Компоненты группы MOSFET транзисторы
| Название | Описание | Производитель | Группа компонент | Полярность | Каналов шт |
VDS В |
RDS(ON) 1.8 В мОм |
RDS(ON) 2,5 В мОм |
RDS(ON) 2,7 В мОм |
RDS(ON) 4.5 В мОм |
RDS(ON) 10 В мОм |
ID А |
PD Вт |
Корпус | |
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
||
| STAC4932B | N-канальный радиочастотный силовой MOSFET-транзистор |
|
STMicroelectronics |
MOSFET |
N | 1 | 250 | - | - | - | - | - | 0.001 | 1200 |
|
| SCT30N120 | Карбид-кремниевый N-канальный силовой MOSFET на 45 A, 1200 В и остаточным сопротивлением 80 мОм |
|
STMicroelectronics |
MOSFET |
N | 1 | 1200 | - | - | - | - | 80 | 45 | 270 |
|
| SCT10N120 | Силовой MOSFET-транзистор на основе карбида кремния с рабочим напряжением 1200 В, током 12 А |
|
STMicroelectronics |
MOSFET |
N | 1 | 1200 | - | - | - | - | 690 | 12 | 150 |
|
| powerSTEP01 | Микросхема функциональной Системы-в-Корпусе (SiP) на базе восьми N-канальных MOSFET транзисторов и программируемого контроллера с интерфейсом SPI |
|
STMicroelectronics |
MOSFET |
N | 8 | - | - | - | - | - | 21 | 10 | - |
|
| IRF630MFP | N-channel 200V - 0.35? - 9A - TO-220FP Mesh overlay™ II Power MOSFET |
|
STMicroelectronics |
MOSFET |
N | 1 | 200 | - | - | - | - | 350 | 9 | 30 |
|
| IRF630M | N-channel 200V - 0.35? - 9A - TO-220 Mesh overlay™ II Power MOSFET |
|
STMicroelectronics |
MOSFET |
N | 1 | 200 | - | - | - | - | 350 | 9 | 75 |
TO-220 |
| IRF630FP | N-channel 200V - 0.35? - 9A TO-220FP Mesh overlay™ II Power MOSFET |
|
STMicroelectronics |
MOSFET |
N | 1 | 200 | - | - | - | - | 350 | 9 | 30 |
|
| IRF630 | N-channel 200V - 0.35? - 9A TO-220 Mesh overlay™ II Power MOSFET |
|
STMicroelectronics |
MOSFET |
N | 1 | 200 | - | - | - | - | 350 | 9 | 75 |
TO-220 |
| 2N7002 | N-channel 60V - 1.8? - 0.35A - SOT23-3L STripFET™ Power MOSFET |
|
STMicroelectronics |
MOSFET |
N | 1 | 60 | - | - | - | 2 | 2 | 0.2 | 0.35 |
SOT-23-3 |
| 2N7000 | N-channel 60V - 1.8? - 0.35A - TO-92 STripFET™ Power MOSFET |
|
STMicroelectronics |
MOSFET |
N | 1 | 60 | - | - | - | 2000 | 1800 | 0.35 | 1 |
TO-92 |
