Поиск

 l l
 
Расширенный поиск
 

Компоненты группы MOSFET транзисторы
 
Название:
Описание
Производитель:
Группа компонентов
Полярность
Каналов (шт)
VDS (В)
RDS(ON) 1.8 В (мОм)
RDS(ON) 2,5 В (мОм)
RDS(ON) 2,7 В (мОм)
RDS(ON) 4.5 В (мОм)
RDS(ON) 10 В (мОм)
ID (А)
PD (Вт)
Корпус
Страницы: предыдущая 1 ... 80 81 82 83 84 85 86 87 следующая

Название Описание PDF Производитель Группа компонент Полярность Каналов
шт		 VDS
В		 RDS(ON) 1.8 В
мОм		 RDS(ON) 2,5 В
мОм		 RDS(ON) 2,7 В
мОм		 RDS(ON) 4.5 В
мОм		 RDS(ON) 10 В
мОм		 ID
А		 PD
Вт		 Корпус
                               
STP28N65M2 N-канальные силовые MOSFET-транзисторы семейства MDmesh M2 на 650 В, 20 А STMicroelectronics MOSFET
 N 1 650 - - - - 180 20 170 TO-220
STW28N65M2 N-канальные силовые MOSFET-транзисторы семейства MDmesh M2 на 650 В, 20 А STMicroelectronics MOSFET
 N 1 650 - - - - 180 20 170 TO-247
STB33N65M2 N-канальные силовые MOSFET-транзисторы семейства MDmesh M2 на 650 В, 24 А STMicroelectronics MOSFET
 N 1 650 - - - - 140 24 190 D2PAK-3
STF33N65M2 N-канальные силовые MOSFET-транзисторы семейства MDmesh M2 на 650 В, 24 А STMicroelectronics MOSFET
 N 1 650 - - - - 140 24 34 TO-220FP
STP33N65M2 N-канальные силовые MOSFET-транзисторы семейства MDmesh M2 на 650 В, 24 А STMicroelectronics MOSFET
 N 1 650 - - - - 140 24 190 TO-220
STI33N65M2 N-канальные силовые MOSFET-транзисторы семейства MDmesh M2 на 650 В, 24 А STMicroelectronics MOSFET
 N 1 650 - - - - 140 24 190 I2PAK
STW56N65M2 N-канальные силовые MOSFET-транзисторы семейства MDmesh M2 на 650 В, 49 А STMicroelectronics MOSFET
 N 1 650 - - - - 62 49 358 TO-247
STW56N65M2-4 N-канальные силовые MOSFET-транзисторы семейства MDmesh M2 на 650 В, 49 А STMicroelectronics MOSFET
 N 1 650 - - - - 62 49 358 TO-247-4
STAC4932B N-канальный радиочастотный силовой MOSFET-транзистор STMicroelectronics MOSFET
 N 1 250 - - - - - 0.001 1200 STAC244B
STW88N65M5 N-канальный силовой MOSFET в корпусе TO-247 STMicroelectronics MOSFET
 N 1 710 29 29 29 29 29 84 450 TO-247
STL21N65M5 N-канальный силовой MOSFET на 650В, 0.175 Ω, 17A в корпусе PowerFLAT™ (8x8) STMicroelectronics MOSFET
 N 1 650 - - - - 190 17 125 PowerFLAT
STD45N10F7 N-канальный силовой MOSFET транзистор, технология STripFET™VII, 100 В, 45 А STMicroelectronics MOSFET
 N 1 100 - - - - 18 45 60 DPAK-3
STI45N10F7 N-канальный силовой MOSFET транзистор, технология STripFET™VII, 100 В, 45 А STMicroelectronics MOSFET
 N 1 100 - - - - 18 45 60 I2PAK
STP45N10F7 N-канальный силовой MOSFET транзистор, технология STripFET™VII, 100 В, 45 А STMicroelectronics MOSFET
 N 1 100 - - - - 18 45 60 TO-220
STH310N10F7-2 N-канальный силовой транзистор MOSFET на 100 В / 180 А, выполненные по технологии STripFET™ F7 STMicroelectronics MOSFET
 N 1 100 - - - - 2.3 180 315 H2PAK-2
STH310N10F7-6 N-канальный силовой транзистор MOSFET на 100 В / 180 А, выполненные по технологии STripFET™ F7 STMicroelectronics MOSFET
 N 1 100 - - - - 2.3 180 315 H2PAK-6
STL40N10F7 N-канальный силовой транзистор MOSFET семейства STripFET™ VII DeepGATE™, 100 В, 10 А STMicroelectronics MOSFET
 N 1 100 - - - - 24 20 5 PowerFLAT
STF110N10F7 N-канальный силовой транзистор MOSFET семейства STripFET™ VII DeepGATE™, 100 В, 110 А STMicroelectronics MOSFET
 N 1 100 - - - - 7 45 30 TO-220FP
STP110N10F7 N-канальный силовой транзистор MOSFET семейства STripFET™ VII DeepGATE™, 100 В, 110 А STMicroelectronics MOSFET
 N 1 100 - - - - 7 110 150 TO-220
STL60N10F7 N-канальный силовой транзистор MOSFET семейства STripFET™ VII DeepGATE™, 100 В, 12 А STMicroelectronics MOSFET
 N 1 100 - - - - 16.5 12 5 PowerFLAT
Страницы: предыдущая 1 ... 80 81 82 83 84 85 86 87 следующая



подписка на новости

Подпишись на новости!




Мероприятия:





SKYPE: tutor1970 | тел. редакции: (995) 900 6254 | email: admin@eust.ru

© 1998-2023 Рынок Микроэлектроники