Компоненты группы MOSFET транзисторы

 
Название:
Описание
Производитель:
Группа компонентов
Полярность
Каналов (шт)
VDS (В)
RDS(ON) 1.8 В (мОм)
RDS(ON) 2,5 В (мОм)
RDS(ON) 2,7 В (мОм)
RDS(ON) 4.5 В (мОм)
RDS(ON) 10 В (мОм)
ID (А)
PD (Вт)
Корпус
Страницы: 1 2 3 4 5 ... 60 следующая

Название Описание PDF Производитель Группа компонент Полярность Каналов
шт
VDS
В
RDS(ON) 1.8 В
мОм
RDS(ON) 2,5 В
мОм
RDS(ON) 2,7 В
мОм
RDS(ON) 4.5 В
мОм
RDS(ON) 10 В
мОм
ID
А
PD
Вт
Корпус
                               
FDBL0065N40 N-канальный MOSFET транзистор, выполненный по технологии PowerTrench®, 40 В, 300 А Fairchild Semiconductor MOSFET
N 1 40 - - - - 0.65 300 429 H-PSOF
FDMT80060DC N-канальный MOSFET-транзистор с технологией Dual Cool 88, выполненный на основе техпроцесса PowerTrench®, 60 В, 292 А Fairchild Semiconductor MOSFET
N 1 60 - - - - 1.1 292 156 PQFN 8x8
FDI025N06 N-Channel PowerTrench MOSFET Fairchild Semiconductor MOSFET
N 1 60 - - - - 1.9 265 395 TO-262
I2PAK
FDMT80080DC N-канальный MOSFET-транзистор с технологией Dual Cool 88, выполненный на основе техпроцесса PowerTrench®, 80 В, 254 А Fairchild Semiconductor MOSFET
N 1 80 - - - - 1.35 254 156 PQFN 8x8
FDMS86550ET60 N-канальный MOSFET транзистор, выполненный по технологии PowerTrench®, 60 В, 245 А Fairchild Semiconductor MOSFET
N 1 60 - - - - 1.65 245 187 Power 56
FDBL0120N40 N-канальный MOSFET транзистор, выполненный по технологии PowerTrench®, 40 В, 240 А Fairchild Semiconductor MOSFET
N 1 40 - - - - 1.2 240 300 H-PSOF
FDBL0090N40 N-канальный MOSFET транзистор, выполненный по технологии PowerTrench®, 40 В, 240 А Fairchild Semiconductor MOSFET
N 1 40 - - - - 0.9 240 357 H-PSOF
FDMS86350ET80 N-канальный MOSFET транзистор, выполненный по технологии PowerTrench®, 80 В, 190 А Fairchild Semiconductor MOSFET
N 1 80 - - - - 2.4 198 187 Power 56
FQA170N06 60V N-Channel MOSFET Fairchild Semiconductor MOSFET
N 1 60 - - - - 4.5 170 375 TO-3PN
FDBL0630N150 N-канальный MOSFET транзистор, выполненный по технологии PowerTrench®, 150 В, 169 А Fairchild Semiconductor MOSFET
N 1 150 - - - - 6.3 169 500 H-PSOF
FDP047N08 N-Channel PowerTrench MOSFET Fairchild Semiconductor MOSFET
N 1 75 - - - - 3.7 164 268 TO-220
FDMT800100DC N-канальный MOSFET-транзистор с технологией Dual Cool 88, выполненный на основе техпроцесса PowerTrench®, 100 В, 162 А Fairchild Semiconductor MOSFET
N 1 100 - - - - 2.95 162 156 PQFN 8x8
FDU8870 N-Channel PowerTrench MOSFET 30V, 160A, 3.9m? Fairchild Semiconductor MOSFET
N 1 30 - - - 3.6 3.2 160 160 I-PAK
FDD8870 N-Channel PowerTrench MOSFET 30V, 160A, 3.9m? Fairchild Semiconductor MOSFET
N 1 30 - - - 3.6 3.2 160 160 D-PAK
FQA160N08 80V N-Channel MOSFET Fairchild Semiconductor MOSFET
N 1 80 - - - - 5.6 160 375 TO-3PN
FQA160N08 80V N-Channel MOSFET Fairchild Semiconductor MOSFET
N 1 80 - - - - 5.6 160 375 TO-3PN
FDB8870 N-Channel PowerTrench MOSFET Fairchild Semiconductor MOSFET
N 1 30 - - - 3.8 3.2 160 160 TO-263AB
FDP8870 N-Channel PowerTrench MOSFET Fairchild Semiconductor MOSFET
N 1 30 - - - 4 3.4 156 160 TO-220AB
FDD8444 N-Channel PowerTrench MOSFET Fairchild Semiconductor MOSFET
N 1 40 - - - - 4 145 153 D-PAK
FDMS7660 N-канальный MOSFET-транзистор PowerTrench® 30 В, 42 А, 2.8 мОм Fairchild Semiconductor MOSFET
N 1 30 - - - 2.7 1.9 144 78 Power 56
Страницы: 1 2 3 4 5 ... 60 следующая




подписка на новости

Подпишись на новости!

Продажа силового и бронированного кабеля и провода в Москве



Мероприятия:

17-я международная выставка ChipEXPO - 2019