+ ACPL-335J, Интеллектуальный оптрон для управления затворами силовых MOSFET-транзисторов в высокочастотных приложениях
 

ACPL-335J Интеллектуальный оптрон для управления затворами силовых MOSFET-транзисторов в высокочастотных приложениях

 

Блок-схема

ACPL-335J, Интеллектуальный оптрон для управления затворами силовых MOSFET-транзисторов в высокочастотных приложениях
Увеличить

Группа компонентов

Оптроны с драйвером MOSFET/IGBT

Основные параметры

Каналов,шт 1
IF,мА от 10 до 16
IOUT (макс.) 2.5
CMR (мин.),В/мкс 50
VISO 5000
tPHL (макс.),нс 250
tPLH (макс.),нс 250
VCC от 12 до 20
TA,°C от -40 до 105
Корпус SOIC-16

Общее описание

Отличительные особенности:

  • Максимальный ток затвора, обусловленный наличием емкости Миллера: 1.9 А
  • Встроенные функции защиты MOSFET-транзисторов:
    • Обнаружение момента выхода из состояния насыщения (DESAT), защита с отключением и обратной связью
    • Защита от недопустимого падения входного питания (UVLO) с обратной связью
  • Максимальная задержка распространения сигнала вход-выход во всем диапазоне рабочих температур: 250 нс
  • Искажение длительности паузы управляющего импульса: от -100 нс до +15 нс
  • Минимальный уровень подавления синфазных помех при величине помехи VCM = 1500 В: 50 кВ/мкс
  • Широкий диапазон напряжения питания: от 12 В до 20 В
  • Промышленный диапазон рабочих температур: от -40°C до +105°C
  • Соответствие стандартам безопасности:
    • UL (действие пробивного напряжения величиной 5000 В (скз.) в течение 1 мин.)
    • CSA
    • IEC/EN/DIN EN 60747-5-5 (действие пикового пробивного напряжения вход-выход VIORM = 1230 В)
  • 16-выводной корпус SO с длиной пути тока утечки и изолирующим промежутком 8 мм

Область применения:

  • Изолированные схемы управления затворами MOSFET-транзисторов
  • Зарядные устройства
  • Изолированные DC/DC конвертеры
  • Импульсные источники питания
Datasheet
 
ACPL-335J (1.1 Мб), 13.04.2016

Производитель
 

Где купить
 


Дистрибуторы

Дилеры

Где купить ещё

Datasheet

ACPL-335J Интеллектуальный оптрон для управления затворами силовых MOSFET-транзисторов в высокочастотных приложениях (1.1 Мб), 13.04.2016




Автор документа: Жанна Свирина, http://www.gaw.ru
Кол-во просмотров: 1145
Дата публикации: 13.04.2016 08:40
Дата редактирования: 13.04.2016 08:48


подписка на новости

Подпишись на новости!

Продажа силового и бронированного кабеля и провода в Москве



Мероприятия:

17-я международная выставка ChipEXPO - 2019