+ IRF8910, HEXFET Power MOSFETs Dual N-Channel
 

Поиск

 l l
 
Расширенный поиск
 

IRF8910 HEXFET Power MOSFETs Dual N-Channel

 

Блок-схема

IRF8910, HEXFET Power MOSFETs Dual N-Channel

Группа компонентов

MOSFET

Основные параметры

Полярность N
Каналов,шт 2
VDS,В 20
RDS(ON) 4.5 В,мОм 18.3
RDS(ON) 10 В,мОм 13.4
ID,А 10
PD,Вт 2
Корпус SOIC-8
Datasheet
 
IRF8910 (249.1 Кб), 14.05.2008

Производитель
 

Где купить
 


Дистрибуторы

Дилеры

Где купить ещё

Datasheet

IRF8910 HEXFET Power MOSFETs Dual N-Channel (249.1 Кб), 14.05.2008



Автор документа: Оксана Данова, http://www.gaw.ru
 Кол-во просмотров: 1088 		Дата публикации: 14.05.2008 13:43
Дата редактирования: 14.05.2008 13:45

подписка на новости

Подпишись на новости!
Продажа силового и бронированного кабеля и провода в Москве



Мероприятия:

17-я международная выставка ChipEXPO - 2019



SKYPE: tutor1970 | тел. редакции: (995) 900 6254 | email: admin@eust.ru

© 1998-2023 Рынок Микроэлектроники