FDMS86181 N-канальный MOSFET транзистор на 100 В / 124 А и экранированным затвором, выполненный по технологии PowerTrench®

 

Блок-схема

FDMS86181, N-канальный MOSFET транзистор на 100 В / 124 А и экранированным затвором, выполненный по технологии PowerTrench®
Увеличить

Группа компонентов

MOSFET

Основные параметры

Полярность N
Каналов,шт 1
VDS 100
RDS(ON) 10 В,мОм 4.2
ID 124
PD,Вт 125
Корпус Power 56

Общее описание

Отличительные особенности:

  • Высокий показатель добротности (FOM) — малое произведение сопротивления открытого канала на заряд затвора (RDS(ON) × QG)
  • Низкий заряд обратного восстановления Qrr
  • Встроенный шунтирующий диод с плавным обратным восстановлением
  • Позволяет создавать схемы синхронного выпрямления с высоким КПД
  • Максимальное напряжение сток-исток: 100 В
  • Максимальный постоянный ток стока: 124 А
  • Рабочая температура перехода: от -55°C до +150°C
  • 8-выводной корпус для поверхностного монтажа Power 56

Область применения:

  • Каскады синхронного выпрямления сетевых источников питания
  • Преобразователи постоянного напряжения с гальванической развязкой
  • Зарядные устройства аккумуляторов со схемой защиты
  • Драйверы двигателей постоянного тока
  • Миниатюрные солнечные инверторы
  • Источники бесперебойного питания и системы резервного энергоснабжения
Datasheet
 
FDMS86181 (395.2 Кб), 22.08.2016

Производитель
 

Где купить
 

Поставки и консультации:

Дистрибуторы

Дилеры

Где купить ещё

Datasheet

FDMS86181 N-канальный MOSFET транзистор на 100 В / 124 А и экранированным затвором, выполненный по технологии PowerTrench® (395.2 Кб), 22.08.2016




Автор документа: Жанна Свирина, http://www.gaw.ru
Кол-во просмотров: 384
Дата публикации: 22.08.2016 16:13
Дата редактирования: 22.08.2016 16:15


подписка на новости

Подпишись на новости!

Продажа силового и бронированного кабеля и провода в Москве



Мероприятия:

17-я международная выставка ChipEXPO - 2019