+ SiHA21N60EF, N-канальный MOSFET-транзистор с быстродействующим паразитным диодом
 

SiHA21N60EF N-канальный MOSFET-транзистор с быстродействующим паразитным диодом

 

Блок-схема

SiHA21N60EF, N-канальный MOSFET-транзистор с быстродействующим паразитным диодом

Группа компонентов

MOSFET

Основные параметры

Полярность N
Каналов,шт 1
VDS 600
RDS(ON) 10 В,мОм 176
ID 21
PD,Вт 36
Корпус TO-220FP

Общее описание

Схемотехника:

  • Транзисторы разработаны для схем с мягким переключением и переключением в нуле напряжения:
    • Полу-мостовые резонансные LLC-каскады
    • Мостовые каскады со сдвигом фазы
  • Могут использоваться в схемах с жестким переключением, при которых внутренний шунтирующий диод работает только в первом квадранте (никогда не переходит в открытое состояние):
    • Корректоры коэффициента мощности (PFC)
    • Двухтактный прямоходовой преобразователь
    • Обратноходовой преобразователь
    • Прямоходовой преобразователь
Datasheet
 
SiHA21N60EF (164.9 Кб), 23.11.2015

Производитель
 

Где купить
 


Дистрибуторы

Дилеры

Где купить ещё

Datasheet

SiHA21N60EF N-канальный MOSFET-транзистор с быстродействующим паразитным диодом (164.9 Кб), 23.11.2015




Автор документа: Жанна Свирина, http://www.gaw.ru
Кол-во просмотров: 307
Дата публикации: 23.11.2015 08:45
Дата редактирования: 23.11.2015 08:47


подписка на новости

Подпишись на новости!

Продажа силового и бронированного кабеля и провода в Москве



Мероприятия:

17-я международная выставка ChipEXPO - 2019