Компоненты группы NVSRAM

 
Название:
Описание
Производитель:
Группа компонентов
Организация: Слов (K)
Организация: Разрядов (бит)
ICC(STB) (мкА)
ICC (мА)
Время
выборки (нс)
VCC (В) От до
TA (°C) От до
Корпус
Страницы: 1 2 3 4 5 следующая

Название Описание PDF Производитель Группа компонент Организация ICC(STB)
мкА
ICC
мА
Время
выборки
нс
VCC
В
TA
°C
Корпус
Слов
K
Разрядов
бит
                         
DS2045AB Однокристальная энергонезависимая SRAM объемом 1Мб Maxim Integrated NVSRAM
128 8 5000 85 70 4.75 ... 5.25 -40 ... 85 PBGA-256
DS2045Y Однокристальная энергонезависимая SRAM объемом 1Мб Maxim Integrated NVSRAM
128 8 5000 85 70 4.5 ... 5.5 -40 ... 85 PBGA-256
DS2045W Однокристальная энергонезависимая SRAM объемом 1Мб и напряжением 3.3В Maxim Integrated NVSRAM
128 8 5000 50 100 3 ... 3.6 -40 ... 85 PBGA-256
DS2045L Однокристальная энергонезависимая SRAM объемом 1Мб и напряжением 3.3В Maxim Integrated NVSRAM
128 8 1000 50 100 3 ... 3.6 -40 ... 85 PBGA-256
DS2030AB Однокристальная энергонезависимая SRAM объемом 256Кб Maxim Integrated NVSRAM
32 8 5000 85 70 4.75 ... 5.25 -40 ... 85 PBGA-256
DS2030Y Однокристальная энергонезависимая SRAM объемом 256Кб Maxim Integrated NVSRAM
32 8 5000 85 70 4.5 ... 5.5 -40 ... 85 PBGA-256
DS2030W Однокристальная энергонезависимая SRAM объемом 256Кб и напряжением 3.3В Maxim Integrated NVSRAM
32 8 5000 50 100 3 ... 3.6 -40 ... 85 PBGA-256
DS2065W Однокристальная энергонезависимая SRAM объемом 8Мб и напряжением 3.3В Maxim Integrated NVSRAM
1024 8 5000 50 100 3 ... 3.6 -40 ... 85 PBGA-256
DS1254Y Энергонезависимая SRAM 2Мх8 со скрытыми часами реального времени Maxim Integrated NVSRAM
2048 8 5000 85 100 4.5 ... 5.5 0 ... 70 BGA-168
DS1254W Энергонезависимая SRAM 2Мх8 со скрытыми часами реального времени Maxim Integrated NVSRAM
2048 8 3000 50 150 3 ... 3.7 0 ... 70 BGA-168
DS1345Y Энергонезависимая SRAM емкостью 1024К со встроенной литиевой батареей Maxim Integrated NVSRAM
128 8 150 85 70 4.5 ... 5.5 -40 ... 85 PCM-34
DS1345AB Энергонезависимая SRAM емкостью 1024К со встроенной литиевой батареей Maxim Integrated NVSRAM
128 8 150 85 70 4.75 ... 5.25 -40 ... 85 PCM-34
DS1345W Энергонезависимая SRAM емкостью 1024К со встроенной литиевой батареей и напряжением питания 3.3В Maxim Integrated NVSRAM
128 8 150 50 100 3 ... 3.6 -40 ... 85 PCM-34
DS1245AB Энергонезависимая SRAM емкостью 1024Кб Maxim Integrated NVSRAM
128 8 150 85 70 4.75 ... 5.25 -40 ... 85 MOD-32
PCM-34
DS1245Y Энергонезависимая SRAM емкостью 1024Кб Maxim Integrated NVSRAM
128 8 150 85 70 4.5 ... 5.5 -40 ... 85 MOD-32
PCM-34
DS1245W Энергонезависимая SRAM емкостью 1024Кб и напряжением питания 3.3В Maxim Integrated NVSRAM
128 8 150 50 100 3 ... 3.6 -40 ... 85 MOD-32
PCM-34
DS1248Y Энергонезависимая SRAM емкостью 1024кбит со скрытыми часами реального времени Maxim Integrated NVSRAM
128 8 5000 85 70 4.5 ... 5.5 -40 ... 85 MOD-32
PCM-34
DS1248W Энергонезависимая SRAM емкостью 1024кбит со скрытыми часами реального времени Maxim Integrated NVSRAM
128 8 3000 50 120 3 ... 3.6 -40 ... 85 MOD-32
PCM-34
DS1258Y Энергонезависимая SRAM емкостью 128Кx16 Maxim Integrated NVSRAM
128 16 300 170 70 4.5 ... 5.5 -40 ... 85 MOD-40
DS1258AB Энергонезависимая SRAM емкостью 128Кx16 Maxim Integrated NVSRAM
128 16 300 170 70 4.75 ... 5.25 -40 ... 85 MOD-40
Страницы: 1 2 3 4 5 следующая




подписка на новости

Подпишись на новости!

Продажа силового и бронированного кабеля и провода в Москве



Мероприятия:

17-я международная выставка ChipEXPO - 2019