Блок-схема
Группа компонентов
MOSFET
Основные параметры
Полярность |
N
|
Каналов,шт |
1
|
VDS,В |
650
|
RDS(ON) 10 В,мОм |
77
|
ID,А |
54
|
PD,Вт |
481
|
Корпус |
TO-247
|
Общее описание
Отличительные особенности:
- Высокий показатель добротности (FOM): заряд затвор-сток QGD = 11 нКл (при сопротивлении открытого канала 650 мОм)
- Низкое значение общего заряда затвора: QG = 27 нКл (при сопротивлении открытого канала 650 мОм)
- Низкое значение накопленной энергии EOSS: 2.8 мкДж при напряжении сток-исток 400 В и сопротивлении открытого канала 650 мОм
- Превосходные характеристики встроенного шунтирующего диода: время обратного восстановления tRR = 365 нс, заряд обратного восстановления QRR = 5.9 мкКл, максимальное прямое напряжение VF(MAX) = 1.2 В
- Высокая скорость нарастания выходного напряжения: более 100 В/нс
- Высокая скорость нарастания тока через диод: более 200 А/мкс
- Встроенный стабилитрон в цепи затвора для высокой стойкости к статическим разрядам
Область применения:
- Светодиодное освещение
- Солнечные инверторы
- Промышленные источники питания
- Автоматизация предприятий
- Интеллектуальные приборы учета
- Бытовые и профессиональные аудиосистемы
|
Datasheet
FCH077N65F_F085 (695.9 Кб), 02.07.2015
Производитель
Где купить
Поставки и консультации:
Дистрибуторы
Дилеры
Где купить ещё
|