзисторы

 
Название:
Описание
Производитель:
Группа компонентов
VCES (В)
Рабочий ток: IC (А)
Рабочий ток: При TC (°C)
VCE(sat) (В)
td(on) (тип.) (нс)
tr (тип.) (нс)
td(off) (тип.) (нс)
tf (тип.) (нс)
EON (тип.) (мДж)
EOFF (тип.) (мДж)
PD (Вт)
FWD
TA (°C) От до
Корпус

Название Описание PDF Производитель Группа компонент VCES
В
Рабочий ток VCE(sat)
В
td(on) (тип.)
нс
tr (тип.)
нс
td(off) (тип.)
нс
tf (тип.)
нс
EON (тип.)
мДж
EOFF (тип.)
мДж
PD
Вт
FWD TA
°C
Корпус
IC
А
При TC
°C
                                     
IRG7PH35U Сверхбыстродействующий биполярный транзистор с изолированным затвором на 1200В International Rectifier (IRF) IGBT
1200 35 100 1.9 30 15 160 80 1.8 1.14 210 Нет -55 ... 175 TO-247AC
TO-247AD
IRG7PH35UD Сверхбыстродействующий биполярный транзистор с изолированным затвором на 1200В, ультрабыстрый диод International Rectifier (IRF) IGBT
1200 35 100 1.9 30 15 160 80 1.75 1.12 180 Да -55 ... 175 TO-247AC
TO-247AD
IRG7PH42U Сверхбыстродействующий биполярный транзистор с изолированным затвором на 1200В International Rectifier (IRF) IGBT
1200 60 100 1.7 25 32 229 63 3.186 2.153 385 Нет -55 ... 175 TO-247AC
TO-247AD
IRG7PH42UD Сверхбыстродействующий биполярный транзистор с изолированным затвором на 1200В, ультрабыстрый диод International Rectifier (IRF) IGBT
1200 45 100 1.7 25 32 229 63 2.978 1.968 320 Да -55 ... 150 TO-247AC
TO-247AD
IRG7PH46U Сверхбыстродействующий биполярный транзистор с изолированным затвором на 1200В International Rectifier (IRF) IGBT
1200 75 100 1.7 45 40 410 45 2.56 1.78 469 Нет -55 ... 175 TO-247AC
TO-247AD
IRG7PH46UD Сверхбыстродействующий биполярный транзистор с изолированным затвором на 1200В, ультрабыстрый диод International Rectifier (IRF) IGBT
1200 57 100 1.7 45 40 410 45 2.61 1.845 390 Да -55 ... 150 TO-247AC
TO-247AD
IRG7PH50U Сверхбыстродействующий биполярный транзистор с изолированным затвором на 1200В International Rectifier (IRF) IGBT
1200 90 100 1.7 35 40 430 45 3.6 2.2 556 Нет -55 ... 175 TO-247AC
TO-247AD
IRG7PSH50UD Сверхбыстродействующий биполярный транзистор с изолированным затвором на 1200В, ультрабыстрый диод International Rectifier (IRF) IGBT
1200 70 100 1.7 35 40 430 45 3.6 2.2 556 Да -55 ... 150 TO-274AA
IRGP4066D Биполярные транзисторы с изолированным затвором со встроенным ограничительным диодом с накоплением заряда International Rectifier (IRF) IGBT
600 90 100 1.7 50 70 200 60 2.465 2.155 454 Да -55 ... 175 TO-247AC
TO-247AD
IRGPS4067D Биполярные транзисторы с изолированным затвором со встроенным ограничительным диодом с накоплением заряда International Rectifier (IRF) IGBT
600 160 100 1.7 80 70 190 40 5.75 3.43 750 Да -55 ... 175 TO-274AA




подписка на новости

Подпишись на новости!

Продажа силового и бронированного кабеля и провода в Москве



Мероприятия:

17-я международная выставка ChipEXPO - 2019