Поиск

 l l
 
Расширенный поиск
 

Компоненты группы MOSFET транзисторы
 
Название:
Описание
Производитель:
Группа компонентов
Полярность
Каналов (шт)
VDS (В)
RDS(ON) 1.8 В (мОм)
RDS(ON) 2,5 В (мОм)
RDS(ON) 2,7 В (мОм)
RDS(ON) 4.5 В (мОм)
RDS(ON) 10 В (мОм)
ID (А)
PD (Вт)
Корпус
Страницы: предыдущая 1 ... 82 83 84 85 86 87 следующая

Название Описание PDF Производитель Группа компонент Полярность Каналов
шт		 VDS
В		 RDS(ON) 1.8 В
мОм		 RDS(ON) 2,5 В
мОм		 RDS(ON) 2,7 В
мОм		 RDS(ON) 4.5 В
мОм		 RDS(ON) 10 В
мОм		 ID
А		 PD
Вт		 Корпус
                               
STP180N55F3 N-channel 55V - 3.2m? - 120A - TO-220 STripFET™ Power MOSFET STMicroelectronics MOSFET
 N 1 55 - - - - 3.2 120 330 D2-PAK
STP270N4F3 N-channel 40 V - 2.1 m? - 160 A TO-220 STripFET™ Power MOSFET STMicroelectronics MOSFET
 N 1 40 - - - - 2.5 120 330 TO-220
STP150NF55 N-channel 55V - 0.005? - 120A - TO-220 STripFET™ II Power MOSFET STMicroelectronics MOSFET
 N 1 55 - - - - 5 120 300 TO-220
STY140NS10 N-CHANNEL 100V - 0.009 W - 140A MAX247™ MESH OVERLAY™ POWER MOSFET STMicroelectronics MOSFET
 N 1 100 - - - - 9 140 450 Max247
STD150NH02L N-channel 24V - 0.003? - 150A - ClipPAK™ - IPAK STripFET™ IlI Power MOSFET STMicroelectronics MOSFET
 N 1 30 - - - - 3 150 125 ClipPAK
I-PAK
STL150N3LLH5 N-channel 30 V, 0.0014 ?, 35 A - PowerFLAT™ (6x5)STripFET™ V Power MOSFET STMicroelectronics MOSFET
 N 1 30 - - - 1.9 1.4 150 80 PowerFLAT
STB270N4F3 N-channel 40 V - 2.1 m? - 160 A - D2PAK STripFET™ Power MOSFET STMicroelectronics MOSFET
 N 1 40 - - - - 2.1 160 330 D2-PAK
STB270N4F3 N-channel 40 V - 2.1 m? - 160 A - D2PAK STripFET™ Power MOSFET STMicroelectronics MOSFET
 N 1 40 - - - - 2.1 160 330 D2-PAK
STB270N4F3 N-channel 40 V - 2.1 m? - 160 A - D2PAK STripFET™ Power MOSFET STMicroelectronics MOSFET
 N 1 40 - - - - 2.1 160 330 D2-PAK
STV160NF03L N-CHANNEL 30V - 0.0019W - 160A PowerSO-10 STripFET™ POWER MOSFET STMicroelectronics MOSFET
 N 1 30 - - - - 1.9 160 240 PowerSO-10
STV160NF02LA N-CHANNEL 20V - 0.0018W - 160A PowerSO-10 STripFET™ POWER MOSFET STMicroelectronics MOSFET
 N 1 20 - - - - 1.8 160 240 PowerSO-10
STV160NF02L N-CHANNEL 20V - 0.0016? - 160A PowerSO-10 STripFET™ II POWER MOSFET STMicroelectronics MOSFET
 N 1 20 - - - - 1.6 160 240 PowerSO-10
STB160NF3LL4 N-channel 30V - 0.0028? - 160A - D2PAK STripFET™ III Power MOSFET STMicroelectronics MOSFET
 N 1 30 - - - 3.5 2.8 160 300 D2-PAK
STE180NE10 N-channel 100V - 4.5m? - 180A - ISOTOP STripFET™ Power MOSFET STMicroelectronics MOSFET
 N 1 100 - - - - 4500 180 360 ISOTOP
STH315N10F7-2 N-канальный силовой транзистор MOSFET семейства STripFET™ VII DeepGATE™, 100 В, 180 А, автомобильный диапазон температур STMicroelectronics MOSFET
 N 1 100 - - - - 2.3 180 315 H2PAK-2
STH315N10F7-6 N-канальный силовой транзистор MOSFET семейства STripFET™ VII DeepGATE™, 100 В, 180 А, автомобильный диапазон температур STMicroelectronics MOSFET
 N 1 100 - - - - 2.3 180 315 H2PAK-6
STP270N8F7 N-канальный силовой транзистор MOSFET семейства STripFET™ VII DeepGATE™, 80 В, 180 А STMicroelectronics MOSFET
 N 1 80 - - - - 2.5 180 315 TO-220
STH270N8F7-6 N-канальный силовой транзистор MOSFET семейства STripFET™ VII DeepGATE™, 80 В, 180 А STMicroelectronics MOSFET
 N 1 80 - - - - 2.1 180 315 H2PAK-6
STH270N8F7-2 N-канальный силовой транзистор MOSFET семейства STripFET™ VII DeepGATE™, 80 В, 180 А STMicroelectronics MOSFET
 N 1 80 - - - - 2.1 180 315 H2PAK-2
STH310N10F7-6 N-канальный силовой транзистор MOSFET на 100 В / 180 А, выполненные по технологии STripFET™ F7 STMicroelectronics MOSFET
 N 1 100 - - - - 2.3 180 315 H2PAK-6
Страницы: предыдущая 1 ... 82 83 84 85 86 87 следующая



подписка на новости

Подпишись на новости!




Мероприятия:





SKYPE: tutor1970 | тел. редакции: (995) 900 6254 | email: admin@eust.ru

© 1998-2023 Рынок Микроэлектроники