BSC046N10NS3 G MOSFET-транзистор с напряжением сток-исток 100 В, выполненный по технологии OptiMOS™

 

Блок-схема

BSC046N10NS3 G, MOSFET-транзистор с напряжением сток-исток 100 В, выполненный по технологии OptiMOS™

Группа компонентов

MOSFET

Основные параметры

Полярность N
Каналов,шт 1
VDS 100
RDS(ON) 10 В,мОм 4.6
ID 100
PD,Вт 156
Корпус SuperSO8

Общее описание

Отличительные особенности:

  • Превосходные характеристики переключения
  • Самое низкое в мире сопротивление открытого канала RDS(ON)
  • Очень низкое значение заряда затвора QG и QGD
  • Улучшенное на 30% значение добротности (QG x RDS(ON))

Преимущества:

  • Высочайшая плотность мощности
  • Уменьшение необходимого количества параллельно включаемых транзисторов для увеличения нагрузочного тока
  • Самая малая монтажная площадь
  • Лёгко применимый для проектирования продукт

Область применения:

  • AC/DC инверторы
  • Местная вытяжная вентиляция (LEV)
  • Адаптеры питания
  • Потребительская электроника
  • Преобразователи постоянного напряжения
  • Схемы управления двигателем
  • Мощные инструменты
  • Импульсные источники питания
  • Солнечная энергетика
  • Телекоммуникации
Datasheet
 
BSC046N10NS3 G (554.8 Кб), 17.11.2014

Производитель
 

Где купить
 

Поставки и консультации:

Дистрибуторы

Дилеры

Где купить ещё

Datasheet

BSC046N10NS3 G MOSFET-транзистор с напряжением сток-исток 100 В, выполненный по технологии OptiMOS™ (554.8 Кб), 17.11.2014




Автор документа: Жанна Свирина, http://www.gaw.ru
Кол-во просмотров: 552
Дата публикации: 17.11.2014 11:23
Дата редактирования: 17.11.2014 11:25


подписка на новости

Подпишись на новости!

Продажа силового и бронированного кабеля и провода в Москве



Мероприятия:

17-я международная выставка ChipEXPO - 2019