FDMC86570LET60 N-канальный MOSFET транзистор, выполненный по технологии PowerTrench®, 60 В, 87 А

 

Блок-схема

FDMC86570LET60, N-канальный MOSFET транзистор, выполненный по технологии PowerTrench®, 60 В, 87 А
Увеличить

Группа компонентов

MOSFET

Основные параметры

Полярность N
Каналов,шт 1
VDS 60
RDS(ON) 4.5 В,мОм 6.5
RDS(ON) 10 В,мОм 4.3
ID 87
PD,Вт 65
Корпус Power 33

Общее описание

Отличительные особенности:

  • Максимально допустимая рабочая температура перехода +175°C
  • Обладают на 10-85% большей плотностью мощности при соответствии требованиям стандарта IPC-9592
  • Самое низкое значение сопротивления открытого канала RDS(ON) и лучший показатель добротности FOM, повышающие КПД прибора
  • Увеличенная в три раза наработка на отказ
  • Сниженная в три раза интенсивность отказов

Область применения:

  • Киловаттные источники питания
  • Солнечные инверторы
  • Мощные электроинструменты
  • Авиационные приборы
  • Вилочные погрузчики, поезда и сельскохозяйственное оборудование
  • Сетевые источники питания малого форм-фактора
Datasheet
 
FDMC86570LET60 (284 Кб), 21.07.2015

Производитель
 

Где купить
 

Поставки и консультации:

Дистрибуторы

Дилеры

Где купить ещё

Datasheet

FDMC86570LET60 N-канальный MOSFET транзистор, выполненный по технологии PowerTrench®, 60 В, 87 А (284 Кб), 21.07.2015




Автор документа: Жанна Свирина, http://www.gaw.ru
Кол-во просмотров: 410
Дата публикации: 21.07.2015 09:28
Дата редактирования: 21.07.2015 09:30


подписка на новости

Подпишись на новости!

Продажа силового и бронированного кабеля и провода в Москве



Мероприятия:

17-я международная выставка ChipEXPO - 2019