STF25N60M2-EP Силовой N-канальный MOSFET-транзистор, произведённый по технологии MDmesh™ M2 EP, с рабочим напряжением 600 В, током 18 А
Блок-схема Увеличить Группа компонентов MOSFETОсновные параметры
Общее описаниеОтличительные особенности:
Область применения:
|
|
Datasheet
STF25N60M2-EP Силовой N-канальный MOSFET-транзистор, произведённый по технологии MDmesh™ M2 EP, с рабочим напряжением 600 В, током 18 А (658.4 Кб), 23.11.2016Связанные документы
Новые компонентыSTMicroelectronics: STF25N60M2-EP — силовой N-канальный MOSFET-транзистор, произведённый по технологии MDmesh™ M2 EP, с рабочим напряжением 600 В, током 18 А и сопротивлением открытого канала 0.175 Ом (3 Кб), 23.11.2016
Автор документа: Жанна Свирина,
|
Дата публикации: 23.11.2016 09:40 Дата редактирования: 23.11.2016 09:49 |