Компоненты группы MOSFET транзисторы
Название | Описание | Производитель | Группа компонент | Полярность | Каналов шт |
VDS В |
RDS(ON) 1.8 В мОм |
RDS(ON) 2,5 В мОм |
RDS(ON) 2,7 В мОм |
RDS(ON) 4.5 В мОм |
RDS(ON) 10 В мОм |
ID А |
PD Вт |
Корпус | |
FDBL0065N40 | N-канальный MOSFET транзистор, выполненный по технологии PowerTrench®, 40 В, 300 А | Fairchild Semiconductor |
MOSFET |
N | 1 | 40 | - | - | - | - | 0.65 | 300 | 429 |
|
|
FDMT80060DC | N-канальный MOSFET-транзистор с технологией Dual Cool 88, выполненный на основе техпроцесса PowerTrench®, 60 В, 292 А | Fairchild Semiconductor |
MOSFET |
N | 1 | 60 | - | - | - | - | 1.1 | 292 | 156 |
|
|
FDI025N06 | N-Channel PowerTrench MOSFET | Fairchild Semiconductor |
MOSFET |
N | 1 | 60 | - | - | - | - | 1.9 | 265 | 395 |
TO-262 |
|
FDMT80080DC | N-канальный MOSFET-транзистор с технологией Dual Cool 88, выполненный на основе техпроцесса PowerTrench®, 80 В, 254 А | Fairchild Semiconductor |
MOSFET |
N | 1 | 80 | - | - | - | - | 1.35 | 254 | 156 |
|
|
FDMS86550ET60 | N-канальный MOSFET транзистор, выполненный по технологии PowerTrench®, 60 В, 245 А | Fairchild Semiconductor |
MOSFET |
N | 1 | 60 | - | - | - | - | 1.65 | 245 | 187 |
Power 56 |
|
FDBL0120N40 | N-канальный MOSFET транзистор, выполненный по технологии PowerTrench®, 40 В, 240 А | Fairchild Semiconductor |
MOSFET |
N | 1 | 40 | - | - | - | - | 1.2 | 240 | 300 |
|
|
FDBL0090N40 | N-канальный MOSFET транзистор, выполненный по технологии PowerTrench®, 40 В, 240 А | Fairchild Semiconductor |
MOSFET |
N | 1 | 40 | - | - | - | - | 0.9 | 240 | 357 |
|
|
FDMS86350ET80 | N-канальный MOSFET транзистор, выполненный по технологии PowerTrench®, 80 В, 190 А | Fairchild Semiconductor |
MOSFET |
N | 1 | 80 | - | - | - | - | 2.4 | 198 | 187 |
Power 56 |
|
FQA170N06 | 60V N-Channel MOSFET | Fairchild Semiconductor |
MOSFET |
N | 1 | 60 | - | - | - | - | 4.5 | 170 | 375 |
TO-3PN |
|
FDBL0630N150 | N-канальный MOSFET транзистор, выполненный по технологии PowerTrench®, 150 В, 169 А | Fairchild Semiconductor |
MOSFET |
N | 1 | 150 | - | - | - | - | 6.3 | 169 | 500 |
|
|
FDP047N08 | N-Channel PowerTrench MOSFET | Fairchild Semiconductor |
MOSFET |
N | 1 | 75 | - | - | - | - | 3.7 | 164 | 268 |
TO-220 |
|
FDMT800100DC | N-канальный MOSFET-транзистор с технологией Dual Cool 88, выполненный на основе техпроцесса PowerTrench®, 100 В, 162 А | Fairchild Semiconductor |
MOSFET |
N | 1 | 100 | - | - | - | - | 2.95 | 162 | 156 |
|
|
FDU8870 | N-Channel PowerTrench MOSFET 30V, 160A, 3.9m? | Fairchild Semiconductor |
MOSFET |
N | 1 | 30 | - | - | - | 3.6 | 3.2 | 160 | 160 |
|
|
FDD8870 | N-Channel PowerTrench MOSFET 30V, 160A, 3.9m? | Fairchild Semiconductor |
MOSFET |
N | 1 | 30 | - | - | - | 3.6 | 3.2 | 160 | 160 |
D-PAK |
|
FQA160N08 | 80V N-Channel MOSFET | Fairchild Semiconductor |
MOSFET |
N | 1 | 80 | - | - | - | - | 5.6 | 160 | 375 |
TO-3PN |
|
FQA160N08 | 80V N-Channel MOSFET | Fairchild Semiconductor |
MOSFET |
N | 1 | 80 | - | - | - | - | 5.6 | 160 | 375 |
TO-3PN |
|
FDB8870 | N-Channel PowerTrench MOSFET | Fairchild Semiconductor |
MOSFET |
N | 1 | 30 | - | - | - | 3.8 | 3.2 | 160 | 160 |
|
|
FDP8870 | N-Channel PowerTrench MOSFET | Fairchild Semiconductor |
MOSFET |
N | 1 | 30 | - | - | - | 4 | 3.4 | 156 | 160 |
TO-220AB |
|
FDD8444 | N-Channel PowerTrench MOSFET | Fairchild Semiconductor |
MOSFET |
N | 1 | 40 | - | - | - | - | 4 | 145 | 153 |
D-PAK |
|
FDMS7660 | N-канальный MOSFET-транзистор PowerTrench® 30 В, 42 А, 2.8 мОм | Fairchild Semiconductor |
MOSFET |
N | 1 | 30 | - | - | - | 2.7 | 1.9 | 144 | 78 |
Power 56 |