Блок-схема
Группа компонентов
Оптроны с драйвером MOSFET/IGBT
Основные параметры
Каналов,шт |
1
|
IF,мА |
от 7 до 12
|
IOUT (макс.),А |
2.5
|
CMR (мин.),В/мкс |
50
|
VISO,В |
7500
|
tPHL (макс.),нс |
500
|
tPLH (макс.),нс |
500
|
VCC,В |
от 15 до 30
|
TA,°C |
от -40 до 105
|
Корпус |
SOIC-8<br>Stretched
|
Общее описание
Отличительные особенности и преимущества ACNT-Hxxx:
- Сертифицированы по стандартам безопасности CSA, UL и IEC
- IEC/EN/DIN EN 60747-5-5: Максимальное напряжение изоляции VIORM = 2 262 В
- UL1577: Напряжение пробоя изоляции VISO = 7 500 В (скз.)
- Прочная, надёжная и безотказная усиленная изоляция
- Длина пути тока утечки и изолирующий зазор 14.2 мм
- Компактный корпус SSO-8 с самым высоким уровнем изоляции
- Соответствует строгим регуляторным требованиям, предъявляемым к системам и оборудованию
- Большой выходной ток для управления затвором транзисторов и высокая помехоустойчивость (ACNT-H3xx)
- Минимальный ток управления затвором IGBT-транзистора: 2 А
- Высокий уровень подавления синфазных шумов: не менее 40 кВ/мкс при VCM = 1.5 кВ исключает ложные срабатывания в условиях сильных шумов
- Низкая потребляемая мощность (ACNT-H6xL)
- Менее 20 мВт
- Самая низкая мощность потребления в отрасли среди оптронов со скоростью передачи данных 10 МБод в компактном корпусе SSO-8
- Превосходная линейность и точность усиления (ACNT-H79x)
- Улучшенная технология аналогово-цифровой дельта-сигма модуляции с полностью дифференциальной изоляцией
- Величина нелинейности 0.05% и температурный дрейф усиления - 5х10-5 В/°C обеспечивают высокую точность
|
Datasheet
ACNT-H313 (433.7 Кб), 24.07.2014
Производитель
Где купить
Дистрибуторы
Дилеры
Где купить ещё
|