Главная » Документация » Дискретные компоненты » Транзисторы » MOSFET

SiZ340DT Сдвоенный силовой MOSFET-транзистор 30 В / 40 А, выполненный по технологии TrenchFET 4-го поколения в корпусе PowerPAIR® размером 3 х 3 мм

Блок-схема

Группа компонентов

MOSFET

Основные параметры

Общее описание

Отличительные особенности:

Напряжение сток-исток V_DS: 30 В
Постоянный ток стока I_D:
- Канал 1: 30 А (T_C = 25°C) / 26.5 А (T_C = 70°C)
- Канал 2: 40 А (T_C = 25°C) / 40.0 А (T_C = 70°C)
Сопротивление открытого канала R_DS(ON)
- Канал 1: 7.9 мОм (V_GS = 10 В, I_D = 15.6 А)
- Канал 2: 4.2 мОм (V_GS = 10 В, I_D = 20.0 А)
- Канал 1: 11.0 мОм (V_GS = 4.5 В, I_D = 13.0 А)
- Канал 2: 5.8 мОм (V_GS = 4.5 В, I_D = 20.0 А)
Постоянный ток диода исток-сток I_S:
- Канал 1: 13.9 А (T_C = 25°C)
- Канал 2: 26.0 А (T_C = 25°C)
Максимальная рассеиваемая мощность P_D:
- Канал 1: 16.7 Вт (T_C = 25°C) / 10.7 Вт (T_C = 70°C)
- Канал 2: 31.0 Вт (T_C = 25°C) / 20.0 Вт (T_C = 70°C)
Рабочая температура перехода T_J: -55°C…+150°C

Область применения:

Синхронные понижающие преобразователи
- Зарядные устройства
- Компьютерные источники питания
- Видеокарты
Преобразователи типа Point-of-Load (POL)

Datasheet

SiZ340DT (362.8 Кб), 03.04.2014

Производитель

Где купить

Автор документа: Жанна Свирина, http://www.gaw.ru
Кол-во просмотров: 664

Дата публикации: 03.04.2014 14:33
Дата редактирования: 03.04.2014 14:36

Мероприятия:

Поиск				В компонентах В документах По PDF базе По фирмам
		по всем полям Расширенный поиск