Компоненты группы Память

 
Название:
Описание
Производитель:
Группа компонентов
Организация: Слов (K)
Организация: Разрядов (бит)
VCC (В) От до
TA (°C) От до
Корпус

    Важно!

Имейте в виду, что при выборе Группы компонентов вам будет доступно больше параметров для поиска

Страницы: 1 2 3 следующая

Название Описание PDF Производитель Группа компонент Организация VCC
В
TA
°C
Корпус
Слов
K
Разрядов
бит
                   
M48T02 Энергонезависимая SRAM объемом 16Кб с функцией хранения реального времени STMicroelectronics NVSRAM
2 8 4.75 ... 5.5 0 ... 70 PCDIP-24
M48Z128Y Энергонезависимая SRAM объемом 1Мб с функцией долговременного хранения данных STMicroelectronics NVSRAM
128 8 4.5 ... 5.5 0 ... 70 PMDIP-32
M48T129V Энергонезависимая SRAM объемом 1Мб с функцией хранения реального времени STMicroelectronics NVSRAM
128 8 3 ... 3.6 0 ... 70 PMDIP-32
M48Z35Y Энергонезависимая SRAM объемом 256Кб с функцией долговременного хранения данных STMicroelectronics NVSRAM
32 8 4.5 ... 5.5 0 ... 70 PCDIP-28
SOH-28
M48T37Y Энергонезависимая SRAM объемом 256Кб с функцией хранения реального времени STMicroelectronics NVSRAM
32 8 4.5 ... 5.5 -40 ... 85 SOH-44
M24LR64-R 64 кБит EEPROM-память с двойным доступом для устройст радиочастотной идентификации (RFID) STMicroelectronics EEPROM
8 8 1.8 ... 5.5 -40 ... 85 SOIC-8
TSSOP-8
UFDFPN-8
M48T12 Энергонезависимая SRAM объемом 16Кб с функцией хранения реального времени STMicroelectronics NVSRAM
2 8 4.5 ... 5.5 0 ... 70 PCDIP-24
M48Z128V Энергонезависимая SRAM объемом 1Мб с функцией долговременного хранения данных STMicroelectronics NVSRAM
128 8 3 ... 3.6 0 ... 70 PMDIP-32
M48T35 Энергонезависимая SRAM объемом 256Кб с функцией хранения реального времени STMicroelectronics NVSRAM
32 8 4.75 ... 5.5 0 ... 70 PCDIP-28
M48Z512A Энергонезависимая SRAM объемом 4Мб с функцией долговременного хранения данных STMicroelectronics NVSRAM
512 8 4.75 ... 5.5 -40 ... 85 PMDIP-32
M48T58Y Энергонезависимая SRAM объемом 64Кб с функцией хранения реального времени STMicroelectronics NVSRAM
8 8 4.5 ... 5.5 0 ... 70 PCDIP-28
SOH-28
M35B32 Микросхема памяти EEPROM объемом 32 Кб с интерфейсом SPI STMicroelectronics EEPROM
32 - 2.5 ... 5.5 -40 ... 125 SOIC-8
TSSOP-8
UFDFPN-8
M48T08 Энергонезависимая SRAM объемом 64Кб с функцией хранения реального времени STMicroelectronics NVSRAM
8 8 4.75 ... 5.5 0 ... 70 PCDIP-28
M48Z129V Энергонезависимая SRAM объемом 1Мб с функцией долговременного хранения данных STMicroelectronics NVSRAM
128 8 3 ... 3.6 0 ... 70 PMDIP-32
M48T35Y Энергонезависимая SRAM объемом 256Кб с функцией хранения реального времени STMicroelectronics NVSRAM
32 8 4.5 ... 5.5 -40 ... 85 PCDIP-28
SOH-28
M48Z512AY Энергонезависимая SRAM объемом 4Мб с функцией долговременного хранения данных STMicroelectronics NVSRAM
512 8 4.5 ... 5.5 -40 ... 85 PMDIP-32
M440T1MV Энергонезависимая SRAM объемом 32Мб с функцией хранения реального времени STMicroelectronics NVSRAM
1024 32 3 ... 3.6 -15 ... 75 PBGA-168
M24C64-DF EEPROM 64кбит с интерфейсом I²C STMicroelectronics EEPROM
8 8 1.7 ... 5.5 -40 ... 85 SOIC-8
TSSOP-8
MLP-8
M24C64-W EEPROM 64кбит с интерфейсом I²C STMicroelectronics EEPROM
8 8 2.5 ... 5.5 -40 ... 125 DIP-8
SOIC-8
TSSOP-8
M48T08Y Энергонезависимая SRAM объемом 64Кб с функцией хранения реального времени STMicroelectronics NVSRAM
8 8 4.5 ... 5.5 0 ... 70 SOH-28
Страницы: 1 2 3 следующая




подписка на новости

Подпишись на новости!

Продажа силового и бронированного кабеля и провода в Москве



Мероприятия:

17-я международная выставка ChipEXPO - 2019