+ NXH80T120L2Q0PG, Интегрированный силовой IGBT модуль на 1200 В / 80 А
 

Поиск

 l l
 
Расширенный поиск
 

NXH80T120L2Q0PG Интегрированный силовой IGBT модуль на 1200 В / 80 А

 

Блок-схема

NXH80T120L2Q0PG, Интегрированный силовой IGBT модуль на 1200 В / 80 А
Увеличить

Группа компонентов

IGBT Модули

Основные параметры

VCES,В 1200
Рабочий ток: IC,А 80
Рабочий ток: При TC,°C 80
VCE(sat),В 2.8
td(on) (тип.),нс 20
tr (тип.),нс 28
td(off) (тип.),нс 280
EON (тип.),мДж 0.67
EOFF (тип.),мДж 1.3
PD,Вт 146
Кол-во ключей 3
Конфигурация Полумост
NTC Нет
TA,°C от -40 до 150
Корпус Q0PACK

Общее описание

Отличительные особенности:

  • Максимальное рабочее напряжение коллектор-эмиттер VCES IGBT-транзистора:
    • В полу-мостовой конфигурации: 1200 В
    • С фиксированной нейтральной точкой: 600 В
  • Максимальный ток коллектора IC IGBT-транзистора:
    • В полу-мостовой конфигурации: 80 А
    • С фиксированной нейтральной точкой: 50 А
  • Модуль выполнен на высокоэффективных IGBT-транзисторах с технологией Trench Field Stop II
  • Высокая плотность мощности
  • Низкая индуктивность схемы

Область применения:

  • Инверторы солнечных панелей
  • Инверторы источников бесперебойного питания
Datasheet
 
NXH80T120L2Q0PG, NXH80T120L2Q0SG (172.7 Кб), 24.06.2016

Производитель
 

Где купить
 


Дистрибуторы

Дилеры

Где купить ещё

Datasheet

NXH80T120L2Q0PG, NXH80T120L2Q0SG Интегрированный силовой IGBT модуль на 1200 В / 80 А (172.7 Кб), 24.06.2016



Автор документа: Жанна Свирина, http://www.gaw.ru
 Кол-во просмотров: 619 		Дата публикации: 24.06.2016 15:13
Дата редактирования: 24.06.2016 15:37

подписка на новости

Подпишись на новости!
Продажа силового и бронированного кабеля и провода в Москве



Мероприятия:

17-я международная выставка ChipEXPO - 2019



SKYPE: tutor1970 | тел. редакции: (995) 900 6254 | email: admin@eust.ru

© 1998-2023 Рынок Микроэлектроники