Главная > Документация > Дискретные компоненты > Транзисторы

Компоненты группы MOSFET транзисторы

Название:
Описание
Производитель:
Группа компонентов
Полярность
Каналов (шт)
V_DS (В)
R_DS(ON) 1.8 В (мОм)
R_DS(ON) 2,5 В (мОм)
R_DS(ON) 2,7 В (мОм)
R_DS(ON) 4.5 В (мОм)
R_DS(ON) 10 В (мОм)
I_D (А)
P_D (Вт)
Корпус

Страницы: предыдущая 1 ... 83 84 85 86 87

Название	Описание	PDF	Производитель	Группа компонент	Полярность	Каналов шт	V_DS В	R_DS(ON) 1.8 В мОм	R_DS(ON) 2,5 В мОм	R_DS(ON) 2,7 В мОм	R_DS(ON) 4.5 В мОм	R_DS(ON) 10 В мОм	I_D А	P_D Вт	Корпус

STN3PF06	P-channel 60 V - 0.20 ? - 2.5 A - SOT-223 STripFET™ II Power MOSFET		STMicroelectronics	MOSFET	P	1	60	-	-	-	-	200	2.5	2.5	SOT-223-4
STD10PF06	P-CHANNEL 60V - 0.18 W - 10A IPAK/DPAK STripFET™ II POWER MOSFET		STMicroelectronics	MOSFET	P	1	60	-	-	-	-	180	10	40	D-PAK I-PAK
STT2PF60L	P-CHANNEL 60V - 0.20? - 2A - SOT-23-6L STripFET™ II Power MOSFET		STMicroelectronics	MOSFET	P	1	60	-	-	-	240	200	2	1.6	SOT23-6L
SCT30N120	Карбид-кремниевый N-канальный силовой MOSFET на 45 A, 1200 В и остаточным сопротивлением 80 мОм		STMicroelectronics	MOSFET	N	1	1200	-	-	-	-	80	45	270	HiP-247
powerSTEP01	Микросхема функциональной Системы-в-Корпусе (SiP) на базе восьми N-канальных MOSFET транзисторов и программируемого контроллера с интерфейсом SPI		STMicroelectronics	MOSFET	N	8	-	-	-	-	-	21	10	-	VFQFPN-8
STL20DN10F7	Сдвоенный N-канальный силовой MOSFET транзистор, технология STripFET™VII, 100 В, 5 А		STMicroelectronics	MOSFET	N	2	100	-	-	-	-	65	5	62.5	PowerFLAT
STL25DN10F7	Сдвоенный N-канальный силовой транзистор MOSFET семейства STripFET™ VII DeepGATE™, 100 В, 5 А		STMicroelectronics	MOSFET	N	2	100	-	-	-	-	80	5	60	PowerFLAT
SCT10N120	Силовой MOSFET-транзистор на основе карбида кремния с рабочим напряжением 1200 В, током 12 А		STMicroelectronics	MOSFET	N	1	1200	-	-	-	-	690	12	150	HiP-247
STW78N65M5	Силовой N-канальный MOSFET-транзистор семейства MDmesh™ V на 650 В, 69 А, 0.0024 Ом, в автомобильном исполнении		STMicroelectronics	MOSFET	N	1	650	-	-	-	-	32	69	450	TO-247
STF25N60M2-EP	Силовой N-канальный MOSFET-транзистор, произведённый по технологии MDmesh™ M2 EP, с рабочим напряжением 600 В, током 18 А		STMicroelectronics	MOSFET	N	1	650	-	-	-	-	188	18	30	TO-220FP

Страницы: предыдущая 1 ... 83 84 85 86 87

Подпишись на новости!

Мероприятия: