Компоненты группы MOSFET транзисторы

 
Название:
Описание
Производитель:
Группа компонентов
Полярность
Каналов (шт)
VDS (В)
RDS(ON) 1.8 В (мОм)
RDS(ON) 2,5 В (мОм)
RDS(ON) 2,7 В (мОм)
RDS(ON) 4.5 В (мОм)
RDS(ON) 10 В (мОм)
ID (А)
PD (Вт)
Корпус

Название Описание PDF Производитель Группа компонент Полярность Каналов
шт
VDS
В
RDS(ON) 1.8 В
мОм
RDS(ON) 2,5 В
мОм
RDS(ON) 2,7 В
мОм
RDS(ON) 4.5 В
мОм
RDS(ON) 10 В
мОм
ID
А
PD
Вт
Корпус
                               
STN1N20 N - CHANNEL 200V - 1.2 W - 1A - SOT-223 POWER MOS TRANSISTOR STMicroelectronics MOSFET
N 1 200 - - - - 120 1 2.9 SOT-223-4
STQ1HNK60R N-CHANNEL 600V - 8? - 1A TO-92 SuperMESH™ MOSFET STMicroelectronics MOSFET
N 1 600 - - - - 8000 0.4 3 TO-92
STD16NF06 N-channel 60V - 0.060? - 16A - DPAK STripFET™ II Power MOSFET STMicroelectronics MOSFET
N 1 60 - - - - 60 16 40 D-PAK
STFW4N150 N-channel 1500 V - 5 ? - 4 A - PowerMESH™ Power MOSFET TO-3PF STMicroelectronics MOSFET
N 1 1500 - - - - 5000 4 0 TO-3PF
STD5NK60Z N-CHANNEL 650V @Tjmax - 1.2? - 5A DPAK Zener-Protected SuperMESH™ MOSFET STMicroelectronics MOSFET
N 1 600 - - - - 1200 5 90 D-PAK
STD40NF3LL N-channel 30V - 0.009? - 40A - DPAK Low gate charge STripFET™ II Power MOSFET STMicroelectronics MOSFET
N 1 30 - - - - 9 40 80 D-PAK
STW23NM60ND N-channel 600 V - 0.150 ? - 20 A - TO-247 FDmesh™ II Power MOSFET (with fast diode) STMicroelectronics MOSFET
N 1 600 - - - - 150 20 150 TO-247
STP11NM60FP N-channel 650V @ TJmax - 0.4? - 11A TO-220FP MDmesh™ Power MOSFET STMicroelectronics MOSFET
N 1 20 - - - - 400 11 30 TO-220FP
STB21NM50N N-channel 500V - 0.15? - 18A D2/I2PAK Second generation MDmesh™ Power MOSFET STMicroelectronics MOSFET
N 1 500 - - - - 150 18 140 D2-PAK
I2PAK
STP180N10F3 N-channel 100 V, 4.0 m?, 120 A STripFET™ Power MOSFET TO-220 STMicroelectronics MOSFET
N 1 100 - - - - 4.8 120 315 TO-220
STB21N65M5 N-channel 650 V, 0.159 ?, 17 A MDmesh™ V Power MOSFET STMicroelectronics MOSFET
N 1 710 - - - - 159 17 125 D2-PAK
STB16NM50N N-channel 500 V - 0.21 ? - 15 A MDmesh™ II Power MOSFET D2PAK STMicroelectronics MOSFET
N 1 500 - - - - 210 15 125 D2-PAK
STP200NF03 N-channel 40V - 0.0043? - 120A - TO-220 STripFET™ II Power MOSFET STMicroelectronics MOSFET
N 1 30 - - - - 3.2 120 300 TO-220
STB7NK80Z N-channel 800V - 1.5? - 5.2A - D2PAK/I2PAK Zener-protected SuperMESH™ Power MOSFET STMicroelectronics MOSFET
N 1 800 - - - - 1500 5.2 125 D2-PAK
I2PAK
STI16NM50N N-channel 500 V - 0.21 ? - 15 A MDmesh™ II Power MOSFET I?PAK STMicroelectronics MOSFET
N 1 500 - - - - 210 15 125 I2PAK
STF4NK50ZD N-channel 500V - 2.4? - 3A - TO-220FP Fast diode SuperMESH™ Power MOSFET STMicroelectronics MOSFET
N 1 500 - - - - 2300 3 12 TO-220FP
STB80NF55-08 N-channel 55 V - 0.0065 ? - 80 A - D2PAK STripFET™ II Power MOSFET STMicroelectronics MOSFET
N 1 55 - - - - 6.5 80 300 D2-PAK
STF25N60M2-EP Силовой N-канальный MOSFET-транзистор, произведённый по технологии MDmesh™ M2 EP, с рабочим напряжением 600 В, током 18 А STMicroelectronics MOSFET
N 1 650 - - - - 188 18 30 TO-220FP
STB30NM60N N-channel 600 V, 0.1 ?, 25 A, MDmesh™ II Power MOSFET D2PAK STMicroelectronics MOSFET
N 1 600 - - - - 100 25 190 D2-PAK
STW3N150 N-channel 1500 V - 6 ? - 2.5 A - PowerMESH™ Power MOSFET TO-247 STMicroelectronics MOSFET
N 1 1500 - - - - 6000 2.5 140 TO-247




подписка на новости

Подпишись на новости!

Продажа силового и бронированного кабеля и провода в Москве



Мероприятия:

17-я международная выставка ChipEXPO - 2019