Главная > Документация > Дискретные компоненты > Транзисторы

Компоненты группы IGBT-транзисторы

Название:
Описание
Производитель:
Группа компонентов
V_CES (В)
Рабочий ток: I_C (А)
Рабочий ток: При T_C (°C)
V_CE(sat) (В)
t_d(on) (тип.) (нс)
t_r (тип.) (нс)
t_d(off) (тип.) (нс)
t_f (тип.) (нс)
E_ON (тип.) (мДж)
E_OFF (тип.) (мДж)
P_D (Вт)
FWD
T_A (°C)	От до
Корпус

Название	Описание	PDF	Производитель	Группа компонент	V_CES В	Рабочий ток		V_CE(sat) В	t_d(on) (тип.) нс	t_r (тип.) нс	t_d(off) (тип.) нс	t_f (тип.) нс	E_ON (тип.) мДж	E_OFF (тип.) мДж	P_D Вт	FWD	T_A °C	Корпус
Название	Описание	PDF	Производитель	Группа компонент	V_CES В	I_C А	При T_C °C	V_CE(sat) В	t_d(on) (тип.) нс	t_r (тип.) нс	t_d(off) (тип.) нс	t_f (тип.) нс	E_ON (тип.) мДж	E_OFF (тип.) мДж	P_D Вт	FWD	T_A °C	Корпус

FGA20S140P	Быстродействующий IGBT-транзистор на 1400 В, 20 А		Fairchild Semiconductor	IGBT	1400	20	100	2.4	20	301	400	130	0.95	1.39	136	Нет	-55 ... 175	TO-3PN
FGH15T120SMD	IGBT-транзистор с максимальным напряжением коллектор-эмиттер 1200 В, выполненный по технологии Field Stop Trench		Fairchild Semiconductor	IGBT	1200	15	100	1.9	32	47	490	12	1.15	0.46	167	Да	-55 ... 175	TO-247
FGH25T120SMD	IGBT-транзистор с максимальным напряжением коллектор-эмиттер 1200 В, выполненный по технологии Field Stop Trench		Fairchild Semiconductor	IGBT	1200	25	100	1.9	40	45	490	12	1.74	0.56	214	Да	-55 ... 175	TO-247
FGH40T100SMD	IGBT-транзистор с максимальным напряжением коллектор-эмиттер 1000 В, выполненный по технологии Field Stop Trench		Fairchild Semiconductor	IGBT	1000	40	100	1.9	38	55	371	30	3.1	1.5	166	Да	-55 ... 175	TO-247
FGH40T120SMD	IGBT-транзистор с максимальным напряжением коллектор-эмиттер 1200 В, выполненный по технологии Field Stop Trench		Fairchild Semiconductor	IGBT	1200	40	100	1.9	40	47	475	10	2.7	1.1	277	Да	-55 ... 175	TO-247
FGH75T65SQD	IGBT-транзистор на основе технологии Fieldstop четвёртого поколения, 650 В, 75 А		Fairchild Semiconductor	IGBT	650	75	100	2.1	23	10	120	7	300	70	375	Да	-55 ... 175	TO-247
FGY120T65S_F085	IGBT-транзистор на 650 В / 120 А, выполненный по технологии Field Stop Trench, с быстровосстанавливающимся встречно-параллельным диодом		Fairchild Semiconductor	IGBT	650	220	100	1.85	53	134	102	115	6.8	3.5	862	Да	-55 ... 175	TO-247

Подпишись на новости!

Продажа силового и бронированного кабеля и провода в Москве

Мероприятия:

17-я международная выставка ChipEXPO - 2019