Компоненты группы MOSFET транзисторы

 
Название:
Описание
Производитель:
Группа компонентов
Полярность
Каналов (шт)
VDS (В)
RDS(ON) 1.8 В (мОм)
RDS(ON) 2,5 В (мОм)
RDS(ON) 2,7 В (мОм)
RDS(ON) 4.5 В (мОм)
RDS(ON) 10 В (мОм)
ID (А)
PD (Вт)
Корпус
Страницы: 1 2 3 4 5 ... 87 следующая

Название Описание PDF Производитель Группа компонент Полярность Каналов
шт
VDS
В
RDS(ON) 1.8 В
мОм
RDS(ON) 2,5 В
мОм
RDS(ON) 2,7 В
мОм
RDS(ON) 4.5 В
мОм
RDS(ON) 10 В
мОм
ID
А
PD
Вт
Корпус
                               
2N7000 N-channel 60V - 1.8? - 0.35A - TO-92 STripFET™ Power MOSFET STMicroelectronics MOSFET
N 1 60 - - - 2000 1800 0.35 1 TO-92
2N7002 N-channel 60V - 1.8? - 0.35A - SOT23-3L STripFET™ Power MOSFET STMicroelectronics MOSFET
N 1 60 - - - 2 2 0.2 0.35 SOT-23-3
IRF630 N-channel 200V - 0.35? - 9A TO-220 Mesh overlay™ II Power MOSFET STMicroelectronics MOSFET
N 1 200 - - - - 350 9 75 TO-220
IRF630FP N-channel 200V - 0.35? - 9A TO-220FP Mesh overlay™ II Power MOSFET STMicroelectronics MOSFET
N 1 200 - - - - 350 9 30 TO-220FP
IRF630M N-channel 200V - 0.35? - 9A - TO-220 Mesh overlay™ II Power MOSFET STMicroelectronics MOSFET
N 1 200 - - - - 350 9 75 TO-220
IRF630MFP N-channel 200V - 0.35? - 9A - TO-220FP Mesh overlay™ II Power MOSFET STMicroelectronics MOSFET
N 1 200 - - - - 350 9 30 TO-220FP
powerSTEP01 Микросхема функциональной Системы-в-Корпусе (SiP) на базе восьми N-канальных MOSFET транзисторов и программируемого контроллера с интерфейсом SPI STMicroelectronics MOSFET
N 8 - - - - - 21 10 - VFQFPN-8
SCT10N120 Силовой MOSFET-транзистор на основе карбида кремния с рабочим напряжением 1200 В, током 12 А STMicroelectronics MOSFET
N 1 1200 - - - - 690 12 150 HiP-247
SCT30N120 Карбид-кремниевый N-канальный силовой MOSFET на 45 A, 1200 В и остаточным сопротивлением 80 мОм STMicroelectronics MOSFET
N 1 1200 - - - - 80 45 270 HiP-247
STAC4932B N-канальный радиочастотный силовой MOSFET-транзистор STMicroelectronics MOSFET
N 1 250 - - - - - 0.001 1200 STAC244B
STB100NF03L-03 N-channel 30V - 0.0026? - 100A - D2PAK/I2/TO-220 STripFET™ III Power MOSFET STMicroelectronics MOSFET
N 1 30 - - - 3.2 2.6 100 300 D2-PAK
I2PAK
STB100NF04 N-channel 40V - 0.0043? - 120A - D2PAK STripFET™ II Power MOSFET STMicroelectronics MOSFET
N 1 40 - - - - 4.3 120 300 D2-PAK
STB100NF04 N-channel 40V - 0.0043? - 120A - D2PAK STripFET™ II Power MOSFET STMicroelectronics MOSFET
N 1 40 - - - - 4.3 120 300 D2-PAK
STB10NK60Z N-channel 650 V, 0.65 Ом, 10 A, SuperMESH™ Power MOSFET Zener-protected I2PAK, D2PAK STMicroelectronics MOSFET
N 1 600 - - - - 650 10 115 D2-PAK
I2PAK
STB11NK40Z N-channel 400V - 0.49Ом - 9A D2PAK Zener-protected SuperMESHTM Power MOSFET STMicroelectronics MOSFET
N 1 400 - - - - 490 9 110 D2-PAK
STB11NK50Z N-channel 500 V, 0.48 Ом , 10 A D2PAK Zener-protected SuperMESHTM Power MOSFET STMicroelectronics MOSFET
N 1 500 - - - - 480 10 125 D2-PAK
STB11NM60 N-channel 650V @ TJmax - 0.4? - 11A D2PAK/I2PAK MDmesh™ Power MOSFET STMicroelectronics MOSFET
N 1 20 - - - - 400 11 160 D2-PAK
I2PAK
STB11NM60FD N-channel 600V - 0.40? - 11A - D2PAK/I2PAK FDmesh™ Power MOSFET (with fast diode) STMicroelectronics MOSFET
N 1 600 - - - - 400 11 160 D2-PAK
I2PAK
STB11NM60N N-channel 600 V - 0.37 ? - 10 A - I2PAK - D2PAK second generation MDmesh™ Power MOSFET STMicroelectronics MOSFET
N 1 600 - - - - 370 10 90 D2-PAK
I2PAK
STB11NM80 N-channel 800 V - 0.35 ? - 11 A - D2PAK MDmesh™ Power MOSFET STMicroelectronics MOSFET
N 1 800 - - - - 350 11 150 D2-PAK
Страницы: 1 2 3 4 5 ... 87 следующая




подписка на новости

Подпишись на новости!



радиационно стойкие ПЗУ Миландр

Продажа силового и бронированного кабеля и провода в Москве

Мероприятия:

XI Специализированная выставка-форум Передовые Технологии Автоматизации. ПТА - Санкт-Петербург 2018