+ SiA810DJ, P-Channel 20-V (D-S) MOSFET with Trench Schottky Diode
 

Поиск

 l l
 
Расширенный поиск
 

SiA810DJ P-Channel 20-V (D-S) MOSFET with Trench Schottky Diode

 

Блок-схема

SiA810DJ, P-Channel 20-V (D-S) MOSFET with Trench Schottky Diode
Увеличить

Группа компонентов

MOSFET

Основные параметры

Полярность N
Каналов,шт 2
VDS,В 20
RDS(ON) 1.8 В,мОм 62
RDS(ON) 2,7 В,мОм 52
RDS(ON) 4.5 В,мОм 43
ID,А 4.5
PD,Вт 6.5
Корпус PowerPAK SC70-6
Datasheet
 
SiA810DJ (135.7 Кб), 21.05.2008

Производитель
 

Где купить
 


Дистрибуторы

Дилеры

Где купить ещё

Datasheet

SiA810DJ P-Channel 20-V (D-S) MOSFET with Trench Schottky Diode (135.7 Кб), 21.05.2008



Автор документа: Оксана Данова, http://www.gaw.ru
 Кол-во просмотров: 681 		Дата публикации: 21.05.2008 16:07
Дата редактирования: 21.05.2008 16:10

подписка на новости

Подпишись на новости!
Продажа силового и бронированного кабеля и провода в Москве



Мероприятия:

17-я международная выставка ChipEXPO - 2019



SKYPE: tutor1970 | тел. редакции: (995) 900 6254 | email: admin@eust.ru

© 1998-2023 Рынок Микроэлектроники