Главная > Документация > Дискретные компоненты > Транзисторы

Компоненты группы MOSFET транзисторы

Название:
Описание
Производитель:
Группа компонентов
Полярность
Каналов (шт)
V_DS (В)
R_DS(ON) 1.8 В (мОм)
R_DS(ON) 2,5 В (мОм)
R_DS(ON) 2,7 В (мОм)
R_DS(ON) 4.5 В (мОм)
R_DS(ON) 10 В (мОм)
I_D (А)
P_D (Вт)
Корпус

Страницы: 1 2 3 4 5 ... 60 следующая

Название	Описание	PDF	Производитель	Группа компонент	Полярность	Каналов шт	V_DS В	R_DS(ON) 1.8 В мОм	R_DS(ON) 2,5 В мОм	R_DS(ON) 2,7 В мОм	R_DS(ON) 4.5 В мОм	R_DS(ON) 10 В мОм	I_D А	P_D Вт	Корпус

FDMC86261P	P-канальный MOSFET-транзистор с напряжением сток-исток -150 В, выполненный по технологии PowerTrench®		Fairchild Semiconductor	MOSFET	P	1	-150	-	-	-	-	160	-9	40	MLP 3.3x3.3
FQP15P12	120V P-Channel QFET®		Fairchild Semiconductor	MOSFET	P	1	-120	-	-	-	-	200	-15	100	TO-220
FQPF15P12	120V P-Channel QFET®		Fairchild Semiconductor	MOSFET	P	1	-120	-	-	-	-	200	-15	41	TO-220F
FDMC86139P	P-канальный MOSFET-транзистор с напряжением сток-исток -100 В, выполненный по технологии PowerTrench®		Fairchild Semiconductor	MOSFET	P	1	-100	-	-	-	-	67	-15	40	MLP 3.3x3.3
FQD17P06	60V P-Channel QFET® MOSFET		Fairchild Semiconductor	MOSFET	P	1	-60	-	-	-	-	135	-12	44	D-PAK
NDS9948	Dual P-Channel PowerTrench® MOSFET		Fairchild Semiconductor	MOSFET	P	2	-60	-	-	-	500	250	-2.3	2	SOIC-8
FDN5618P	60V P-Channel PowerTrench® Specified MOSFET		Fairchild Semiconductor	MOSFET	P	1	-60	-	-	-	185	148	-5	0.5	SuperSOT -3
FQU17P06	60V P-Channel QFET® MOSFET		Fairchild Semiconductor	MOSFET	P	1	-60	-	-	-	-	135	-12	44	I-PAK
FDD4685	-40V P-Channel PowerTrench® MOSFET		Fairchild Semiconductor	MOSFET	P	1	-40	-	-	-	35	27	-8.4	69	D-PAK
FDD4243	40V P-Channel PowerTrench® MOSFET		Fairchild Semiconductor	MOSFET	P	1	-40	-	-	-	64	44	-6.7	42	D-PAK
FDMS6681Z	P-канальный MOSFET транзистор PowerTrench® -30 В, -49 А, 3.2 мОм		Fairchild Semiconductor	MOSFET	P	1	-30	-	-	-	5	3.2	49	73	Power 56
FDMS6673BZ	P-канальный MOSFET транзистор PowerTrench® -30 В, -28 А, 6.8 мОм		Fairchild Semiconductor	MOSFET	P	1	-30	-	-	-	12.5	6.8	28	73	Power 56
FDN360P	Single P-Channel PowerTrench® MOSFET		Fairchild Semiconductor	MOSFET	P	1	-30	-	-	-	100	63	-10	0.5	SuperSOT -3
FDN358P	Single P-Channel, Logic Level, PowerTrench® MOSFET		Fairchild Semiconductor	MOSFET	P	1	-30	-	-	-	161	105	-1.5	0.5	SuperSOT -3
FDMC6675BZ	P-канальный MOSFET-транзистор PowerTrench® -30 В, 20 А, 14.4 мОм		Fairchild Semiconductor	MOSFET	P	1	-30	-	-	-	27	14.4	20	36	MLP-8
FDMC6679AZ	P-канальный MOSFET-транзистор PowerTrench® -30 В, 20 А, 10 мОм		Fairchild Semiconductor	MOSFET	P	1	-30	-	-	-	18	10	20	41	MLP-8
FDY2000PZ	-20V Dual P-Channel Specified PowerTrench® MOSFET		Fairchild Semiconductor	MOSFET	P	2	-20	2700	1600	-	1200	-	-0.35	0.625	SOT-563
FDMC510P	P-канальный MOSFET-транзистор PowerTrench® -20 В, 18 А, 8.0 мОм		Fairchild Semiconductor	MOSFET	P	1	-20	13	-	-	8	-	18	41	MLP-8
FDME910PZT	P-канальные MOSFET-транзисторы PowerTrench® -20В, -8А		Fairchild Semiconductor	MOSFET	P	1	-20	45	31	-	24	-	-8	2.1	MicroFET
FDMA910PZ	P-канальные MOSFET-транзисторы PowerTrench® -20В, -9.4А		Fairchild Semiconductor	MOSFET	P	1	-20	34	24	-	20	-	-9.4	2.4	MicroFET

Страницы: 1 2 3 4 5 ... 60 следующая

Подпишись на новости!

Продажа силового и бронированного кабеля и провода в Москве

Мероприятия:

17-я международная выставка ChipEXPO - 2019

Поиск				В компонентах В документах По PDF базе По фирмам
		по всем полям Расширенный поиск