|
Группа компонентов
Оптроны с драйвером MOSFET/IGBT
Основные параметры
| Каналов,шт |
1
|
| IF,мА |
от 7 до 16
|
| IOUT (макс.),А |
2.5
|
| CMR (мин.),В/мкс |
35
|
| VISO,В |
4243
|
| tPHL (макс.),нс |
250
|
| tPLH (макс.),нс |
250
|
| VCC,В |
от 3 до 15
|
| TA,°C |
от -40 до 100
|
| Корпус |
SOIC-16
|
Общее описание
Отличительные особенности:
- Входной светодиодный каскад поддерживает управление посредством цифровых сигналов ШИМ-выхода
- Оптически изолированная цепь обратной связи сигналов ошибки
- Функция активного подавления эффекта Миллера для выключения IGBT-транзистора при высоких значениях dv/dt без использования источника отрицательного напряжения
- Высокая стойкость к электромагнитным шумам благодаря уровню ослабления синфазных сигналов не менее 35 кВ/мкс, при VCM 1500 В (пик.)
- Выходной ток до 2.5 А позволяет непосредственно управлять IGBT-транзисторами средней мощности
- P-канальные транзисторы выходного каскада поддерживают размах выходного напряжения, близкий к уровня напряжения питания (rail-to-rail выход)
- Широкий диапазон напряжений питания: 15…30 В
- Максимальное пробивное напряжение изоляции в течение 1 мин. по стандарту UL1577: 4243 В (скз.)
- Соответствие стандарту DIN-EN/IEC60747-5-5
- Продолжительное пиковое пробивное напряжение изоляции: 1414 В
- Пиковое напряжение изоляции перехода: 8000 В
- Длина пути тока утечки и безопасный зазор: 8 мм
Область применения:
- Солнечная энергетика
- Источники бесперебойного питания
- Схемы управления электродвигателем
|
Datasheet
 FOD8332 (4 Мб), 03.06.2014
Производитель
Где купить
Поставки и консультации:
Дистрибуторы
Дилеры
Где купить ещё
|
