Компоненты группы NVSRAM

 
Название:
Описание
Производитель:
Группа компонентов
Организация: Слов (K)
Организация: Разрядов (бит)
ICC(STB) (мкА)
ICC (мА)
Время
выборки (нс)
VCC (В) От до
TA (°C) От до
Корпус
Страницы: 1 2 3 4 5 следующая

Название Описание PDF Производитель Группа компонент Организация ICC(STB)
мкА
ICC
мА
Время
выборки
нс
VCC
В
TA
°C
Корпус
Слов
K
Разрядов
бит
                         
DS2227 Энергонезависимая SRAM с гибкой архитектурой: 128k x 32; 256k x 16; 512k x 8 Maxim Integrated NVSRAM
512 8 - 280 70 4.5 ... 5.5 0 ... 70 SIMM-72
DS1250Y Энергонезависимая SRAM емкостью 4096Кб Maxim Integrated NVSRAM
512 8 150 85 70 4.5 ... 5.5 -40 ... 85 MOD-32
PCM-34
DS1250AB Энергонезависимая SRAM емкостью 4096Кб Maxim Integrated NVSRAM
512 8 150 85 70 4.75 ... 5.25 -40 ... 85 MOD-32
PCM-34
DS1249Y Энергонезависимая SRAM емкостью 2048Кб Maxim Integrated NVSRAM
256 8 150 85 70 4.5 ... 5.5 -40 ... 85 MOD-32
DS1249AB Энергонезависимая SRAM емкостью 2048Кб Maxim Integrated NVSRAM
256 8 150 85 70 4.75 ... 5.25 -40 ... 85 MOD-32
DS1245Y Энергонезависимая SRAM емкостью 1024Кб Maxim Integrated NVSRAM
128 8 150 85 70 4.5 ... 5.5 -40 ... 85 MOD-32
PCM-34
DS1245AB Энергонезависимая SRAM емкостью 1024Кб Maxim Integrated NVSRAM
128 8 150 85 70 4.75 ... 5.25 -40 ... 85 MOD-32
PCM-34
DS1230Y Энергонезависимая SRAM емкостью 256Кб Maxim Integrated NVSRAM
32 8 150 85 70 4.5 ... 5.5 -40 ... 85 MOD-28
PCM-34
DS1230AB Энергонезависимая SRAM емкостью 256Кб Maxim Integrated NVSRAM
32 8 150 85 70 4.75 ... 5.25 -40 ... 85 MOD-28
PCM-34
DS1350W Энергонезависимая SRAM емкостью 4096К со встроенной литиевой батареей и напряжением питания 3.3В Maxim Integrated NVSRAM
512 8 150 50 100 3 ... 3.6 -40 ... 85 PCM-34
DS1265W Энергонезависимая SRAM емкостью 8 Мб с напряжением питания 3,3 В Maxim Integrated NVSRAM
1024 8 150 50 100 3 ... 3.6 -40 ... 85 MOD-36
DS1345W Энергонезависимая SRAM емкостью 1024К со встроенной литиевой батареей и напряжением питания 3.3В Maxim Integrated NVSRAM
128 8 150 50 100 3 ... 3.6 -40 ... 85 PCM-34
DS1330W Энергонезависимая SRAM емкостью 256К со встроенной литиевой батареей и напряжением питания 3.3В Maxim Integrated NVSRAM
32 8 150 50 100 3 ... 3.6 -40 ... 85 PCM-34
DS1250W Энергонезависимая SRAM емкостью 4096Кб и напряжением питания 3.3В Maxim Integrated NVSRAM
512 8 150 50 100 3 ... 3.6 -40 ... 85 MOD-32
PCM-34
DS1245W Энергонезависимая SRAM емкостью 1024Кб и напряжением питания 3.3В Maxim Integrated NVSRAM
128 8 150 50 100 3 ... 3.6 -40 ... 85 MOD-32
PCM-34
DS1230W Энергонезависимая SRAM емкостью 256Кб и напряжением питания 3.3В Maxim Integrated NVSRAM
32 8 150 50 100 3 ... 3.6 -40 ... 85 MOD-28
PCM-34
DS1350Y Энергонезависимая SRAM емкостью 4096К со встроенной литиевой батареей Maxim Integrated NVSRAM
512 8 150 85 70 4.5 ... 5.5 -40 ... 85 PCM-34
DS1350AB Энергонезависимая SRAM емкостью 4096К со встроенной литиевой батареей Maxim Integrated NVSRAM
512 8 150 85 70 4.75 ... 5.25 -40 ... 85 PCM-34
DS1249W Энергонезависимая SRAM емкостью 2048 Кб с напряжением питания 3,3 В Maxim Integrated NVSRAM
256 8 150 50 100 3 ... 3.6 -40 ... 85 MOD-32
DS1345Y Энергонезависимая SRAM емкостью 1024К со встроенной литиевой батареей Maxim Integrated NVSRAM
128 8 150 85 70 4.5 ... 5.5 -40 ... 85 PCM-34
Страницы: 1 2 3 4 5 следующая




подписка на новости

Подпишись на новости!

Продажа силового и бронированного кабеля и провода в Москве



Мероприятия:

17-я международная выставка ChipEXPO - 2019