Компоненты группы NVSRAM

 
Название:
Описание
Производитель:
Группа компонентов
Организация: Слов (K)
Организация: Разрядов (бит)
ICC(STB) (мкА)
ICC (мА)
Время
выборки (нс)
VCC (В) От до
TA (°C) От до
Корпус
Страницы: 1 2 3 4 5 следующая

Название Описание PDF Производитель Группа компонент Организация ICC(STB)
мкА
ICC
мА
Время
выборки
нс
VCC
В
TA
°C
Корпус
Слов
K
Разрядов
бит
                         
DS2070W Энергонезависимая SRAM объемом 16Мб и напряжением 3.3В Maxim Integrated NVSRAM
2048 8 5000 50 100 3 ... 3.6 -40 ... 85 PBGA-256
DS1556W Энергонезависимая SRAM объемом 1Мб с Y2K-совместимыми часами реального времени Maxim Integrated NVSRAM
128 8 4000 30 120 3 ... 3.6 -40 ... 85 MOD-32
PCM-34
DS1553W Энергонезависимая SRAM объемом 64Кб с Y2K-совместимыми часами реального времени Maxim Integrated NVSRAM
8 8 2000 30 120 3 ... 3.6 0 ... 70 MOD-28
PCM-34
DS1254W Энергонезависимая SRAM 2Мх8 со скрытыми часами реального времени Maxim Integrated NVSRAM
2048 8 3000 50 150 3 ... 3.7 0 ... 70 BGA-168
DS1244W Энергонезависимая SRAM емкостью 256 кбит со скрытыми часами реального времени Maxim Integrated NVSRAM
32 8 3000 50 120 3 ... 3.6 -40 ... 85 MOD-28
PCM-34
DS1557W Энергонезависимая SRAM объемом 4Мб с Y2K-совместимыми часами реального времени Maxim Integrated NVSRAM
512 8 4000 30 120 3 ... 3.6 -40 ... 85 PCM-34
DS1270W Энергонезависимая SRAM емкостью 16 Мбит с напряжением питания 3,3В Maxim Integrated NVSRAM
2048 8 200 50 100 3 ... 3.6 -40 ... 85 MOD-36
DS1350W Энергонезависимая SRAM емкостью 4096К со встроенной литиевой батареей и напряжением питания 3.3В Maxim Integrated NVSRAM
512 8 150 50 100 3 ... 3.6 -40 ... 85 PCM-34
DS1554W Энергонезависимая SRAM объемом 256Кб с Y2K-совместимыми часами реального времени Maxim Integrated NVSRAM
32 8 4000 30 120 3 ... 3.6 -40 ... 85 MOD-32
PCM-34
DS1265W Энергонезависимая SRAM емкостью 8 Мб с напряжением питания 3,3 В Maxim Integrated NVSRAM
1024 8 150 50 100 3 ... 3.6 -40 ... 85 MOD-36
DS1345W Энергонезависимая SRAM емкостью 1024К со встроенной литиевой батареей и напряжением питания 3.3В Maxim Integrated NVSRAM
128 8 150 50 100 3 ... 3.6 -40 ... 85 PCM-34
DS1251W Энергонезависимая SRAM емкостью 4096Кбит со скрытыми часами реального времени Maxim Integrated NVSRAM
512 8 3000 50 120 3 ... 3.6 -40 ... 85 MOD-32
PCM-34
DS1330W Энергонезависимая SRAM емкостью 256К со встроенной литиевой батареей и напряжением питания 3.3В Maxim Integrated NVSRAM
32 8 150 50 100 3 ... 3.6 -40 ... 85 PCM-34
DS1248W Энергонезависимая SRAM емкостью 1024кбит со скрытыми часами реального времени Maxim Integrated NVSRAM
128 8 3000 50 120 3 ... 3.6 -40 ... 85 MOD-32
PCM-34
DS2030W Однокристальная энергонезависимая SRAM объемом 256Кб и напряжением 3.3В Maxim Integrated NVSRAM
32 8 5000 50 100 3 ... 3.6 -40 ... 85 PBGA-256
DS1747W Энергонезависимая SRAM с Y2K-совместимыми часами реального времени Maxim Integrated NVSRAM
512 8 2000 30 120 3 ... 3.6 -40 ... 85 MOD-32
PCM-34
DS1258W Энергонезависимая SRAM емкостью 128Кx16 и напряжением питания 3.3В Maxim Integrated NVSRAM
128 16 250 100 100 3 ... 3.6 -40 ... 85 MOD-40
DS1250W Энергонезависимая SRAM емкостью 4096Кб и напряжением питания 3.3В Maxim Integrated NVSRAM
512 8 150 50 100 3 ... 3.6 -40 ... 85 MOD-32
PCM-34
DS1746W Энергонезависимая SRAM с Y2K-совместимыми часами реального времени Maxim Integrated NVSRAM
128 8 2000 30 120 3 ... 3.6 -40 ... 85 MOD-32
PCM-34
DS2045W Однокристальная энергонезависимая SRAM объемом 1Мб и напряжением 3.3В Maxim Integrated NVSRAM
128 8 5000 50 100 3 ... 3.6 -40 ... 85 PBGA-256
Страницы: 1 2 3 4 5 следующая




подписка на новости

Подпишись на новости!

Продажа силового и бронированного кабеля и провода в Москве



Мероприятия:

17-я международная выставка ChipEXPO - 2019