Компоненты группы MOSFET транзисторы
Название | Описание | Производитель | Группа компонент | Полярность | Каналов шт |
VDS В |
RDS(ON) 1.8 В мОм |
RDS(ON) 2,5 В мОм |
RDS(ON) 2,7 В мОм |
RDS(ON) 4.5 В мОм |
RDS(ON) 10 В мОм |
ID А |
PD Вт |
Корпус | |
FQU17P06 | 60V P-Channel QFET® MOSFET | Fairchild Semiconductor |
MOSFET |
P | 1 | -60 | - | - | - | - | 135 | -12 | 44 |
|
|
FDMS6681Z | P-канальный MOSFET транзистор PowerTrench® -30 В, -49 А, 3.2 мОм | Fairchild Semiconductor |
MOSFET |
P | 1 | -30 | - | - | - | 5 | 3.2 | 49 | 73 |
Power 56 |
|
FDMC86261P | P-канальный MOSFET-транзистор с напряжением сток-исток -150 В, выполненный по технологии PowerTrench® | Fairchild Semiconductor |
MOSFET |
P | 1 | -150 | - | - | - | - | 160 | -9 | 40 |
|
|
FQPF15P12 | 120V P-Channel QFET® | Fairchild Semiconductor |
MOSFET |
P | 1 | -120 | - | - | - | - | 200 | -15 | 41 |
TO-220F |
|
FDMC510P | P-канальный MOSFET-транзистор PowerTrench® -20 В, 18 А, 8.0 мОм | Fairchild Semiconductor |
MOSFET |
P | 1 | -20 | 13 | - | - | 8 | - | 18 | 41 |
|
|
FQP15P12 | 120V P-Channel QFET® | Fairchild Semiconductor |
MOSFET |
P | 1 | -120 | - | - | - | - | 200 | -15 | 100 |
TO-220 |
|
FDMC6679AZ | P-канальный MOSFET-транзистор PowerTrench® -30 В, 20 А, 10 мОм | Fairchild Semiconductor |
MOSFET |
P | 1 | -30 | - | - | - | 18 | 10 | 20 | 41 |
|
|
FDY2000PZ | -20V Dual P-Channel Specified PowerTrench® MOSFET | Fairchild Semiconductor |
MOSFET |
P | 2 | -20 | 2700 | 1600 | - | 1200 | - | -0.35 | 0.625 |
|
|
FDD4141 | -40V P-Channel PowerTrench MOSFET | Fairchild Semiconductor |
MOSFET |
P | 1 | 40 | - | - | - | 14.5 | 10.1 | 10.8 | 2.4 |
D-PAK |
|
FDMA910PZ | P-канальные MOSFET-транзисторы PowerTrench® -20В, -9.4А | Fairchild Semiconductor |
MOSFET |
P | 1 | -20 | 34 | 24 | - | 20 | - | -9.4 | 2.4 |
MicroFET |
|
FDMJ1023PZ | -20V Dual P-Channel PowerTrench MOSFET | Fairchild Semiconductor |
MOSFET |
P | 2 | 20 | 173 | - | 128 | 93 | - | 2.9 | 1.4 |
MicroFET |
|
FDMC6675BZ | P-канальный MOSFET-транзистор PowerTrench® -30 В, 20 А, 14.4 мОм | Fairchild Semiconductor |
MOSFET |
P | 1 | -30 | - | - | - | 27 | 14.4 | 20 | 36 |
|
|
NDS9948 | Dual P-Channel PowerTrench® MOSFET | Fairchild Semiconductor |
MOSFET |
P | 2 | -60 | - | - | - | 500 | 250 | -2.3 | 2 |
SOIC-8 |
|
FDME910PZT | P-канальные MOSFET-транзисторы PowerTrench® -20В, -8А | Fairchild Semiconductor |
MOSFET |
P | 1 | -20 | 45 | 31 | - | 24 | - | -8 | 2.1 |
MicroFET |
|
FDN306P | P-Channel 1.8V Specified PowerTrench MOSFET | Fairchild Semiconductor |
MOSFET |
P | 1 | -12 | 54 | 39 | - | 30 | - | -10 | 0.5 |
|
|
FDN358P | Single P-Channel, Logic Level, PowerTrench® MOSFET | Fairchild Semiconductor |
MOSFET |
P | 1 | -30 | - | - | - | 161 | 105 | -1.5 | 0.5 |
|
|
FDD4243 | 40V P-Channel PowerTrench® MOSFET | Fairchild Semiconductor |
MOSFET |
P | 1 | -40 | - | - | - | 64 | 44 | -6.7 | 42 |
D-PAK |
|
FDC610PZ | -30V P-Channel PowerTrench MOSFET | Fairchild Semiconductor |
MOSFET |
P | 1 | 30 | - | - | - | 58 | 36 | 4.9 | 1.6 |
SSOT-6 |
|
FDMC4435BZ | P-канальный MOSFET-транзистор PowerTrench® -30 В, 18 А, 20 мОм | Fairchild Semiconductor |
MOSFET |
P | 1 | 30 | - | - | - | 37 | 20 | 18 | 31 |
|
|
FDS9958 | -60V Dual P-Channel PowerTrench MOSFET | Fairchild Semiconductor |
MOSFET |
P | 2 | 60 | - | - | - | 103 | 82 | 2.9 | 1.6 |
SOIC-8 |